Search

Your search keyword '"Litvin O"' showing total 213 results
Start Over Author "Litvin O"
213 results on '"Litvin O"'

3. The Dynamic Problems About the Definition of Stress State Near Thin Elastic Inclusions Under the Conditions of Perfect Coupling

Author

Popov, V. G., Litvin, O. V., Moysyeyenok, A. P., Gohberg, I., editor, Alpay, D., editor, Arazy, J., editor, Atzmon, A., editor, Ball, J. A., editor, Bart, H., editor, Ben-Artzi, A., editor, Bercovici, H., editor, Böttcher, A., editor, Clancey, K., editor, Curto, R., editor, Davidson, K. R., editor, Demuth, M., editor, Dijksma, A., editor, Douglas, R. G., editor, Duduchava, R., editor, Ferreira dos Santos, A., editor, Frazho, A. E., editor, Fuhrmann, P. A., editor, Gramsch, B., editor, Kaper, H. G., editor, Kuroda, S. T., editor, Lerer, L. E., editor, Mityagin, B., editor, Olshevski, V., editor, Putinar, M., editor, Ran, A. C. M., editor, Rodman, L., editor, Rovnyak, J., editor, Schulze, B. -W., editor, Speck, F., editor, Spitkovsky, I. M., editor, Treil, S., editor, Tretter, C., editor, Upmeier, H., editor, Vasilevski, N., editor, Verduyn Lunel, S., editor, Voiculescu, D., editor, Xia, D., editor, Yafaev, D., editor, Adamyan, Vadim M., editor, Gohberg, Israel, editor, Kochubei, Anatoly, editor, Popov, Gennadiy, editor, Berezansky, Yurij, editor, Gorbachuk, Myroslav, editor, Gorbachuk, Valentyna, editor, and Langer, Heinz, editor

Published
2009
Full Text
View/download PDF

38. Topology and Photoelectric Properties of Heterostructure p-GaTe – n-InSe

Author

Katerynchuk, V. M., Kushnir, B. V., Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D., Tkachuk, I. G., and Litvin, O. S.

Abstract

We investigated the photoelectrical properties of the heterojunctions p-GaTe – n-InSe fabricated by the method of mechanical contact of GaTe oxidized plate with van der Waals surface of InSe. The AFM-images revealed that there was formed thin oxide dielectric layer of Ga2O3 on the heterointerface p-GaTe – n-InSe. The energy band diagram was constructed. It was established that the p-GaTe – n-InSe heterojunction is photosensitive in the spectral range 0.74 - 1.0 µm. Key words: InSe, GaTe, layered crystals, heterojunction, AFM-images spectral characteristics., Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.Ключові слова: InSe, GaTe, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристики.

Published
2017

Catalog

Books, media, physical & digital resources
See catalog results