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179 results on '"Létoublon Antoine"'

1. Preliminary study of selective contacts for hot carrier solar cells

Author: Boyer-Richard Soline, Fan Fei, Chevalier Nicolas, Létoublon Antoine, Beck Alexandre, Tavernier Karine, Rani Shalu, Suchet Daniel, Cattoni Andrea, Lombez Laurent, and Durand Olivier
Subjects: hot carrier solar cells, iii-v quantum well, selective contact, inp, Renewable energy sources, TJ807-830
Abstract: Hot carrier solar cells are a concept of photovoltaic devices, which offers the opportunity to harvest solar energy beyond the Shockley-Queisser limit. Unlike conventional photovoltaic devices, hot carrier solar cells convert excess kinetic energy into useful electrical power rather than losing it through thermalisation mechanisms. To extract the carriers while they are still “hot”, efficient energy-selective contacts must be developed. In previous studies, the presence of the hot carrier population in a p-i-n solar cell based on a single InGaAsP quantum well on InP substrate at room temperature has been demonstrated by means of complementary optical and electrical measurements, leading to an operating condition for this device beyond the limit for classical device operation. This result allows to design a new generation of devices to increase the hot carrier conversion contribution. In this work, we study InGaAs/AlInAs type II heterojunction as a selective contact for a future hot carrier solar cell device epitaxially grown on (001) oriented InP substrate. Two p-i-n solar cells have been grown by molecular beam epitaxy on InP. The absorber is a 50 nm-thick InGaAs layer surrounded by AlInAs barriers, all lattice-matched to InP. Two architectures are compared, the first with two symmetrical AlInAs barriers and the second with a single InGaAs quantum well in the center of the n-side barrier to allow electron tunneling across the barrier. Electrical characteristics under laser illumination with two different wavelengths have been measured to investigate the effect of the selective contact compared to the barrier. This preliminary study of InGaAs/AlInAs-based selective contacts show that such III–V combination is adapted for a future hot carrier solar cell in the InP technology.
Published: 2024
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2. Microstructure characterization of CIGS/GaP/Si tandem solar cells

Author: Gautron Eric, Bertin Eugène, Arzel Ludovic, Choubrac Léo, Létoublon Antoine, Gautheron Rozenn, Cornet Charles, Jullien Maud, Harel Sylvie, Cadel Emmanuel, Durand Olivier, and Barreau Nicolas
Subjects: tandem-solar-cell, epitaxy, secondary phases, interdiffusion, Microbiology, QR1-502, Physiology, QP1-981, Zoology, QL1-991
Published: 2024
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3. Investigation of III-V GaP solar cell on silicon substrate

Author: Boyer-Richard Soline, Fan Fei, Beck Alexandre, Levallois Christophe, Tavernier Karine, Rohel Tony, Bernard Rozenn, Létoublon Antoine, Cornet Charles, and Durand Olivier
Subjects: gallium phosphide, iii-v on silicon, tandem cell, Renewable energy sources, TJ807-830
Abstract: The best solar conversion efficiencies have been reached thanks to multijunction solar based on III-V semiconductors on GaAs or Ge substrates. While displaying high conversion efficiencies, these solar cells suffer from the high cost of such substrates. To benefit from both the low cost and technological maturity of silicon cells, III-V tandem cells on silicon seem a good compromise to overpass the theoretical efficiency limit of the Si single cells. To study the GaP/Si interface effect on the solar cell characteristic, a GaP n-i-p solar cell has been grown on silicon substrate. Two types of electrical contacts configurations have been processed: a top-top configuration in which the current does not see the GaP/Si interface and the top-bottom configuration where the electric current crosses the interface. A comparison of dark I-V, I-V under solar illumination, and EQE measurements on both configurations is performed. The top-bottom contacts configuration shows an EQE a little bit lower than the top-top contact one, likely due to lower carrier diffusion length or recombination at the lower interface. However, the result on the EQE of the top-bottom configuration is encouraging for the future development of the GaP-based/Si tandem solar cells, and any other tandem cell on silicon using GaP as an intermediate selective contact.
Published: 2023
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4. Assessment of GaPSb/Si tandem material association properties for photoelectrochemical cells

Author: Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Stervinou, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, Soline, Jancu, Jean-Marc, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Wu, Jiang, Parkin, Ivan P., and Cornet, Charles
Subjects: Physics - Applied Physics, Condensed Matter - Materials Science
Abstract: Here, the structural, electronic and optical properties of the GaP1-xSbx/Si tandem materials association are determined in view of its use for solar water splitting applications. The GaPSb crystalline layer is grown on Si by Molecular Beam Epitaxy with different Sb contents. The bandgap value and bandgap type of GaPSb alloy are determined on the whole Sb range, by combining experimental absorption measurements with tight binding (TB) theoretical calculations. The indirect (X-band) to direct ({\Gamma}-band) cross-over is found to occur at 30% Sb content. Especially, at a Sb content of 32%, the GaP1-xSbx alloy reaches the desired 1.7eV direct bandgap, enabling efficient sunlight absorption, that can be ideally combined with the Si 1.1 eV bandgap. Moreover, the band alignment of GaP1-xSbx alloys and Si with respect to water redox potential levels has been analyzed, which shows the GaPSb/Si association is an interesting combination both for the hydrogen evolution and oxygen evolution reactions. These results open new routes for the development of III-V/Si low-cost high-efficiency photoelectrochemical cells.
Published: 2020

5. Unveiling the role of copper content in the crystal structure and phase stability of epitaxial Cu(In,Ga)S2 films on GaP/Si(001)

Author: Bertin, Eugène, Durand, Olivier, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Arzel, Ludovic, Choubrac, Leo, Bernard, Rozenn, Gautron, Éric, Harel, Sylvie, Jullien, Maud, Rohel, Tony, Assmann, Lionel, and Barreau, Nicolas
Published: 2023
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6. Dual bandgap operation of a GaAs/Si photoelectrode

Author: Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Léger, Yoan, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Rohel, Tony, Levallois, Christophe, Le Pouliquen, Julie, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Published: 2023
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7. Evidence of Cationic Antiphase Disorder in Epitaxial Cu(In,Ga)S2 Grown on GaP/Si(001)

Author: Bertin, Eugène, primary, Gautron, Éric, additional, Barreau, Nicolas, additional, Cornet, Charles, additional, Arzel, Ludovic, additional, Choubrac, Léo, additional, Létoublon, Antoine, additional, Harel, Sylvie, additional, Bernard, Rozenn, additional, Jullien, Maud, additional, and Durand, Olivier, additional
Published: 2024
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8. Epitaxial growth of CIGSe layers on GaP/Si(001) pseudo-substrate for tandem CIGSe/Si solar cells

Author: Barreau, Nicolas, Durand, Olivier, Bertin, Eugène, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Tsoulka, Polyxeni, Gautron, Eric, and Lincot, Daniel
Published: 2021
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9. Assessment of GaPSb/Si tandem material association properties for photoelectrochemical cells

Author: Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Stervinou, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, Soline, Jancu, Jean-Marc, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Wu, Jiang, Parkin, Ivan P., and Cornet, Charles
Published: 2021
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10. Evidence of Cationic Antiphase Disorder in Epitaxial Cu(In,Ga)S2 Grown on GaP/Si(001).

Author: Bertin, Eugène, Gautron, Éric, Barreau, Nicolas, Cornet, Charles, Arzel, Ludovic, Choubrac, Léo, Létoublon, Antoine, Harel, Sylvie, Bernard, Rozenn, Jullien, Maud, and Durand, Olivier
Subjects: ANTIPHASE boundaries, TRANSMISSION electron microscopy, ATOMIC structure, SPATIAL orientation, ELECTRON diffraction
Abstract: A transmission electron microscopy study of epitaxial Cu(In,Ga)S2 (CIGS) films coevaporated on GaP/Si(001), in either Cu‐rich or Cu‐poor conditions, is presented. The spatial distribution and the orientation of the different phases by means of electron diffraction are unveiled. From atomically resolved imaging of the CIGS film's atomic structure, it is concluded that different chalcopyrite domains, sharing cation antiphase symmetries of the cation sublattice, coexist in the films. At least three types of cation antiphase boundaries (CAPBs), which do or do not lead to a violation of the octet rule, depending on the propagation direction, are conceptualized. Even though it is observed that epitaxial CIGS is highly prone to cation antiphase disorder (CAPD), and it is found that the growth of CIGS in Cu‐rich conditions leads to a lower density of CAPBs, as compared to Cu‐poor growth conditions. This opens the question of the influence of CAPBs on CIGS electronic properties. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2024
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11. Photoelectrode/electrolyte interfacial band lineup engineering with alloyed III–V thin films grown on Si substrates.

Author: Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Léger, Yoan, Le, Hanh Vi, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Rohel, Tony, Levallois, Christophe, Le Pouliquen, Julie, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Abstract: In this work, we demonstrate how the classical concept of band gap engineering usually used in III–V semiconductor devices can be extended to the engineering of the band lineup between semiconducting photoelectrodes and electrolytes. The performances of photoelectrodes made of GaP1−xAsx epilayers in the full compositional range and grown on low-cost Si substrates were studied and compared with those of photoelectrodes grown on GaAs and GaP substrates. We first show that the changes of incident photon to current conversion efficiency (IPCE) with the As content in GaP1−xAsx alloys are related to the band gap nature (direct or indirect) and band gap energy variations. Then, from flat band potential measurements during Mott–Schottky experiments, valence and conduction band energies of GaP1−xAsx alloys are positioned versus the reversible hydrogen potential. A weak change of conduction band energies and a large evolution of valence band energies are obtained, in good agreement with expected theoretical trends. Such results show that both band gaps and semiconductor/electrolyte band lineups can be engineered through alloying of III–V semiconductors deposited on silicon substrates. This band lineup engineering strategy is expected to be of great interest to address specific redox reactions in the electrolyte, provided that suitable protecting or passivating layers can be used to limit surface/interface recombinations. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2024
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12. Epitaxial growth of Cu(In,Ga)S2 thin films on GaP/Si(001) pseudo-substrate: towards Cu(In,Ga)S2/Si tandem solar cells

Author: Bertin, Eugène, Cornet, Charles, Choubrac, Léo, Jullien, Maud, Létoublon, Antoine, Crossay, Alexandre, Gautron, Eric, Harel, Sylvie, Arzel, Ludovic, Lincot, Daniel, Durand, Olivier, Barreau, Nicolas, Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Nantes université - UFR des Sciences et des Techniques (Nantes univ - UFR ST), Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (Nantes Univ - EPUN), Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF), RENATECH-NanoRennes, and ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020)
Subjects: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2022

13. III-V GaP solar cells on silicon

Author: Fan, Fei, Boyer-Richard, Soline, Beck, Alexandre, Levallois, Christophe, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Gautheron-Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Durand, Olivier, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and RENATECH-NanoRennes
Subjects: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2022

14. ANR EPCIS: first results on High-Efficiency Epitaxial CIGSu on Silicon Tandem Solar Cell

Author: Durand, Olivier, Bertin, Eugène, Barreau, Nicolas, Jullien, Maud, Gautheron-Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Gautron, Eric, Arzel, Ludovic, Harel, Sylvie, Crossay, Alexandre, Lontchi, Jackson, Rebaï, Amelle, Bérenguier, Baptiste, Guillemoles, Jean-François, Naghavi, Negar, Fave, Alain, Tamin, Charif, Lincot, Daniel, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Nantes université - UFR des Sciences et des Techniques (Nantes univ - UFR ST), Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (Nantes Univ - EPUN), Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PIA (Grant no. ANR‐IEED‐002‐01), French Contrat Plan État‐Région and the European Regional Development Fund of Pays de la Loire. The authors acknowledge RENATECH+ (French Network of MajorTechnology Centers) for technological support, and the CIMEN Electron Microscopy Center in Nantes., and ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2022

15. Photoemission study of S-vapour exposed epi-GaP/c-Si(001) surfaces

Author: Harel, Sylvie, Bertin, Eric, Barreau, Nicolas, Jullien, Maud, Gautheron-Bernard, Rozenn, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Gautron, Eric, Arzel, Ludovic, Durand, Olivier, Cornet, Charles, Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Nantes université - UFR des Sciences et des Techniques (Nantes univ - UFR ST), Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (Nantes Univ - EPUN), Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PIA (Grant no. ANR‐IEED‐002‐01), French Contrat Plan État‐Région and the European Regional Development Fund of Pays de la Loire. The authors acknowledge RENATECH+ (French Network of Major Technology Centers) for technological support, and the CIMEN Electron Microscopy Center in Nantes., and ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020)
Subjects: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2022

16. Unusual anharmonicity and pseudospin-phonon dynamics in 3D halide perovskites

Author: Even, Jacky, Hehlen, Bernard, Bourges, Philippe, Rufflé, Benoit, Létoublon, Antoine, Zacharias, Marios, Katan, Claudine, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Laboratoire Léon Brillouin (LLB - UMR 12), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), LLB - Nouvelles frontières dans les matériaux quantiques (NFMQ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and European Project: 899141,PoLLoC
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences
Abstract: International audience; 3D halide perovskites used in light emitters and PV systems exhibit an unusual anharmonicity, which is not accounted for in nowadays descriptions of phonons and electron-phonon coupling. Therefore, the low frequency lattice vibrations and relaxations were investigated in single crystals of the four 3D hybrid organolead perovskites, MAPbBr3, FAPbBr3, MAPbI3, and FAPbI3, at the Brillouin zone center using Raman and Brillouin scattering and at the zone boundary using inelastic neutron scattering. The temperature dependence of the PbX6 lattice modes in the four compounds can berenormalized into universal curves and no soft vibration is observed excluding a displacive-like transitional dynamics related to structural phase transitions. The reorientational (pseudospin) motions of the molecular cations exhibit a seemingly order-disorder character recalling that of plastic crystals, but attributed to a secondary order-parameter. At ultra-low frequency, a quasi-elastic component evidenced by Brillouin scattering and associated to the unresolved central peak observed in neutron scattering, is attributed to center of mass anharmonic motions and rattling of the molecular cations in the perovskite cavities. 3D halide perovskites are therefore in a very unusualsituation where anharmonicity prevails. It is leading to partial, extensive and ultraslow critical and stochatic dynamics connected to structural instabilities. The extensive disorder of the lattice at normal operation temperatures for devices is similar to premelting where only long-range acoustic normal modes survive.
Published: 2022

17. MBE-grown GaAs on a low-cost Si substrate for solar hydrogen production

Author: Vi, Hanh, Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Levallois, Christophe, Tavernier, Karine, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and European Materials Research Society
Subjects: [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2022

18. Lattice dynamics in 3D lead halide hybrid perovskites

Author: Even, Jacky, Hehlen, Bernard, Bourges, Philippe, Létoublon, Antoine, Rufflé, Benoit, Ecolivet, Claude, Katan, Claudine, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Laboratoire Léon Brillouin (LLB - UMR 12), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), LLB - Nouvelles frontières dans les matériaux quantiques (NFMQ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Technical University of Munich - Institute for Advanced Study, European Project: PeroCUBE, and European Project: 899141,PoLLoC
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences
Abstract: International audience; Lattice dynamics in 3D lead halide hybrid perovskites is analyzed together with the possible consequences for device applications
Published: 2022

19. Study of MoS2 Deposited by ALD on c-Si, Towards the Development of MoS2/c-Si Heterojunction Photovoltaics

Author: Zerbo, Bienlo Flora, primary, Modreanu, Mircea, additional, Povey, Ian, additional, Lin, Jun, additional, Létoublon, Antoine, additional, Rolland, Alain, additional, Pédesseau, Laurent, additional, Even, Jacky, additional, Lépine, Bruno, additional, Turban, Pascal, additional, Schieffer, Philippe, additional, Moréac, Alain, additional, and Durand, Olivier, additional
Published: 2022
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20. Tunable bandgap III-V alloys on a low-cost Si substrate for solar-assisted water splitting

Author: Piriyev, Mekan, Le, Hanh Vi, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Levallois, Christophe, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2022

21. Towards high-efficiency and low-cost epitaxial CIGSu/Si tandem solar cells

Author: Durand, Olivier, Bertin, Eugène, Barreau, Nicolas, Gautron, Eric, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Jullien, Maud, Crossay, Alexandre, Tsoulka, Polyxeni, Lincot, Daniel, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Nantes université - UFR des Sciences et des Techniques (Nantes univ - UFR ST), Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (Nantes Univ - EPUN), Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ), RENATECH, and ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020)
Subjects: Solar cells, Silicon, Gallium arsenide, Germanium, Copper indium gallium selenide, Deposition processes, Tandem solar cells, Electron microscopy, Multijunction solar cells, Crystals, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: We propose to explore tandem junctions associating single crystalline silicon bottom cell (Eg = 1.12 eV) and wide bandgap (1.7 eV) CuIn0.75Ga0.25S2 (pure-sulfide CIGSu) top cell, using GaP intermediate layer. Our purpose is to grow CIGSu films under epitaxial conditions on GaP/Si(001) to improve the top cell efficiency, thanks to a reduction of the structural defects density detrimental for the cell performance, so that CIGSu/Si tandem cells can emerge as cost competitive for the next generation of PV modules. Record efficiency on standard AZO/ZnMgO/CdS/CIGSu/Mo/Glass solar cell and epitaxy of CIGSsu on GaP/Si are demonstrated.
Published: 2022
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22. Pseudospin-phonon dynamics in lead halide hybrid perovskites

Author: Even, Jacky, Hehlen, Bernard, Bourges, Philippe, Ruffle, Benoit, Katan, Claudine, Létoublon, Antoine, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), LLB - Nouvelles frontières dans les matériaux quantiques (NFMQ), Laboratoire Léon Brillouin (LLB - UMR 12), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], Condensed Matter::Materials Science, [CHIM]Chemical Sciences, Condensed Matter::Strongly Correlated Electrons
Abstract: International audience; The low frequency lattice vibrations and relaxations are investigated in single crystals of the four 3Dhybrid organolead perovskites, MAPbBr3, FAPbBr3, MAPbI3, and FAPbI3, at the Brillouin zone centerusing Raman and Brillouin scattering and at the zone boundary using inelastic neutron scattering. Thetemperature dependence of the PbX6 lattice modes in the four compounds can be renormalized intouniversal curves and no soft vibration is observed excluding a displacive-like transitional dynamics. Thereorientational (pseudospin) motions of the molecular cations exhibit a seemingly order-disordercharacter recalling that of plastic crystals, but attributed to a secondary order-parameter. At ultra-lowfrequency, a quasi-elastic component evidenced by Brillouin scattering and associated to the unresolvedcentral peak observed in neutron scattering, is attributed to center of mass anharmonic motions andrattling of the molecular cations in the perovskite cavities.
Published: 2022

23. Bandgap engineering of III-V semiconductors on silicon for solar hydrogen production

Author: Piriyev, Mekan, Chen, Lipin, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

24. Importance of lattice softness and phonon anharmonicity for the optoelectronic properties of 3D, 2D and 0D halide perovskites

Author: Even, Jacky, Da Cunha Ferreira, Afonso, Paofai, Serge, Létoublon, Antoine, Ollivier, Jacques, Raymond, stéphane, Sébastien, Clément, VIALLA, Remy, HEHLEN, Bernard, RUFFLE, Benoit, Cordier, Stéphane, Katan, Claudine, Bourges, Philippe, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Laue-Langevin (ILL), Magnétisme et Diffusion Neutronique (MDN ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Léon Brillouin (LLB - UMR 12), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Project: 899141,PoLLoC, European Project: PeroCUBE, European Project: 862656,DROPIT, Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), ILL, and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Saclay
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2021

25. Is a substrate miscut really required for high quality III-V/Si monolithic integration?

Author: Cornet, Charles, Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Léger, Yoan, Bahri, Mounib, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Ponchet, Anne, Turban, Pascal, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux (MAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Renatech, ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

26. MBE-grown GaAs(x)P(1-x)/Si photoelectrodes for solar hydrogen production

Author: Piriyev, Mekan, Chen, Lipin, Léger, Yoan, Levallois, Christophe, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

27. High-Quality Factor Zinc-Blende III-V Microdisks on Silicon for Nonlinear Photonics

Author: Urothodi, Rasool, Le Pouliquen, Julie, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Velly-Pareige, Christelle, Lorenzo-Ruiz, Alejandro, Beck, Alexandre, Létoublon, Antoine, De Sagazan, Olivier, Cornet, Charles, Dumeige, Yannick, Léger, Yoan, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), and Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract: International audience; The demonstration of nonlinear photonic functionalities is a prerequisite for the emergence of future optical computing schemes on chip. In order to develop these components, III-V semiconductors show many assets, from strong nonlinear coefficients to advanced technological processing possibilities. Recently, the emergence of III-V lasers grown on silicon has paved the way towards low-cost, large-scale integrated photonic devices [1] but this new platform is still mostly unexplored in the field of nonlinear photonics.Here, we report on the first demonstration of high quality-factor zinc-blende III-V microdisks on silicon. The unique GaP/Si photonic platform allows us to explore III-V crystal polarity engineering, a key concept in nonlinear photonics, from orientation-patterned to random quasi-phase matching. [2] We show that a random distribution of polarity domains can be achieved in monocrystalline GaP microdisks, with control over domain size and averaged polarity. The Q-factors measured, up to 16 000 in the telecom range [3] and 6300 in the visible range, allow us to assess for the first time the optical losses induced by polarity domain boundaries in these materials, a key parameter for the development of future polarity-engineered nonlinear photonic devices based of III-V semiconductors. The authors acknowledge the French National Research Agency for funding through the ANR project ORPHEUS (ANR-17-CE24-0019) and Nanorennes, member of the Renatech network.
Published: 2021

28. Study of MoS 2 Deposited by ALD on c-Si, Towards the Development of MoS 2 /c-Si Heterojunction Photovoltaics.

Author: Zerbo, Bienlo Flora, Modreanu, Mircea, Povey, Ian, Lin, Jun, Létoublon, Antoine, Rolland, Alain, Pédesseau, Laurent, Even, Jacky, Lépine, Bruno, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Moréac, Alain, and Durand, Olivier
Subjects: SOLAR cells, HETEROJUNCTIONS, PHOTOVOLTAIC power generation, PHOTOVOLTAIC power systems, QUANTUM efficiency, MOLYBDENUM disulfide, ELLIPSOMETRY
Abstract: Silicon-based heterojunction (SHJ) solar cells demonstrate high efficiencies over their homojunction counterparts, revealing the potential of such technologies. We present here the first steps towards the development of molybdenum disulfide (MoS2)/c-silicon heterojunction solar cells, consisting of a preliminary study of the MoS2 material and numerical device simulations of MoS2/Si heterojunction solar cells, using SILVACO ATLAS. Through the optical and structural characterization of MoS2/SiO2/Si samples, we found a significant sensitivity of the MoS2 to ambient oxidation. Optical ellipsometry showed a bandgap of 1.87 eV for a 7 monolayer thick MoS2 sample, suitable for the targeted application. Finally, we briefly introduce a device simulation and show that the MoS2/Si heterojunction could lead to a gain in quantum efficiency, especially in the region with short wavelengths, compared with a standard a-Si/c-Si solar cell. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2022
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29. CIGS growth on a GaP/Si(001) platform: towards CIGS/Si tandem solar cells

Author: Durand, Olivier, Létoublon, Antoine, Cornet, C., Rolland, Alain, Zhou, Ang, Boyer-Richard, S., Fan, Fei, Barreau, Nicolas, Gautron, Eric, Balestrieri, Matteo, Coutancier, Damien, Lincot, Daniel, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF), ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020), Université de Nantes, CNRS, Institut des Matériaux Jean Rouxel, IMN, F-44000 Nantes, France, Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), and Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

30. Performances of III-P/Si based photoelectrodes for solar hydrogen production

Author: Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Létoublon, Antoine, Durand, Olivier, Pedesseau, Laurent, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2021

31. CIGS growth on a GaP/Si(001) platform : towards CIGS/Si tandem solar cells

Author: Durand, Olivier, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Zhou, Ang, Barreau, Nicolas, Gautron, Eric, Balestrieri, Matteo, Coutancier, Damien, Lincot, Daniel, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), and Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2020

32. GaPSb/Si tandem material with APBs for efficient overall water splitting

Author: Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Le Pouliquen, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, S., Pedesseau, Laurent, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Wu, Jiang, Parkin, Ivan, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), University College of London [London] (UCL), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2020

33. CIGS growth on a GaP/Si(001) platform: towards CIGS/Si tandem solar cells

Author: Durand, Olivier, primary, Bertin, Eugène, additional, Létoublon, Antoine, additional, Cornet, Charles, additional, Barreau, Nicolas, additional, Gautron, Eric, additional, Crossay, Alexandre, additional, Rebai, Amelle, additional, lincot, Daniel, additional, and Lontchi, Jackson, additional
Published: 2021
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34. Strong Electron–Phonon Interaction in 2D Vertical Homovalent III–V Singularities

Author: Chen, Lipin, primary, Skibitzki, Oliver, additional, Pedesseau, Laurent, additional, Létoublon, Antoine, additional, Stervinou, Julie, additional, Bernard, Rozenn, additional, Levallois, Christophe, additional, Piron, Rozenn, additional, Perrin, Mathieu, additional, Schubert, Markus Andreas, additional, Moréac, Alain, additional, Durand, Olivier, additional, Schroeder, Thomas, additional, Bertru, Nicolas, additional, Even, Jacky, additional, Léger, Yoan, additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2020
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35. Loss assessment in random crystal polarity gallium phosphide microdisks grown on silicon

Author: Saleem-Urothodi, Rasool, primary, Le Pouliquen, Julie, additional, Rohel, Tony, additional, Bernard, Rozenn, additional, Pareige, Christelle, additional, Lorenzo-Ruiz, Alejandro, additional, Beck, Alexandre, additional, Létoublon, Antoine, additional, De Sagazan, Olivier, additional, Cornet, Charles, additional, Dumeige, Yannick, additional, and Léger, Yoan, additional
Published: 2020
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36. CIGS growth on a GaP/Si(001) platform: towards CIGS/Si tandem solar cells (Conference Presentation)

Author: Durand, Olivier, primary, Létoublon, Antoine, additional, Cornet, Charles, additional, Zhou, Ang, additional, Barreau, Nicolas, additional, Gautron, Eric, additional, Balestrieri, Matteo, additional, Coutancier, Damien, additional, and Daniel, Lincot, additional
Published: 2020
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37. A Study on the Strain Distribution by Scanning X-ray diffraction on GaP/Si for III-V Monolithic Integration on Silicon for Nonlinear Optics

Author: Zhou, Ang, Wang, Yanping, Cornet, Charles, Léger, Yoan, Pedesseau, Laurent, Durand, Olivier, Favre-Nicolin, Vincent, Chahine, Gilbert André, Schulli, Tobias, Eymery, Joel, Bahri, Mounib, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Létoublon, Antoine, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Nanostructures et Rayonnement Synchrotron (NRS ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2019

38. III-V/Si photoelectrodes: a new route for solar hydrogen production

Author: Cornet, Charles, Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Stervinou, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, S., Pedesseau, Laurent, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Wu, Jiang, Parkin, Ivan, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), University College of London [London] (UCL), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), C'Nano-PACA, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

39. Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices

Author: Cornet, Charles, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Pedesseau, Laurent, Bernard, Rozenn, Rohel, Tony, Levallois, Christophe, Piron, Rozenn, Létoublon, Antoine, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), The ab initio simulations have been performed on HPC resources of CINES under the allocation 2016-[x2016096724] made by GENCI (Grand Equipement National de Calcul Intensif)., ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2019

40. Solar Water Splitting: surface energy engineering of GaP Template on Si

Author: Pedesseau, Laurent, Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Turban, Pascal, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Bertru, Nicolas, Létoublon, Antoine, Vallet, Maxime, Ponchet, Anne, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

41. Electron-phonon interactions around antiphase boundaries in InGaP/SiGe/Si : structural and optical characterizations

Author: Chen, Lipin, Piron, Rozenn, Skibitzki, Oliver, Léger, Yoan, Levallois, Christophe, Rohel, Tony, Pedesseau, Laurent, Bernard, Rozenn, Le Pouliquen, Julie, Létoublon, Antoine, Schroeder, Thomas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2019

42. GaPSb/Si photoelectrode for Solar Fuel Production

Author: Chen, Lipin, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Le Pouliquen, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, Soline, Jancu, Jean-Marc, Pedesseau, Laurent, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Parkin, Ivan, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), University College of London [London] (UCL), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: International audience; Solar water splitting consists in the production of hydrogen fuel by photoelectrochemical (PEC) reactions. It offers a clean, environmentally friendly solution to sustain the global energy supply and has driven many researches recently [1-2]. Efficient solar water splitting demands suitable photoelectrodes, which should enable high light absorption and feature a band gap with appropriate band alignment to realize charge transfer from the photoelectrode to water. In this work, we investigate the potential of a new photoelectrode material GaPSb/Si for solar water splitting. Relaxed GaPSb monocrystalline alloy was grown on cheap silicon substrate by molecular beam epitaxy (MBE) without any evidence of phase separation. The band structure of GaPSb/Si is determined by combining experimental optical measurements with tight binding (TB) theoretical calculations, confirming the appropriate band alignment for water splitting. Moreover, PEC characterizations were carried out on different GaPSb/Si samples, demonstrating good PEC performances. GaPSb/Si thus appears as a promising candidate for low-cost high-efficiency solar water splitting.[1] D. Kang, T. W. Kim, S. R. Kubota, A. C. Cardiel, H. G. Cha, K.-S. Choi, Chemical reviews 2015, 115, 12839.[2] I. Lucci, S. Charbonnier, M. Vallet, P. Turban, Y. Léger, T. Rohel, N. Bertru, A. Létoublon, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournié, A. Ponchet, G. Patriarche, L. Pedesseau, C. Cornet, Advanced Functional Materials 2018, 28, 1801585.
Published: 2019

43. A universal mechanism to describe III-V epitaxy on Si

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Pedesseau, Laurent, Vallet, Maxime, Cerutti, Laurent, Rodriguez, Jean-Baptiste, Tournié, Eric, Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Rennesson, Stephanie, Semond, Fabrice, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Turban, Pascal, Ponchet, Anne, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Région Bretagne, HPC resources of CINES under the allocation 2016-[x2016096724] made by GENCI (Grand Equipement National de Calcul Intensif)., ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS)
Subjects: [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

44. Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si

Author: Chen, Lipin, Skibitzki, Oliver, Léger, Yoan, Levallois, Christophe, Piron, Rozenn, Rohel, Tony, Stervinou, Julie, Létoublon, Antoine, Schroeder, Thomas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Université Bretagne Loire (UBL)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], [PHYS.MECA.MSMECA]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Materials and structures in mechanics [physics.class-ph], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience; III-V/Si epitaxial nanostructure materials are quite promising candidates for the development of Si photonics. We deeply investigate the structural and optical properties of an InGaP/SiGe/Si platform by transmission electron microscopy, X-ray diffraction, energy-dispersive X-ray elemental mapping and photoluminescence techniques and we demonstrate the contribution of 2D-vertical In-rich antiphase boundaries (APBs) to the photoluminescence. The nonstoichiometric In-rich APB structures are found to be responsible for the localization of excitons.
Published: 2018

45. Large scale textured GaP(114) growth on vicinal Si substrate by Molecular Beam Epitaxy for water splitting applications

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Vallet, Maxime, Turban, Pascal, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Bertru, Nicolas, Létoublon, Antoine, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Patriarche, Gilles, Ponchet, Anne, Pedesseau, Laurent, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
Abstract: International audience; Solar photoelectrochemical (PEC) water-splitting devices have been studied for decades with the aim to convert and store the solar energy into clean hydrogen fuels. Recently GaP-based PEC devices have been proposed, because of the adapted GaP bandgap (2.25eV). Moreover, surface texturation at the electrode level has been investigated to optimize the PEC devices efficiency. In this work, we present a large scale stress-free GaP textured surface grown by Molecular Beam Epitaxy on vicinal Si substrate. We then explain the GaP{114} facets stability by density functional theory, we finally present the advantages of using this textured surface, in water splitting applications.
Published: 2018

46. Excitons bounded around In-rich antiphase boundaries

Author: Chen, Lipin, Skibitzki, Oliver, Léger, Yoan, Levallois, Christophe, Piron, Rozenn, Rohel, Tony, Le Pouliquen, Julie, Létoublon, Antoine, Schröder, Thomas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.MECA.STRU]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Structural mechanics [physics.class-ph], [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph]
Abstract: International audience; With the combination of the mature silicon-microelectronic technology and the advantages of optical data processing, silicon photonics becomes more and more essential for future low-cost, high-speed technology[1]. The antiphase boundaries (APBs), which are believed to be detrimental defects for optical devices, have always been seen as one of the tough hurdles for the development of silicon photonics[2]. However, in this work we provided a new insight into the APBs which are involved in an efficient luminescence process. Temperature-and power-dependent photoluminescence (PL), X-ray diffraction (XRD) and energy-dispersive X-ray (EDX) elemental mapping techniques have been employed for a thorough analysis of APBs' contribution to optical and structural properties of an InGaP/SiGe/Si sample. The main PL peak is attributed to the recombination of excitons bounded around the neutralized In-rich APBs[3], which behave as vertical nanostructures. This scenario is in good correlation with previous theoretical works[4].
Published: 2018

47. Scanning tunneling microscopy investigation of GaP epitaxial growth on nominal and vicinal Si(001) substrates for optoelectronic applications

Author: Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Gangopadhyay, Subhashis, Wang, Yanping, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Raffy, Guillaume, Létoublon, Antoine, Cornet, C., Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Birla Institute of Technology and Science (BITS Pilani), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2018

48. Antiphase boundaries in InGaP/SiGe/Si : structural and optical properties

Author: Chen, Lipin, Skibitzki, Oliver, Piron, Rozenn, Stervinou, Julie, Létoublon, Antoine, Tremblay, Ronan, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Levallois, Christophe, Léger, Yoan, Schroeder, Thomas, Capellini, Giovanni, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], [PHYS.MECA.MSMECA]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Materials and structures in mechanics [physics.class-ph]
Abstract: International audience; Integration of III-V photonics on Si substrate remains a very hot topic in recent years[1,2]. GaP shows a strong advantage of low-lattice mismatch to Si and has been widely studied. However, the GaP material has an indirect bandgap and relatively low carrier mobility, which intrinsically limit its optical performances. Therefore, the pseudomorphic integration of InGaP on a relaxed SiGe/Si pseudo-substrate is expected to overcome these issues. In this work, the optical properties of an InGaP/SiGe/Si sample were studied by temperature-and power-dependent photoluminescence (PL). With the additional help of transmission electron microscopy images and chemical mechanical polishing technique, one PL emission peak is found to come from surface InP quantum dots. Other PL emission peak with a superlinear power dependence is tentatively considered to be co-contributed by InGaP host material[3] and In-rich antiphase boundaries, in good correlation with theoretical predictions[4].
Published: 2018

49. Nano Beam X-ray Scattering on GaP/Si for III-V Monolithic Integration on Silicon

Author: Zhou, Ang, Wang, Yanping, Létoublon, Antoine, Lucci, Ida, Cornet, Charles, Favre-Nicolin, Vincent, Chahine, Gilbert, Eymery, Joel, Léger, Yoan, Bahri, Mouib, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Pedesseau, Laurent, Turban, Pascal, Charbonnier, Simon, Schulli, Tobias, Durand, Olivier, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Nanostructures et Rayonnement Synchrotron (NRS ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Centre de Nanosciences et Nanotechnologies (C2N (UMR_9001)), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2018

50. Elastic softness of hybrid lead halide perovskites

Author: Ferreira, Afonso, Létoublon, Antoine, Paofai, Serge, Raymond, Stephane, Ecolivet, Claude, Ruffle, Benoit, Cordier, Stéphane, Katan, Claudine, Saidaminov, Makhsud, Bakr, Osman, Even, Jacky, Bourges, Philippe, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Magnétisme et Diffusion Neutronique (MDN), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Laboratoire Léon Brillouin (LLB - UMR 12), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Saclay, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences
Abstract: National audience; Much recent attention has been devoted towards unraveling the microscopic optoelectronic properties of hybrid organic-inorganic perovskites. Here we investigate by coherent inelastic neutron scattering spectroscopy and Brillouin light scattering, low frequency acoustic phonons in four different hybrid perovskite single crystals: MAPbBr_{3}, FAPbBr_{3}, MAPbI_{3}, and α-FAPbI_{3} (MA: methylammonium, FA: formamidinium). We report a complete set of elastic constants characterized by a very soft shear modulus C_{44}. Further, a tendency towards an incipient ferroelastic transition is observed in FAPbBr_{3}. We observe a systematic lower sound group velocity in the technologically important iodide-based compounds compared to the bromide-based ones. The findings suggest that low thermal conductivity and hot phonon bottleneck phenomena are expected to be enhanced by low elastic stiffness, particularly in the case of the ultrasoft α-FAPbI_{3}.
Published: 2018

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