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1. Investigation of structural and mechanical properties of BioCaCO3-LDPE composites

Author: Daniel Chateigner, Şerife Pınar Yalçın, Sophie Eve, Stéphanie Gascoin, Loïc Le Pluart, Harran University, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de chimie moléculaire et thioorganique (LCMT), Normandie Université (NU)-Institut Normand de Chimie Moléculaire Médicinale et Macromoléculaire (INC3M), Normandie Université (NU)-Université Le Havre Normandie (ULH), Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Le Havre Normandie (ULH), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Normand de Chimie Moléculaire Médicinale et Macromoléculaire (INC3M), Institut de Chimie du CNRS (INC)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Le Havre Normandie (ULH), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: CaCO3filler, Materials science, Combined Analysis, Mechanical properties, 02 engineering and technology, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 010402 general chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, 0104 chemical sciences, Coating, Low-density polyethylene, [CHIM.POLY]Chemical Sciences/Polymers, Mollusk Shell, Composite material, 0210 nano-technology, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience; The three different Mollusk shells, Pecten maximus, Crepidula fornicata andCrassostrea gigas, were studied and compared with synthetic and commercial powders. All samples were analysed by X-ray diffraction, Quantitative phase analysis, and quantitative line broadening (microstructure) analysis using the Combined Analysis method. LDPE-CaCO3 composites were prepared in a twin screw extruder in the composition range of 0–10.8 filler content. Ultimate Mechanical properties of dog-bone type injection molded tensile specimens (ISO-527-2-5A) were measured.Results areshowingthatthe biogenic calcium carbonate is less efficient in improving polyethylene stiffness than the synthetic ones, independently of its crystalline form, to use stearic acid coating allows an improvement of the matrix stiffening. The yield strength is unchanged whatever the kind of filler used, which makes shell spares valid for reuse in polymer industry.
Published: 2019

2. TEM analysis of the deformation microstructure of polycrystalline cobalt plastically strained in tension

Author: Eric Hug, Bernard Viguier, Gwendoline Fleurier, František Chmelík, Mayerling Martinez, Michal Knapek, Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS (FRANCE), Ecole Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen - ENSICAEN (FRANCE), Institut National Polytechnique de Toulouse - Toulouse INP (FRANCE), Université Toulouse III - Paul Sabatier - UT3 (FRANCE), Université de Caen Basse-Normandie (FRANCE), Charles University (CEZCH REPUBLIC), Centre Interuniversitaire de Recherche et d'Ingénierie des Matériaux - CIRIMAT (Toulouse, France), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Charles University [Prague] (CU), Centre interuniversitaire de recherche et d'ingenierie des matériaux (CIRIMAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Twinning, Materials science, Matériaux, Hexagonal close packed structure, Dislocations, 02 engineering and technology, Work hardening, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 0103 physical sciences, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, General Materials Science, Polycrystalline cobalt, Composite material, Tensile testing, 010302 applied physics, Mechanical Engineering, Metallurgy, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Microstructure, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Electron diffraction, Deformation mechanism, Mechanics of Materials, Deformation (engineering), Dislocation, 0210 nano-technology, Crystal twinning, Transmission electron microscopy
Abstract: International audience; The microstructure evolution of hexagonal close-packed cobalt at different stages of work hardening has been studied. The deformation microstructure of polycrystalline samples upon a tension test was investigated by Transmission Electron Microscopy (TEM). Corresponding straining mechanisms were also identified by acoustic emission measurements. It was shown that dislocation glide is the predominant deformation mechanism during the first stage of plastic deformation, while twinning becomes the prominent strain accommodation mechanism in the later stage. A detailed TEM study using electron diffraction allowed identifying different types of twins activated during tensile testing. Four single twinning modes were identified, from which two types correspond to tensile strain and two types to compressive strain (with respect to the c direction), double twins were also observed. A relative importance of various systems is estimated and it is shown that the vast majority of twins correspond to the 101¯2 twinning system.
Published: 2017

3. Représentativité des essais de vieillissement accélérés dans le cas des composites biosourcés incorporant des fibres végétales

Author: Gomina, Moussa, Rouch, Matthias, Roy, Annette, Duriatti, Davy, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], RESCOLL (FRANCE), GROUPE DEPESTELE, École Nationale Supérieure d'Arts et Métiers (ENSAM) - Bordeaux, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et d'Aérotechnique [Poitiers] (ISAE-ENSMA), Sciencesconf.org, CCSD, and GOMINA, Moussa
Subjects: [CHIM.MATE] Chemical Sciences/Material chemistry, endommagements, Biocomposites, natural aging, fibre de lin, vieillissement accéléré ou naturel, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [SPI.MECA.MSMECA]Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Materials and structures in mechanics [physics.class-ph], mechanical properties, flax fiber, [SPI.MECA.MSMECA] Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Materials and structures in mechanics [physics.class-ph], accelerated aging, propriétés mécaniques, Composite biosourcé, damage, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: We have investigated the mechanisms of accelerated aging (immersion in water at 23°C or 70°C) and natural aging (exposure to weather for 24 months) of flax fiber rovings, unsaturated polyester and the resulting composite made by infusion. The correlation of these results is used to check if the usual accelerated aging tests developed for synthetic fiber-reinforced polymers are suitable for plant fiber-reinforced composites in the long term. The role of bark residues appears crucial for the durability of plant fiber biocomposites., Nous étudions les mécanismes de vieillissement accéléré (immersion dans l’eau portée à 23°C ou 70°C) et de vieillissement naturel (exposition aux intempéries pendant 24 mois) de mèches de fibres de lin, d’un polyester insaturé et du composite résultant fabriqué par infusion. La corrélation de ces résultats est utilisée pour évaluer si les conditions hygrothermiques usuelles de vieillissement des composites à fibres synthétiques sont encore adaptées pour prévoir le comportement de ces biocomposites sur le long terme. Le rôle des résidus d’écorces apparaît crucial pour la durabilité des biocomposites à fibres végétales.
Published: 2019

4. Applied TRL Calibration Method to Differential Devices Ebedded in a Test Board

Author: Philippe Descamps, Kassem Hamze, Daniel Pasquet, Edouard De Ledinghen, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Presto Engineering Europe (FRANCE)
Subjects: Standards, TRL, Test board, Calibration (statistics), Computer science, Wireless communication, Pins, Microwave theory and techniques, Electronic engineering, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Wireless, [CHIM]Chemical Sciences, Network analyzers, Differential (infinitesimal), DUT, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, business.industry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Transmission line matrix methods, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Network analysers, Calibration, business, Differentiat
Abstract: International audience; This paper shows the VNA calibration for a DUT with a differential input and a single output embedded into a measurement board. Simulations have validated the concept. © 2019 IEEE.
Published: 2019

5. Sintering behavior of magnesium aluminate spinel MgAl 2 O 4 synthesized by different methods

Author: Basamat Jaber, Jacques G. Noudem, Badis Bendjemil, Mohamed Mouyane, David Houivet, Jérôme Bernard, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), Département de Génie Mécanique de l'ENSICA (DGM), ENSICA, Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Université du 8 Mai 1945 [Guelma, Algérie], Université Badji Mokhtar Annaba (UBMA), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Nanoparticle, Sintering, 02 engineering and technology, magnesium aluminate oxide spinel, engineering.material, Combustion, 01 natural sciences, law.invention, milling process, law, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Calcination, Cubic zirconia, Ceramic, flash combustion, 010302 applied physics, Marketing, Spinel, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Microstructure, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Chemical engineering, x-ray diffraction, visual_art, Ceramics and Composites, visual_art.visual_art_medium, engineering, 0210 nano-technology, solid-state route
Abstract: International audience; This paper is focusing basically on the ceramic technology, of which several methods for the synthesis of MgAl 2 O 4 have been investigated. The synthesis conditions regarding the powders cleanliness, microstructure, and sintering parameters of MgAl 2 O 4 were studied. MgAl 2 O 4 powder was synthesized via conventional solid-state route using different milling process vertical attrition milling, WAB as a high-energy horizontal attrition milling, and Pulverisette as a planetary ball miller, and via solution combustion route using Urea, Glycine, and a mixture of Urea/Glycine. Urea and Glycine was used as fuel. The white powders were obtained for all solid-state routes and for Urea-combustion technique. The black and gray powders were obtained in the case of combustion technique, respectively, using a fuel of Glycine and Glycine/Urea mixture. The obtained powders and pellets were characterized by XRD, SEM, and Dilatometry. The results show that, among all the solid-state route processes, wet attrition milling gives the better and clean spinel phase. The WAB milling and Pulverisette miller introduce a contamination by some yttria-stabilized zirconia balls in the corresponding powder. Furthermore, the flash combustion technique permit to have nanoparticles with a dense spinel phase of MgAl 2 O 4 and with lower sintering temperature in less time and with no calcination step. © 2019 The American Ceramic Society
Published: 2019

6. Probing the growth window of LaVO3 perovskites thin films elaborated using magnetron co-sputtering

Author: Fabien Capon, Emile Haye, Stéphanie Bruyère, Christophe Celindano, Alexis Boileau, Pascal Boulet, Silvère Barrat, Sylvie Migot, Sandrine Mathieu, Patrice Miska, Institut Jean Lamour (IJL), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lorraine (UL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Namur [Namur] (UNamur), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lorraine (UL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Geography, University of Namur, Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)
Subjects: Materials science, Analytical chemistry, Vanadium, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Perovskite, 7. Clean energy, 01 natural sciences, Vanadium oxide, chemistry.chemical_compound, X-ray photoelectron spectroscopy, Lanthanum oxide, Sputtering, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, Lanthanum, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Thin film, Perovskite (structure), 010302 applied physics, Process Chemistry and Technology, Oxide, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, chemistry, Ceramics and Composites, Vanadate, 0210 nano-technology, Crystallization
Abstract: LaVO3 is a promising material for tuning and improving solar cell performances when modifying the La/V stoichiometry. However, the production of LaVO3 thin films still requires a complex process (MBE, PLD), and the growth window of LaVO3 structure in terms of La/V ratio, already defined in the literature using hybrid-MBE is not determined for elaboration based on magnetron co-sputtering of both vanadium and lanthanum targets followed by an external reducing annealing that we use here. La/V ratio has been varied from 0.52 to 1.68 by changing the power applied to the vanadium target in order to synthesize films with different La/V ratios. The off-stoichiometry growth window has been investigated by complementary methods (XRD, XPS, FTIR and TEM). X-ray diffraction highlights the LaVO3 structure for all the films. For La-rich samples (La/V ratio >1.2), the formation of lanthanum oxide La2O3 is observed at the top surface and interface with the substrate, according to XPS, FTIR and TEM investigations. On the other hand, for V-rich samples, only a slight modification of the structure is observed below the La/V ratio = 0.6; with the presence of a new IR vibration mode corresponding to a small contribution of vanadium oxide(s) present in volume. Our study allows a better definition of the LaVO3 growth window in terms of La/V ratio, estimated from 0.6 to 1.2.
Published: 2019

7. Coherent intergrowth of simple cubic and quintuple tetragonal perovskites in the system Nd2−Ba3+(Fe,Co)5O15−

Author: Vladimir A. Cherepanov, N.E. Volkova, Asish K. Kundu, Oleg I. Lebedev, Mikhail Yu Mychinko, Ksenia M. Deryabina, Vincent Caignaert, Bernard Raveau, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Ural Federal University [Ekaterinburg] (UrFU), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and UrFU Institute of Natural Sciences and Mathematics
Subjects: Diffraction, Nanostructure, Materials science, Nanoscale ordering, Cubic crystal system, Inorganic Chemistry, Tetragonal crystal system, TheoryofComputation_ANALYSISOFALGORITHMSANDPROBLEMCOMPLEXITY, ComputingMethodologies_SYMBOLICANDALGEBRAICMANIPULATION, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Materials Chemistry, [CHIM]Chemical Sciences, Antiferromagnetism, Physical and Theoretical Chemistry, Perovskite (structure), Antiferromagnetic ordering, Quintuple perovskites, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Crystallography, X-ray crystallography, Ceramics and Composites, Cobalto ferrites, Crystal twinning, MathematicsofComputing_DISCRETEMATHEMATICS
Abstract: International audience; Abstract Investigation of the Nd2-εBa3+ε(Fe,Co)5O15-δ system, combining X-ray diffraction and electron microscopy, has allowed a tetragonal quintuple ordered perovskite "ap×ap×5ap" phasoid inter-grown within a single cubic perovskite matrix to be evidenced for ε=0. This nanoscale chemically twinned perovskite is compared with other members, Ln=Sm, Eu, Pr. The unusual long range ordering of the layers develops strains due to size mismatch between Ba2+ and Ln3+ cations. Importantly, two factors allow the strains to be decreased (i) special intergrowths of double (LnBaFe2O6-δ) and triple (LnBa2Fe3O9-δ) perovskite ribbons/layers oriented at 90°, (ii) nanoscale chemical twinning. The spin locking effect of the nano-domain boundaries upon the magnetic properties of these perovskites is discussed. © 2015 Elsevier Inc.
Published: 2015

8. Analysis of Nuclei in a Heavy-Section Nodular Iron Casting

Author: Bernadette Domengès, Mayerling Martinez Celis, Jacques Lacaze, Eric Hug, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Presto Engineering Europe, NXP Semiconductors [France], Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Centre interuniversitaire de recherche et d'ingenierie des matériaux (CIRIMAT), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Presto Engineering Europe (FRANCE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS (FRANCE), Ecole Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen - ENSICAEN (FRANCE), Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT (FRANCE), NXP Semiconductors (FRANCE), Université Toulouse III - Paul Sabatier - UT3 (FRANCE), Université de Caen Basse-Normandie (FRANCE), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs - LAMIPS (Caen, France), and Institut National Polytechnique de Toulouse - Toulouse INP (FRANCE)
Subjects: Materials science, Matériaux, Nucleation, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 020501 mining & metallurgy, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Nodular cast iron, medicine, General Materials Science, [SPI.GPROC]Engineering Sciences [physics]/Chemical and Process Engineering, Graphite, Génie des procédés, Eutectic system, Magnesium, Mechanical Engineering, Metallurgy, Late stage, Nodule (medicine), Condensed Matter Physics, Microstructure, Nuclei, 0205 materials engineering, chemistry, Mechanics of Materials, Casting (metalworking), Heavy section casting, medicine.symptom
Abstract: International audience; The microstructure of heavy section nodular graphite cast irons often presents a bimodal distribution of nodule size associated with so-called primary and secondary graphite nucleation. It has been found that the nuclei in both types of nodules consist mainly in magnesium sulphide. However, nuclei in primary nodules contain some traces of calcium and are thus related with the inoculation treatment. On the contrary, nuclei in secondary nodules do not contain any element that could be associated to inoculation. It is suggested they form in the late stage of the eutectic reaction as a result of microsegregation build-up in magnesium and sulphur.
Published: 2018

9. Bonding-Wire-Geometric-Profile-Dependent Model for Mutual Coupling Between Two Bonding Wires on a Glass Substrate

Author: Pierre Nicole, Dominique Lesenechal, Thanh Vinh Dinh, Philippe Descamps, Julien Pagazani, Gaelle Lissorgues, Daniel Pasquet, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (IRSEEM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES, Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES [France], Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other, Wire bonding, Materials science, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), Electromagnetic simulation, Industrial and Manufacturing Engineering, Kinetic inductance, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Chip scale packaging, Bonding wire (BW), Dependent model, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Bonding processes, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Electrical and Electronic Engineering, Inductance, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, glass, Coupling, Bonding, Wire (electric), Substrates, Condensed matter physics, mutual coupling, 020208 electrical & electronic engineering, 020206 networking & telecommunications, Wires, electromagnetic (EM) modeling, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, inductance formula, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Integrated circuit modeling, Mutual coupling
Abstract: International audience; The dependence of self-inductance and mutual inductance on bonding wire (BW) geometric profile has been studied in several papers. This paper will present a method using a BW-geometric-profile-dependent term to include this dependence in a simple model of BWs. The model element values will be calculated only from geometric dimensions. An experimental structure of two BWs in parallel planes has been fabricated based upon glass substrate technique for verification. A good agreement was obtained up to 8 GHz in comparison to electromagnetic simulation and measurement.
Published: 2015

10. The solid solution series Tl(V1−xCrx)5Se8: crystal structure, magnetic and thermoelectric properties

Author: Raghavendra Nunna, David Berthebaud, Sylvie Hébert, Franck Gascoin, Arthur Mar, Stefan A. Maier, Robin Lefèvre, Xinsong Lin, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), University of Alberta, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Effective magnetic moments, Materials science, Spin glass, Thermoelectric equipment, Single-crystalline, Crystal structure, Ferromagnetic component, Spin frustrations, Selenium compounds, Paramagnetism, Electrical resistivity and conductivity, Seebeck coefficient, Thermoelectric effect, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Materials Chemistry, Low temperatures, [CHIM]Chemical Sciences, Spin-glass phase, Magnetic moment, Magnetism, Temperature, Crystalline materials, Transition metals, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, General Chemistry, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Crystallography, Hollandite type structures, Thermoelectric properties, Magnetic moments, Single crystals, Solid solutions, Single crystal
Abstract: International audience; The crystal structure of single crystalline members of the solid solution series Tl(V1-xCrx)5Se8 (x = 0-1 and Δx = 0.2) was determined and the magnetic and thermoelectric properties of bulk TlV5Se8 were investigated. All compounds crystallize in the pseudo-hollandite-type structure (C2/m) with a nonlinear increase in the unit cell volume due to a simultaneous increase/decrease in the transition metal distances across the edge/face-sharing octahedra. A slight Tl deficiency was found for single crystalline TlV5Se8 and Tl(V0.8Cr0.2)5Se8 as well as for bulk TlV5Se8 according to Rietveld and single crystal structure refinements. The metallic character of bulk TlV5Se8 and its low electrical resistivity compared to poly- and single-crystalline TlCr5Se8 can probably be associated with this probable Tl deficiency. In TlV5Se8, anomalies in the low temperature Seebeck coefficient, i.e. a maximum at T ∼ 14 K and two sign changes at T ∼ 47 K and T ∼ 167 K, were found. Bulk TlV5Se8 is a highly frustrated (f = /TN ≈ 42 K) Curie-Weiss paramagnet ordering antiferromagnetically ( = -1287 K) below TN ≈ 31 K with an effective magnetic moment of μ = 2.68 μB corresponding to V3+. Low-field M(H) measurements revealed the existence of a small ferromagnetic component below TN in bulk TlV5Se8 and, despite the observed spin frustration, no spin glass phase was found in this compound. © 2015 The Royal Society of Chemistry.
Published: 2015

11. Microwave sintering of Ge-doped In2O3 thermoelectric ceramics prepared by slip casting process

Author: Sylvain Marinel, Ryoji Funahashi, Etienne Savary, Rudi Cloots, Emmanuel Guilmeau, Frédéric Boschini, Emmanuel Combe, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Chimie Inorganique Structurale, Université de Liège, University of Liege, Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Group of Research in Energy and ENvironment from MATerials (GREENMAT), Laboratoire des Matériaux Céramiques et Procédés Associés - EA 2443 (LMCPA), Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), and Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France)
Subjects: Materials science, Sintering, Microwave sintering, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Slip (ceramics), Electrical resistivity and conductivity, Condensed Matter::Superconductivity, 0103 physical sciences, Thermoelectric effect, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Materials Chemistry, [CHIM]Chemical Sciences, Ceramic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, Metallurgy, Thermoelectricity, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Casting, Grain size, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Grain growth, visual_art, Ceramics and Composites, visual_art.visual_art_medium, Slip casting, Ge doped indium oxide, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; Ge doped In2O3 bulks were prepared by dry uniaxial compaction or slip casting shaping methods followed by a conventional or microwave sintering. Density of slip casted Ge doped In2O3 samples after conventional sintering reaches bulk density close to the theoretical one thanks to an optimized particles arrangement in the slip casted green bulks. Combined with a fast microwave sintering, slip casted bulks possess submicrometer grain size due to limited grain growth. A significant decrease of the electrical resistivity has been measured in slip casted samples sintered by conventional heat treatment. In bulk specimens sintered by microwave heating, a simultaneous increase of electrical resistivity and decrease of the thermal conductivity is observed. From room temperature to 1000K in air, slip casted samples sintered by conventional or microwave sintering exhibit similar thermoelectric figure of merit (ZT) values. © 2014 Elsevier Ltd.
Published: 2015

12. Influence d'un vieillissement hygrothermique sur la morphologie et sur les propriétés mécaniques d'un composite bio-sourcé : polyester insaturé-fibres de lin

Author: Rouch, Matthias, Gomina, Moussa, Alise, Gaëlle, Duriatti, Davy, Roy, Annette, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, RESCOLL (FRANCE), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GROUPE DEPESTELE, and École des Ponts ParisTech (ENPC)
Subjects: Water uptake, Fibre de lin, Flax fiber, Vieillissement hygrothermique, Composite bio-sourcé, Hygrothermal ageing, Propriétés mécaniques, Mechanical properties, Sorption d’eau, Bio-sourced Composite, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; Hygrothermal ageing and durability are major concerns for the use of plant fiber composites. This paper aims at investigatingthe effectsof hygrothermal ageing on the physical and mechanical properties of unidirectional flaxfiber composites (UD-FFC). Water absorption behavior and the induced swelling were investigatedby immersing UD-FFC in distilled water at 23°Cor70°C. The results show a drasticinfluence of the fibers on the water sorption and induced swelling.The increase involumeis governed by the swelling in the plane transverse to the direction of the fibers. At 70°C, the increases of water uptakeand swelling vs. time are followed by marked falls due tothe degradation of pectins, hemicellulosesand primary wallof the fiber. Damage generated after immersion at 70°C is accompanied by significant reductions of the mechanical properties(-20%), which is not the case after ageing at 23°C.; L’étude du vieillissement hygrothermique et de la durabilité est unepréoccupation majeure pour l’utilisation fiable des composites renforcés par des fibres naturelles. Cet article abordel’influence du vieillissement hygrothermique sur les propriétés physiques et mécaniques d’un polyester insaturé renforcé par des fibres unidirectionnelles de lin. Une étude de l’absorption d’eau et du gonflement induit a préalablement été menée en immergeant les matériaux dans de l’eau distillée à 23°C ou 70°C. Les résultats de l’absorption d’eau indiquent que la présence des fibres augmente considérablement la quantité d’eau absorbée etle gonflementest exacerbé. Le gonflement volumique total du composite est régipar le comportement hydrique des fibres dans le plan transverse. Suite à l’immersion dans l’eau à70°C,le gonflement qui s’ensuit augmente dans un premier temps puis diminue essentiellement du fait de ladégradationdes fibres: dégradation des pectines, des hémicelluloseset de la paroi primaire. Cela se traduit par des abattements des propriétés mécaniques(-20%)qui ne sont pas observés après unvieillissement enimmersion à 23°C.
Published: 2017

13. Accurate modelling and optimization of inhomogeneous substrate related losses in SPDT switch IC design for WLAN applications

Author: Fadoua Gacim, Philippe Descamps, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Hanke, A, Mehta, S, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Engineering, Inhomogeneous substrate modelling, Substrate coupling, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Design flow, 02 engineering and technology, Substrate (printing), Integrated circuit design, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Deep Trench Isolation, Finite element method, SPDT, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, RF switch, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Radio frequency, business, Test data
Abstract: International audience; This paper teaches the way to achieve an optimum substrate isolation in RF switch design thanks to Deep Trenches Isolation (DTI). The role of Deep Trench Isolation in substrate coupling around active blocks is analysed in link to its ability to break the conductive buried layers in the substrate. Then, an accurate modelling approach based on quasi-static approach developed for inhomogeneous substrate is investigated. The efficiency of this methodology is first demonstrated thanks to a comparison with a standard numerical method based on FEM (Finite Element Method). Then, experiments data are provided to support this theoretical analysis. The methodology is fully integrated in a commercial design flow and offers a perfect trade-off between accuracy and run time simulation. From available test data on single device and a full SP3T, a correlation better than 0.1dB is obtained between simulation and measurement up to 8 GHz.
Published: 2017

14. Influence of friction stir welding parameters on titanium-aluminum heterogeneous lap joining configuration

Author: Florent Picot, Eric Hug, Antoine Gueydan, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, SOMINEX, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Dermot Brabazon, Sumsun Naher, Inam UI Ahad (Eds), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Scanning electron microscope, Friction Stir Welding, Intermetallic, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Welding, 01 natural sciences, law.invention, law, Aluminium, 0103 physical sciences, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Friction stir welding, Titanium, 010302 applied physics, Metallurgy, Rotational speed, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, chemistry, Energy dispersive spectrometry, Intermetallic compounds, 0210 nano-technology, Aluminum
Abstract: Lap joining configuration for Friction Stir Welding process is a methodology mostly dedicated to heterogeneous bonding. This welding technology was applied to join pure titanium with pure aluminum by varying the rotation speed and the movement speed of the tool. Regardless of the process parameters, it was found that the maximum strength of the junction remains almost constant. Microstructural observations by means of Scanning Electron Microscopy and Energy Dispersive Spectrometry analysis enable to describe the interfacial join and reveal asymmetric Cold Lap Defects on the sides of the junction. Chemical analysis shows the presence of one exclusive intermetallic compound through the interface identified as TiAl3. This compound is responsible of the crack spreading of the junction during the mechanical loading.The original version of this article supplied to AIP Publishing contained an accidental inversion of the authors, names. An updated version of this article, with the authors names formatted correctly was published on 20 October 2017.Lap joining configuration for Friction Stir Welding process is a methodology mostly dedicated to heterogeneous bonding. This welding technology was applied to join pure titanium with pure aluminum by varying the rotation speed and the movement speed of the tool. Regardless of the process parameters, it was found that the maximum strength of the junction remains almost constant. Microstructural observations by means of Scanning Electron Microscopy and Energy Dispersive Spectrometry analysis enable to describe the interfacial join and reveal asymmetric Cold Lap Defects on the sides of the junction. Chemical analysis shows the presence of one exclusive intermetallic compound through the interface identified as TiAl3. This compound is responsible of the crack spreading of the junction during the mechanical loading.The original version of this article supplied to AIP Publishing contained an accidental inversion of the aut...
Published: 2017

15. Charge ordering and multiferroicity in Fe3BO5 and Fe2MnBO5 oxyborates

Author: A. Guesdon, Christine Martin, A. Maignan, Sylvie Malo, F. Lainé, Françoise Damay, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Laboratoire Léon Brillouin (LLB - UMR 12), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), French-Romanian project ANR-UEFISCDI [8 RO-FR/01.01.2013, PN-II-ID-JRP-2011-2-0056/ANR-12-IS08-0003], COFeIn, École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Saclay, Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Magnetism, 02 engineering and technology, Dielectric, Crystal structure, 01 natural sciences, Inorganic Chemistry, Charge ordering, Transition metal, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Antiferromagnetism, [CHIM]Chemical Sciences, Physical and Theoretical Chemistry, 010306 general physics, Multiferroism, Condensed matter physics, Oxide, Oxyborate, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Pyroelectricity, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Crystallography, Ceramics and Composites, 0210 nano-technology, Superparamagnetism
Abstract: The comparison of Fe 3 BO 5 and Fe 2 MnBO 5 reveals that the 2Fe 2+ : Fe 3+ charge ordering of the former is suppressed in the latter. Spin dynamics probed by ac susceptibility are strongly affected by the substitution, inducing superparamagnetism at low temperature in Fe 2 MnBO 5 . Interestingly, for both oxyborates, glassiness is observed in the dielectric properties at low temperature, but only Fe 3 BO 5 shows a magnetodielectric effect close to its lower magnetic transition. A change in the electrical polarization, measured by pyroelectric current integration, is observed in Fe 3 BO 5 and is even more pronounced in Fe 2 MnBO 5 . Such results suggest that these oxyborates behave like antiferromagnetic relaxor ferroelectrics. These features are proposed to be related to the distribution of the species (Fe 3+ , Fe 2+ and Mn 2+ ) over the four transition metal sites forming the ludwigite structure.
Published: 2017

16. Topochemical Approach for Transition-Metal Exchange Assisted by Copper Extrusion from Cu2FeBO5 to Fe3BO5

Author: Antoine Maignan, Christine Martin, Fabien Lainé, Anne Guesdon, Oleg I. Lebedev, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), joint French Romanian COFeIn project ANR- EFISCDI [8 RO-FR/01.01.2013, PN-II-ID-JRP-2011-2-0056/ANR-12-IS08-0003], Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe
Subjects: Physical and chemical processes, Annealing (metallurgy), chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, engineering.material, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, Oxygen, Inorganic Chemistry, Metal, Transition metal, Oxidizing agent, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Physical and Theoretical Chemistry, Chemistry, Reducing atmosphere, Metallurgy, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Copper, 0104 chemical sciences, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Chemical engineering, visual_art, visual_art.visual_art_medium, engineering, 0210 nano-technology, Ludwigite, Transmission electron microscopy
Abstract: International audience; All fields of today's technology are concerned with multifunctional materials, the subject of constantly expanding research. Among them, metal transition oxides occupy a strategic place because of the properties directly correlated with metal valence linked with oxygen stoichiometry. To enhance or induce new properties, knowledge of the relationships between the structural and physical characteristics is of prime importance, but a design at low scale also appears to be a powerful tool to increase the chemical reactivity and stabilize new compounds. Herein, an unexpected reaction is reported that associates the exchange of copper and iron in a 3D ludwigite lattice with the huge release of oxygen (14% by weight) at moderate temperature (
Published: 2017

17. Linear, Hypervalent Se-3(4-) Units and Unprecedented Cu4Se9 Building Blocks in the Copper(I) Selenide Ba4Cu8Se13

Author: Sylvie Hébert, David Berthebaud, Denis Pelloquin, Franck Gascoin, Olivier Perez, Stefan A. Maier, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), french 'Agence Nationale de la Recherche' (ANR) through the program 'Investissements d'Avenir', LabEx EMC3 [ANR-10-LABX-09-01], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]
Subjects: Diffraction, Physical and chemical processes, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Crystal structure, Metal clusters, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, Inorganic Chemistry, chemistry.chemical_compound, Planar, Group (periodic table), Selenide, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Physical and Theoretical Chemistry, Hypervalent molecule, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Copper, 0104 chemical sciences, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Crystallography, chemistry, Thermal conductivity, Crystallite, Layers, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; Single-crystal and polycrystalline Ba4Cu8Se13 were synthesized; the average crystal structure was solved by single-crystal X-ray diffraction, and the structural model was confirmed by a detailed electron microscopy study of polycrystalline Ba4Cu8Se13. The title compound can be rationalized as (Ba2+)(4)(Cu+)(8)(Se2-)(2)(Se-2(2-))(4)(Se-3(4-)) and crystallizes in a new structure type (space group C2/c with a = 9.171(8) angstrom, b = 9.146(8) angstrom, c = 27.35 (3) angstrom, beta = 93.21(3)degrees, and V = 2291 angstrom(3). It contains unprecedented Cu4Se9 fragments with planar Cu rectangles. These fragments form two-dimensional layers via regular (2c-2e) Se-Se bonds. Two of these layers are then connected in the third dimension via linear, hypervalent Se-3(4-) units, resulting in "sandwichlike", layered building blocks, which are stacked along c and separated by Ba. Ba4Cu5Se13 is the first example-where Se-2(2-) and Se-3(4-) groups coexist. We were able to visualize the crystal structure by recording HAADF images, which clearly reveal the Cu4Se9 fragments and linear Se-3(4-) units. The title compound is a charge-balanced semiconductor and possesses a large Seebeck coefficient (380 mu V K-1 at 200 K) and a low thermal conductivity (0.77 W m(-1) K-1 at 200 K) two requirements for efficient thermoelectric materials.
Published: 2017

18. Revisiting Hollandites Channels Filling by Main-Group Elements Together with Transition Metals in Bi2-yVyV8O16

Author: S. Hébert, Christine Martin, A. Maignan, Arkady V. Krasheninnikov, V. Roddatis, Stuart Turner, Yuri Grin, O. I. Lebedev, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Georg-August-University [Göttingen], University of Antwerp (UA), Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), Aalto University, Academy of Finland [286279], Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Increase Competitiveness Program of NUST 'MISiS' [K2-2015-033], CSC-IT Center for Science Ltd., Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Georg-August-University = Georg-August-Universität Göttingen, National University of Science and Technology (MISIS), Max-Planck-Institut für Chemische Physik fester Stoffe (CPfS), and Max-Planck-Gesellschaft
Subjects: Materials science, General Chemical Engineering, Vanadium, chemistry.chemical_element, Mineralogy, 02 engineering and technology, DFT calculations, 01 natural sciences, Quantum mechanics, Ion, Transition metal, Oxidation state, Electrical resistivity and conductivity, Hollandite, Seebeck coefficient, Cations, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, hollandites, [CHIM]Chemical Sciences, Scanning transmission electron microscopy, 010306 general physics, defects, Condensed matter physics, ta114, Physics, General Chemistry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Chemistry, chemistry, TEM, Crystallite, 0210 nano-technology, Transmission electron microscopy
Abstract: International audience; Starting from the nominal BixV8O16 formula, we have performed a stateof-the-art transmission electron microscopy investigation to propose a new Bi2-yVyV8O16 chemical formula for this hollandite structure. This results from the filling of the channels by main-group elements together with vanadium (V5+) species, with a variable content of Bi and V inside the channels. The influence of the Bi content and of this local disorder on the magnetic and transport properties has been investigated in polycrystalline samples of BixV8O16 with nominal x = 1.6 and x = 1.8 compositions. The rather x-independent electrical resistivity (approximate to 5 m Omega cm) and Seebeck coefficient at high T (-35 mu V K-1 at 900 K) are discussed in terms of an unchanged V oxidation state resulting from the filling of the wide channels with Bi and V. It is proposed that this local disorder hinders the charge/orbital setting below 60 K on the V ions of the V8O16 framework. Hollandites exhibit complex electronic and magnetic properties and have potential applications in the fields of batteries, photocatalysis, and nuclear waste storage, and these results show that a careful and detailed investigation of the nature and content of the cations inside the channels is crucial for improving our understanding of the impact of doping and disorder on their properties.
Published: 2017

19. Détection des états de surface à l’interface Si/SiO2 par balayages successifs en mode SSRM

Author: Germanicus, Rosine Coq, Leclère, P., Guhel, Yannick, Boudart, B., Descamps, Philippe, HUG, Eric, Eyben, P, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Mons (UMons), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), and BOUDART, Bertrand
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2016

20. Experimental characterization of packaged switch devices for RF and millimeter-Wave applications

Author: Dominique Lesenechal, Philippe Descamps, Sidina Wane, Thanh Vinh Dinh, Daniel Pasquet, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), NXP Semiconductors [France], Mehta S.Lin L., Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, 02 engineering and technology, Broadband, Chip-Package-PCB Co-Design, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Insertion loss, Package/Board Deembedding, [CHIM]Chemical Sciences, Microelectromechanical systems, multi-port measurement, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Electrical engineering, Linearity, 020206 networking & telecommunications, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Plastic molding, Characterization (materials science), switches, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, MEMS, Power consumption, Circuit testing, Extremely high frequency, business
Abstract: International audience; In this paper we present experimental characterization of packaged switch devices in terms of their RF attributes isolation, insertion loss, power consumption, and linearity. Packaging and Board assembly significantly reduce their RF and mm-Wave performances. A broadband experimental setup is developed for the qualification of packaged switch devices accounting for deembedding effects both with on-board/on-package and on-chip probing. Module-based switch devices have been measured then, plastic molding, Si cap, and bonding wires have been sequentially removed to investigate their influences. Different challenges with packaged switch devices are identified and effective solutions are proposed for their qualification. © 2016 IEEE.
Published: 2016

21. Microwave synthesis & sintering of Sm and Ca co-doped ceria ceramics

Author: Rainer Schmidt, Jesús Prado-Gonjal, Romain Heuguet, Emilio Morán, Sylvain Marinel, Daniel Muñoz-Gil, Alberto Rivera-Calzada, Departamento de Fisica Aplicada III, Escuela Superior de Ingenieros, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Departamento de Química Inorgánica, Departamento de Quimica Inorganica I, Universidad Complutense de Madrid = Complutense University of Madrid [Madrid] (UCM), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe
Subjects: Materials science, Oxide, Energy Engineering and Power Technology, Sintering, 02 engineering and technology, Conductivity, 7. Clean energy, chemistry.chemical_compound, Ceria, Electrical resistivity and conductivity, Electrolyte, 0502 economics and business, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Ceramic, 050207 economics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, IT-SOFC, Renewable Energy, Sustainability and the Environment, 05 social sciences, Metallurgy, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Microstructure, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Fuel Technology, Oxygen ion conductivity, Chemical engineering, chemistry, visual_art, visual_art.visual_art_medium, Grain boundary, Electrónica, Crystallite, Electricidad, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; In this work we report on the combined use of microwave (MW) heating sources for the powder synthesis and the ceramic sintering of Sm and Ca co-doped ceria Ce0.8Sm0.18Ca0.02O1.9 polycrystalline materials for potential application as an electrolyte in intermediate-temperature solid oxide fuel cells (IT-SOFCs). We investigate the crystal structure, ceramic microstructure and the oxygen ion conductivity in detail and compare the latter to conventionally sintered ceramics. MW sintering of ceramic pellets leads to only slightly increased resistivity as compared to conventional sintering, but offers massive energy and time savings for potential industrial production processes. Exceptionally high oxygen ion conductivity without any significant electronic contribution was found in MW synthesized and MW sintered pellets, where the total resistivity, composed of grain boundary and bulk contributions, was found to be in the range of 0.5-1 kΩ at 500 °C. Sm- and Ca co-doped ceria may be well-suited for electrolyte materials in IT-SOFCs. © 2015 Hydrogen Energy Publications, LLC.
Published: 2015

22. SiGe heterojunction bipolar phototransistor for optics–microwaves interfacing

Author: Daniel Pasquet, Bruno Delacressonnière, Pierre Lecoy, Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]
Subjects: Materials science, SiGe, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, 02 engineering and technology, Photodetection, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Capacitance, law.invention, Responsivity, Radio over fiber, law, 0103 physical sciences, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electrical and Electronic Engineering, Optical Networks on Chip, Phototransistor, 010302 applied physics, business.industry, 020206 networking & telecommunications, Heterojunction, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Photodiode, Optoelectronics, business, Driven element, Microwave
Abstract: International audience; A new SiGe heterojunction bipolar phototransistor (HPT) based on a commercially available process was designed, realized, and experimentally characterized. Its internal characteristics, mainly the collector-to-base capacitance, vary significantly with the received light power, making it suitable as an active element of a light-controlled photo-oscillator. It can also be a key component of optical network-on-chip (ONoC). Its responsivity was improved and its transition frequency remains in the range of 30 GHz.
Published: 2011

23. Adaptive gain and delay mismatch cancellation for LINC transmitter

Author: Jean-François Bercher, Corinne Berland, Olivier Venard, ESIEE Paris, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Laboratoire d'Informatique Gaspard-Monge (LIGM), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-ESIEE Paris-Fédération de Recherche Bézout-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Fédération de Recherche Bézout-ESIEE Paris-École des Ponts ParisTech (ENPC)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)
Subjects: Adaptive signal processing, Propagation time, Computer science, 02 engineering and technology, Radio transmitters, Signal, Nonlinear distortion, [INFO.INFO-CL]Computer Science [cs]/Computation and Language [cs.CL], 0203 mechanical engineering, Delay estimation, Control theory, Delay filters, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Adaptive algorithm, Power amplifiers, Transmitter, 020302 automobile design & engineering, 020206 networking & telecommunications, Surfaces, Coatings and Films, Adaptive filter, Hardware and Architecture, Signal Processing, Gradient descent, Degradation (telecommunications)
Abstract: Preprint; International audience; Linear amplification with Nonlinear Component (LINC) transmitter architecture is an efficient solution for high efficiency amplification of signals. Nonetheless, this solution suffers both from gain impairment and delay mismatch between the two signal paths. Indeed, a mismatch in propagation time between the paths degrades the quality of the transmit signal but also disrupts the convergence of the gain correction algorithm resulting in a degradation of its performance. In this paper, we present an adaptive algorithm based on a gradient descent formulation for the identification and correction of these delays. We also demonstrate its effectiveness when applied prior to the gain adjustment procedure. The identification approach is preferred here, to ensure monitoring facilities.
Published: 2010

24. Thermoelectric properties of layered Ca3.95RE0.05Mn3O10 compounds (RE=Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy)

Author: Emmanuel Guilmeau, Jacques G. Noudem, S. Lemonnier, Ryoji Funahashi, Christophe Goupil, Laboratoire de Modélisation et Simulation Multi Echelle (MSME), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire d'Ergonomie et de Sciences Cognitives pour les Transports (INRETS/LESCOT), Institut National de Recherche sur les Transports et leur Sécurité (INRETS), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe
Subjects: Materials science, Resistivity, Analytical chemistry, Mineralogy, Sintering, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], Thermal conductivity, Electrical resistivity and conductivity, Seebeck coefficient, 0103 physical sciences, Thermoelectric effect, Materials Chemistry, Figure of merit, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Thermoelectric, [SPI.FLUID]Engineering Sciences [physics]/Reactive fluid environment, Process Chemistry and Technology, Oxides, 021001 nanoscience & nanotechnology, Thermoelectric materials, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [SDE]Environmental Sciences, Ceramics and Composites, Crystallite, Seebeck, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; In this work, polycrystalline samples of the substituted n = 3 Ruddlesden-Popper Ca4−xRExMn3O10 phase were prepared by solid-state reaction (RE, rare earth = Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy). Single phased samples were synthesized for sintering times larger than 150 h at 1350 °C. Complete thermoelectric characterizations were performed from 5 to 390 K, in terms of electrical resistivity (ρ), Seebeck coefficient (S) and thermal conductivity (κ). As expected, the substitution of Ca by different rare earth elements leads to a significant modification of the thermoelectric properties. With substitution level as low as 1.25 at.%, a remarkable decrease of the electrical resistivity is observed. The influence of this cationic substitution on the thermal conductivity (κ), Seebeck coefficient (S), and the figure of merit ZT is also discussed. In this study, the best one reaches 5.8 × 10−3 at 300 K for the Ca3.95Eu0.05Mn3O10 composition, a value 6 times higher than the ZT exhibited by the beginning Ca4Mn3O10 sample.
Published: 2010

25. Microstructure and electrical characterization based on AFM of very high-doped polysilicon grains

Author: K. Danilo, E. Picard, R. Coq Germanicus, Bernadette Domengès, R. Rogel, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Presto Engineering Europe-NXP Semiconductors [France]-Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CentraleSupélec-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Nantes (UN)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Groupe de Microélectronique et Visualisation, Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1)
Subjects: Materials science, Annealing (metallurgy), General Physics and Astronomy, Nanotechnology, 02 engineering and technology, Chemical vapor deposition, 01 natural sciences, Capacitance, ISD polysilicon LPCVD AFM TEM SCM Surface potential C-AFM, 0103 physical sciences, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], Composite material, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Kelvin probe force microscope, Atomic force microscopy, Doping, Surfaces and Interfaces, General Chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Microstructure, Surfaces, Coatings and Films, Transmission electron microscopy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], 0210 nano-technology
Abstract: International audience; In this work, we demonstrate that atomic force microscopy allows topography measurement as well as the local electrical properties of very high-doped polysilicon film prior to any subsequent annealing. AFM and TEM observations showed the columnar microstructure of the polysilicon layer. The electrical effect of this microstructure was characterized using SCM, KFM and C-AFM. Each electric mode gives additional information on the local properties of the polysilicon layer.
Published: 2007

26. A RF tunable Agile Filter: From component to system design

Author: Gaelle Lissorgues, G. Schropfer, A. Mehdaoui, T. Vinh-Dinh, D. Pasquet, Julien Pagazani, Pierre Nicole, Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Coventor, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES, Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES [France], Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Engineering, Micromechanical devices, Resonator filters, Varactors, Hardware design languages, Capacitance, 02 engineering and technology, Radiofrequency filters, law.invention, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Hardware_GENERAL, law, Radio frequency, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Insertion loss, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Microelectromechanical systems, Multi-physics modelling, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Electrical engineering, RF MEMS, 021001 nanoscience & nanotechnology, Tuneable capacitor, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Capacitor, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Filter (video), System level simulation, Systems design, Combline filters, Microfabrication, Antenna (radio), 0210 nano-technology, business, Varicap
Abstract: International audience; The work is related to an Agile Filter which is a specific RF block to be inserted between an antenna and a first stage of pre-amplification in future on board antenna systems or any future multi-purpose communications terminals. It will be able to process signals in the frequency range between 2 and 18 GHz with target insertion loss below 3dB. The basic idea of the demonstrator studied and developed in this project is to evaluate a SiP approach combining heterogeneous technologies and 3D integration and packaging. This paper presents the process flow used to design, fabricate and integrate in 3D a tunable RF filter which tunability is obtained by the use of MEMS varactors based on a copper on glass technology and stacked on micro-PCD for the electronic control functions. MEMS+ parameterized structures for RF MEMS varactor designs are presented with dimension constraints to be compatible with the space available at the end of each combline sub-filter. Indeed, the MEMS capacitors are composed of a mobile square membrane of 210μm by side and overall size of 600μm. In addition, these RF MEMS tunable capacitor models were automatically transferred into VerilogA for rapid system-level simulation usable further in ADS environment to verify the RF performances.
Published: 2015

27. On the effect of carbon nanotubes on the thermoelectric properties of n-Bi2Te2.4Se0.6 made by mechanical alloying

Author: Franck Gascoin, Quentin Lognoné, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Spark plasma sintering, Sintering, 02 engineering and technology, Carbon nanotube, 01 natural sciences, law.invention, chemistry.chemical_compound, law, Seebeck coefficient, 0103 physical sciences, Thermoelectric effect, Materials Chemistry, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Bismuth telluride, Composite material, Ball mill, Composites, 010302 applied physics, Mechanical Engineering, Thermoelectric, Metals and Alloys, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Grain growth, chemistry, Mechanics of Materials, Multi wall carbon nanotube, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; Composite materials based on n-Bi2Te2.4Se0.6 with commercial multi walled carbon nanotubes (MWCNTs) have been synthesized via high energy ball milling and spark plasma sintering. The effect on the transport properties of the presence of MWCNTs during the ball billing step is studied. It is demonstrated that MWCNTs, even in small quantity, change dramatically the transport properties. Seebeck coefficient, electrical resistivity, thermal diffusivity and carrier concentration are measured and their variation discussed. The presence of MWCNTs during the ball milling step is discussed as it clearly induces three competing effects, the presence of tellurium vacancy, the decreased grain size of Bi2Te2.4Se0.6 either promoted during the ball milling or result of the a prevented grain growth during the sintering and a n-type doping. The large carrier concentration variation caused by the MWCNTs represents an alternative way of tuning the transport properties. © 2015 Elsevier B.V.
Published: 2015

28. Dimensional crossover in ultrathin buried conducting SrVO3 layers

Author: Ulrike Lüders, B. Mercey, Vu Hung Dao, Q.-R. Li, M. Baghaie Yazdi, Wolfgang Donner, Marton Major, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut für Materialwissenschaft, Technische Universität Darmstadt - Technical University of Darmstadt (TU Darmstadt), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), and Technische Universität Darmstadt (TU Darmstadt)
Subjects: Materials science, Condensed matter physics, Magnetoresistance, Oxide, Fermi surface, 02 engineering and technology, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Magnetic field, Weak localization, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, chemistry.chemical_compound, chemistry, 0103 physical sciences, Monolayer, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Strongly correlated material, Charge carrier, 010306 general physics, 0210 nano-technology
Abstract: The structure and resistive properties of buried ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ layers between two insulating ${\mathrm{LaVO}}_{3}$ layers are investigated by varying the thickness of the ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ layers between 3 and 35 monolayers. The thickest ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ layer shows a bulklike metallic behavior, while in the thinnest ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ layer, a weak localization regime is observed below 100 K manifesting a logarithmic temperature dependence. Angular-dependent magnetoresistance measurements indicate a cylindric shape of the Fermi surface, and therefore a two-dimensional transport in the thinnest buried ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ layer. The modification of the charge carrier properties by the reduced thickness of the ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ layer are furthermore underlined by the appearance of a relatively strong positive magnetoresistance under a magnetic field perpendicular to the sample surface. The present study therefore highlights a way to synthesize oxide electrodes with reduced dimension for future oxide electronics application.
Published: 2015

29. Fermi-liquid Landau parameters for a nondegenerate band Spin and charge instabilities in the extended Hubbard model

Author: Grégoire Lhoutellier, Andrzej M. Oleś, Raymond Frésard, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Uniwersytet Jagielloński w Krakowie = Jagiellonian University (UJ), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, and Max-Planck-Gesellschaft
Subjects: Hubbard model, FOS: Physical sciences, Inverse, 02 engineering and technology, Slave boson, 01 natural sciences, Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons, Quantum mechanics, 0103 physical sciences, Coulomb, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], 010306 general physics, Physics, Condensed Matter - Materials Science, Strongly Correlated Electrons (cond-mat.str-el), Condensed matter physics, Spin polarization, Exchange interaction, Materials Science (cond-mat.mtrl-sci), [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Ferromagnetism, Condensed Matter::Strongly Correlated Electrons, Fermi liquid theory, 0210 nano-technology
Abstract: We investigate the Landau parameters for the instabilities in spin and charge channels in the nondegenerate extended Hubbard model with intersite Coulomb and exchange interactions. To this aim we use the spin rotationally invariant slave boson approach and we determine the necessary inverse propagator matrix. The analytically derived spin Landau parameter $F_0^a$ for the half filled band uncovers the intrinsic instability of the nondegenerate Hubbard model towards ferromagnetism --- negative intersite exchange interaction triggers a ferromagnetic instability at half filling before the metal-insulator transition, indicated by the divergence of the magnetic susceptibility at $F_0^a=-1$. This result is general and the instability occurs in the strongly correlated metallic regime for any lattice, in three or two dimensions. Next as an illustrative example we present numerical results obtained for the cubic lattice with nearest neighbor exchange $J$ and Coulomb $V$ elements and arbitrary electron density. One finds that the range of small doping near half filling is the most unstable one towards spin polarization, but only in the case of ferromagnetic intersite exchange $J, 12 pages, 10 figures
Published: 2015

30. Silver intercalation in SPS dense TiS2: staging and thermoelectric properties

Author: Emmanuel Guilmeau, Antoine Maignan, Yohann Bréard, Vladimir V. Roddatis, Tristan Barbier, Oleg I. Lebedev, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CIC ENERGIGUNE - Parque Tecnol Alava, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]
Subjects: Materials science, Silver, Intercalation (chemistry), Analytical chemistry, Spark plasma sintering, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Inorganic Chemistry, symbols.namesake, Solid-liquid-vapor, Structural disorders, Thermal conductivity, Charge transfer, Temperature range, Sintering, Van der Waals forces, Electrical resistivity and conductivity, Seebeck coefficient, 0103 physical sciences, Thermoelectric effect, Polycrystalline samples, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, 010302 applied physics, Intercalated compounds, Electric power factor, Lattice thermal conductivity, Thermoelectricity, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Atmospheric temperature range, 021001 nanoscience & nanotechnology, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Thermoelectric properties, Different stages, symbols, van der Waals force, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; Polycrystalline samples in the series AgxTiS2 with x varying from 0 to 0.2 were prepared using solid-liquid-vapor reaction and spark plasma sintering. Depending on the x content, it is found that different stages can occur with intercalation, from the so-called 1T-TiS2 (stage 1) to ordered Ag1/6TiS2 (stage 2). Randomly intercalated Ag cations in the van der Waals gap of stage 1 and stage 2 based TiS2 structures induce a strong decrease of lattice thermal conductivity through structural disorder. A decrease in electrical resistivity and the absolute value of the Seebeck coefficient with increasing Ag content supports also the charge transfer to the Ti 3d conduction band, enhancing the power factor in the specific temperature range. Thus, the combined effects of Ag intercalation are beneficial to the improvement in ZT, reaching around 0.45 at 700 K in Ag intercalated compounds. © The Royal Society of Chemistry 2015.
Published: 2015

31. Analytical extraction of the noise sources characteristics of a bipolar transistor

Author: Pasquet, Daniel, Descamps, Philippe, Lesenechal, Dominique, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (IRSEEM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Descamps, Philippe
Subjects: [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other, [SPI.OTHER] Engineering Sciences [physics]/Other, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience
Published: 2015

32. Effect of flax fibers treatments on the rheological and the mechanical behavior of a cement composite

Author: Chafei, Sawsen, Sawsen, Chafei, Fouzia, Khadraoui, Mohamed, Boutouil, Moussa, Gomina, Le Mémorial de Caen, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de Génie Civil et Géo-Environnement (LGCgE) - ULR 4515 (LGCgE), Université d'Artois (UA)-Université de Lille-Ecole nationale supérieure Mines-Télécom Lille Douai (IMT Lille Douai), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), École Supérieure d'ingénieurs des Travaux de la Construction (ESITC Caen), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Composite number, 0211 other engineering and technologies, 02 engineering and technology, Flax fiber, [SPI]Engineering Sciences [physics], Rheology, 021105 building & construction, Mechanical strength, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, General Materials Science, Rheological properties, Composite material, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Civil and Structural Engineering, Cement, Cement matrix, Building and Construction, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Cement paste, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; The association of plant fibers with cement paste raises a number of problems in both fresh and hardened states. Different treatments are applied to flax fibers with various methods within the aim to enhance the rheological properties of the cement mortar-fiber mixtures. Thus, the effects of these treatments on the properties of the fibers are evaluated. The rheological characteristics of the cement mixtures and the mechanical properties of the composites are assessed. Results show an improvement in the properties of the fibers, better rheological behavior of the cement mixtures and an increase of the mechanical strength of the composites. © 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Published: 2015

33. Magnetodielectric Effect in Crystals of the Noncentrosymmetric CaOFeS at Low Temperature

Author: Denis Pelloquin, Sylvie Hébert, Olivier Perez, Alain Pautrat, Antoine Maignan, Emmanuelle Suard, David Berthebaud, C. Delacotte, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut Laue-Langevin (ILL), ILL, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Diffraction, Chemistry, Physical and chemical processes, Crystal structure, Stacking, Mineralogy, Dielectric, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Centrosymmetry, Insulators, Space group, Inorganic Chemistry, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Crystallography, Transmission electron microscopy, Phase transitions, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Physical and Theoretical Chemistry, Isostructural, Néel temperature, Stoichiometry
Abstract: International audience; Single crystals of the stoichiometric iron calcium oxysulfide CaOFeS have been grown by a solid-state reaction. Structural analysis of CaOFeS at room temperature by combining single-crystal X-ray diffraction data and transmission electron microscopy leads to a stoichiometric hexagonal noncentrosymmetric P63mc layered structure isostructural to CaOZnS. It is built from alternating layers made of FeOS3 tetrahedra sharing sulfur apexes and stacked with Ca2+ planes. All Fe-O bonds are parallel to the stacking axis; this breaks the centrosymmetry, leading to a polar structure. The dielectric measurements reveal the existence of a magnetodielectric effect near 33 K in good agreement with the Neel temperature, as evidenced near 35 K by specific heat measurements reported by a different group. (Figure Presented). © 2015 American Chemical Society.
Published: 2015

34. Volume synthesis of calcareous deposit on carbon steel in natural seawater Effect of applied potential and temperature

Author: Dang, D.N., Kabbadj, B., Gascoin, S., Riffault, B., Sabot, R., Jeannin, M., Chateigner, D., Gil, O., Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Aliments Bioprocédés Toxicologie Environnements (ABTE), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Sciences de l'Ingénieur pour l'Environnement - UMR 7356 (LaSIE), La Rochelle Université (ULR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and VAN T HOF, Elisabeth
Subjects: [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, [CHIM.MATE] Chemical Sciences/Material chemistry, [CHIM.THEO] Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, [CHIM] Chemical Sciences, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [CHIM.CRIS] Chemical Sciences/Cristallography, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience; In seawater, cathodic protection (CP) of metallic structures leads to the formation of calcareous deposits. This phenomenon depends on a lot of parameters, which have given rise to many researches for several years. The influence of various parameters such as applied potential, substrate nature, flow rate, temperature, pH, pressure or seawater composition have been extensively studied in artificial and natural seawater. Recently, a new method based on an innovative adaptation of cathodic protection technique has been developed in order to synthesise in volume the calcareous structures in natural seawater. Our objective, in the context of the Research National Agency (ANR) Ecocorail project, is to favour conditions to a rapid 3D structures synthesis, predominantly composed of CaCO3. This calcareous conglomerate could be used as “natural cement” linked with sand, shells, marine sediments, etc to create a natural concrete. This method needs to apply more cathodic potentials than those used in CP, in order to prevent the cathode blocking, and to induce pH increased far away from the electrode. This study focuses on the influence of applied potential and temperature on the calcareous deposit formed on carbon steel electrodes in natural seawater. In order to simulate a natural environment, a large-scale experiment with natural seawater directly pumped from the sea into a 0.9 m3 tank is operational at the marine station of Luc-sur-Mer (Channel coast of France). Experiments are designed to form volume calcareous deposits on immersed carbon steel grids using -1.0, -1.1, -1.2 and -1.3V/Ag/AgCl applied potentials and 7.5, 20 and 27°C temperatures. Potential and temperature influences on chronoamperometric curves, deposit weights and microstructures are followed using SEM, μ-Raman spectroscopy and X-ray diffraction. XRD patterns analysed using the combined analysis methodology allow the quantitative determination of phase fractions, cell parameters, atomic positions and mean anisotropic crystallite sizes for each phase. It is shown that brucite, aragonite and calcite crystals are formed with condition dependent phase ratio. Brucite is predominantly observed for more cathodic potentials (-1.2; -1.3V) and acts as an aragonite’s growth inhibitor. A temperature decrease favours aragonite formation for less negative potentials (-1.0; -1.1V), while calcite is only present at very small ratio, typically lower than few percents.
Published: 2015

35. Microstructured optical fiber Bragg grating as an internal three-dimensional strain sensor for composite laminates

Author: Francis Berghmans, Karima Chah, Hugo Thienpont, Waclaw Urbanczyk, Moussa Gomina, Joris Degrieck, Geert Luyckx, Thomas Geernaert, S. Eve, Sanne Sulejmani, Pawel Mergo, Camille Sonnenfeld, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Brussels Photonics Team [Bruxelles] (B-PHOT), Vrije Universiteit Brussel (VUB), Universiteit Gent = Ghent University (UGENT), University of Mons [Belgium] (UMONS), Marie Curie-Sklodowska University, Wroclaw University of Science and Technology, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Universiteit Gent = Ghent University [Belgium] (UGENT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institute of Physics, Applied Physics and Photonics, and Brussels Photonics Team
Subjects: PHOSFOS, Materials science, 02 engineering and technology, Graded-index fiber, Optics, 0203 mechanical engineering, Fiber Bragg grating, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, General Materials Science, Electrical and Electronic Engineering, Composite material, Plastic optical fiber, Civil and Structural Engineering, business.industry, Multi-axial strain sensing, Microstructured optical fiber, Fiber optic sensor, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Composite laminates, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, 020303 mechanical engineering & transports, Mechanics of Materials, Signal Processing, 0210 nano-technology, business, Photonic-crystal fiber
Abstract: International audience; In this article, we study the possibility to use a pair of specifically designed microstructured optical fiber Bragg gratings (MOFBGs) as a multi-component strain sensor when embedded within composite materials. The dependence on the orientation of the transverse sensitivity of the MOFBGs is exploited to build a sensing device able to measure the strain field along the three principal mechanical directions of a laminate composite. We developed an analytical and numerical model of such a sensor and benchmarked it with experiments performed on laminated composite coupons equipped with this sensor. We report on a theoretical strain resolution of about 5 μ in the transverse directions of the composite material, which is a six-fold improvement over results reported in literature. © 2015 IOP Publishing Ltd.
Published: 2015

36. A microstructurally-based internal length for strain localization problems in dynamics

Author: Oumar Keita, Bertrand François, Université libre de Bruxelles (ULB), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Delayed response, Materials science, General Physics and Astronomy, 02 engineering and technology, Internal length, 01 natural sciences, Condensed Matter::Materials Science, 0203 mechanical engineering, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, General Materials Science, 0101 mathematics, Strain (chemistry), Mechanical Engineering, Dynamics (mechanics), Mechanics, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Finite element method, 010101 applied mathematics, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Inertial effect, 020303 mechanical engineering & transports, Classical mechanics, Damage, Mechanics of Materials, Strain localization
Abstract: International audience; Classical finite element method including strain-softening materials suffers from a mesh-dependency solution. The thickness of the bands in which strains are localized is arbitrarily narrow and may lead to a rupture without energy consumption. This is the case in quasi-static as well as in dynamics problems. The present paper uses a two-scale dynamic damage law that is based on an intrinsic length at micro-scale, corresponding to the inter-distance between two adjacent micro-cracks, that regularizes the strain localization problem in dynamics. The material response is time-dependent due to the inertial effect of the micro-crack propagation. This produces a natural, microstructurally-based, delayed response of the material that, in turn, removes the mesh-sensitivity in dynamics. As a consequence, the size of the strain localization band is controlled by the internal length of the material. © 2015 Elsevier Masson SAS. All rights reserved.
Published: 2015

37. Investigation of the internal structure of flax fibre cell walls by transmission electron microscopy

Author: Moussa Gomina, Bernadette Domengès, Isabel Hervas, Anthony Thuault, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Matériaux Céramiques et Procédés Associés - EA 2443 (LMCPA), Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Mechanics surfaces and materials processing (MSMP), Arts et Métiers Sciences et Technologies, HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), and Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France)
Subjects: Matériaux [Sciences de l'ingénieur], Materials science, Polymers and Plastics, Polymères [Chimie], Hydrothermal circulation, Oolong tea extract staining, Cell wall, Matériaux [Chimie], [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, Composite material, Cellulose, Nanoscopic scale, Microstructure, Mécanique [Sciences de l'ingénieur], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Flax fibre, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Fiber cell, Transmission electron microscopy, Lumen (unit)
Abstract: International audience; The development of the use of flax fibre as reinforcement of eco-friendly composite materials requires a good knowledge of its hydrothermal and mechanical behaviours. To this end the fibre internal structure must be finely investigated. Transmission electron microscopy was used to analyse the morphology of the fibre cell walls in terms of the arrangement of the layers and their thickness. Thus, an alternative eco-friendly staining method, based on oolong tea extract was successfully implemented. The results reveal an arrangement at the nanoscale slightly different from the classical four layer model encountered in the literature the inner layer includes three to four sub-layers. The cell walls comprises two outer layers of relative thickness of about 10 %, a middle layer of about 70 % and a group of thinner layers (called sub-layers) that are contiguous to the lumen with relative thickness of about 20 %. © 2015, Springer Science+Business Media Dordrecht.
Published: 2015

38. The evolution of octahedral rotations of orthorhombic LaVO3 in superlattices with cubic SrVO3

Author: Luders, Ulrike, Lüders, U., Li, Q.-R., Feyerherm, R., Dudzik, E., Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH (HZB), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Hahn-Meitner-Institut, Federal Ministry for Education and Research, and BESSY II
Subjects: Materials science, Interface engineering, D. Superlattices, Condensed matter physics, Superlattice, Oxide superlattices, Diffraction, General Chemistry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Condensed Matter Physics, C. X-ray diffraction, Lattice mismatch, A. Oxides, Crystallography, Condensed Matter::Materials Science, Octahedron, D. Crystal structure, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], General Materials Science, Orthorhombic crystal system, Constant (mathematics)
Abstract: International audience; We have studied the octahedral rotations in LaVO3/SrVO3 superlattices, keeping the thickness of the orthorhombic LaVO3 layers constant and increasing the thickness of cubic SrVO3 layers. We have found that for a small thickness of SrVO3, the octahedral rotations in LaVO3 are maintained, while for an increasing thickness, these rotations are suppressed. This observation cannot be explained by purely elastic effects due to the lattice mismatch between the two materials, but the absence of rotations in SrVO3 is a crucial ingredient, illustrating the concept of interface engineering of octahedral rotations.
Published: 2014

39. Structural Transition at 360 K in the CaFe 5 O 7 Ferrite: Toward a New Charge Ordering Distribution

Author: Sylvie Hébert, F. Hüe, Olivier Perez, Denis Pelloquin, Jean-Marc Greneche, C. Delacotte, Yohann Bréard, Vincent Caignaert, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut des Molécules et Matériaux du Mans (IMMM), Le Mans Université (UM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Diffraction, Physical and chemical processes, Iron, 02 engineering and technology, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, Inorganic Chemistry, Charge ordering, Chemical structure, Scanning transmission electron microscopy, Physical and Theoretical Chemistry, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS]Physics [physics], Chemistry, Crystal structure, 021001 nanoscience & nanotechnology, Magnetic susceptibility, 0104 chemical sciences, Crystallography, Electron diffraction, Transmission electron microscopy, Orthorhombic crystal system, 0210 nano-technology, Monoclinic crystal system
Abstract: International audience; An efficient synthesis route is proposed to obtain single phase powder ceramic of CaFe5O7. This complex structure can be described as an intergrowth between one CaFe2O4 unit and n = 3 slices of FeO Wüstite-type structure. A detailed structural study has been carried out at room temperature combining transmission electron microscopy (TEM) observations (ED, HREM), scanning transmission electron microscopy (STEM-HAADF), and X-ray diffraction data. The analysis of these data has revealed an unexpected supercell with a monoclinic symmetry. From the hkl conditions deduced from the electron diffraction study and the analysis of X-ray diffraction data by simulated annealing, a structural model considering the centrosymmetric P21/m setting can be proposed. In addition the first magnetic and electrical transport measurements are reported showing a sharp peak in magnetic susceptibility and a strong localization around 360 K, associated to a structural change from monoclinic setting to orthorhombic one.
Published: 2014

40. Analytical crossing lines modeling

Author: Pierre Nicole, Daniel Pasquet, Philippe Descamps, Thanh Vinh Dinh, Dominique Lesénéchal, Julien Pagazani, Gaelle Lissorgues, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES [France], Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, THALES, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Crossing lines, Integrated circuit interconnections, Optimization, EM simulation, Computer science, Circuit design, Capacitance, 02 engineering and technology, Discrete circuit, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Analyticals models, 010302 applied physics, business.industry, Electrical engineering, 020206 networking & telecommunications, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, EM modeling, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Integrated circuit modeling, Solid modeling, Couplings, business
Abstract: International audience; This paper presents a model for the crossover area of two crossing lines. The model was compared to 3D full wave electromagnetic simulation with good agreement up to 20 GHz.
Published: 2014

41. Interest of Human Papillomavirus DNA quantification and genotyping in paired cervical and urine samples to detect cervical lesions

Author: G. Agius, Françoise Lunel, L. Catala, M. A. De Brux, Pascal Veillon, E. Postec, A. Beby-Defaux, H. Le Guillou-Guillemette, F. Charles-Pétillon, Christopher Payan, Sébastien Hantz, P. Descamps, Sophie Alain, F. Labrousse, Alexandra Ducancelle, M. C. Legrand, H. Caly, Adeline Pivert, Hémodynamique, Interaction Fibrose et Invasivité tumorales Hépatiques (HIFIH), Université d'Angers (UA), Laboratoire Universitaire de Biodiversité et Ecologie Microbienne (LUBEM), Université de Brest (UBO), Centre hospitalier universitaire de Poitiers (CHU Poitiers), Service de Bactériologie, Virologie, Hygiène [CHU Limoges], CHU Limoges, Anti-infectieux : supports moléculaires des résistances et innovations thérapeutiques (RESINFIT), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut Génomique, Environnement, Immunité, Santé, Thérapeutique (GEIST), Université de Limoges (UNILIM)-Université de Limoges (UNILIM)-CHU Limoges, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Centre Hospitalier Régional Universitaire de Brest (CHRU Brest), Centre Hospitalier Universitaire d'Angers (CHU Angers), PRES Université Nantes Angers Le Mans (UNAM), CHU Limoges-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut Génomique, Environnement, Immunité, Santé, Thérapeutique (GEIST), Université de Limoges (UNILIM)-Université de Limoges (UNILIM), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Hôpital Dupuytren [CHU Limoges]
Subjects: Pathology, [SDV]Life Sciences [q-bio], Uterine Cervical Neoplasms, Urine, Cervix Uteri, Gastroenterology, Human Papillomavirus DNA Tests, 0302 clinical medicine, Pregnancy, Genotype, Prevalence, Longitudinal Studies, Prospective Studies, Papillomaviridae, Cervical cancer, 0303 health sciences, Obstetrics and Gynecology, virus diseases, General Medicine, Urine test, Middle Aged, Viral Load, female genital diseases and pregnancy complications, 3. Good health, Real-time polymerase chain reaction, 030220 oncology & carcinogenesis, Female, France, Viral load, Adult, medicine.medical_specialty, Human papillomavirus, Adolescent, Concordance, Context (language use), Real-Time Polymerase Chain Reaction, Sensitivity and Specificity, 03 medical and health sciences, Internal medicine, Quantification, medicine, Humans, Genotyping, Aged, Vaginal Smears, 030306 microbiology, business.industry, Papillomavirus Infections, HPV genotyping, medicine.disease, DNA, Viral, business
Abstract: International audience; BackgroundCervical cancer is caused by persistent infection with high-risk human papillomavirus (HR-HPV). Conventional human papillomavirus (HPV) testing requires cervical sampling. However, vaginal and urine self-sampling methods are more acceptable for patients and result in increased participation when they are available in screening programs. In this context, we have developed a non-invasive screening method via the detection of HPV DNA in urine samples.PurposeTo compare HPV viral loads and genotypes in paired cervical and urine samples, and to assess correlation between virological and cytological results in women seeking gynecological consultation.MethodsPaired urine and cervical specimens were collected and analyzed from 230 of 245 women participating in the previously described prospective PapU study. HPV DNA detection and quantification were performed using a real-time PCR method with short fragment PCR primers. Genotyping was carried out using the INNO-LiPA HPV genotyping assay.ResultsThe prevalence of HPV in the 230 paired urine and cervical smear samples was 42 and 49%, respectively. Overall agreement for HPV positivity and negativity between the paired samples was 90% (κ=0.80). High HPV viral load in both cervical and urine samples was associated with cytological abnormalities. HPV-positive women were mostly infected with HR-HPV types. The agreement between high- and low-risk HPV (LR-HPV) detection in both samples was 97% (κ=0.95 for HR-HPV and κ=0.97 for LR-HPV).ConclusionsHigh concordance rates for HPV-DNA quantification and high/low-risk HPV genotyping in paired urine/cervical samples suggest that urinary HPV DNA testing could be useful for cervical lesion screening.
Published: 2014

42. Effective Targeting Of Endometrial Tissue By 16α-[18f]Fluoro-17β-Œstradiol ([18f]-Fes): Preliminary Results In The Diagnosis Of Endometriosis

Author: Bouchet, Francis, Croué, Anne, Hindré, François, Descamps, Philippe, Couturier, Olivier-François, George, A., Lefebvre-Lacoeuille, Céline, Lacœuille, Franck, Fosse, Pacôme, Centre Hospitalier Universitaire d'Angers (CHU Angers), PRES Université Nantes Angers Le Mans (UNAM), Micro et Nanomédecines Biomimétiques (MINT), Université d'Angers (UA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Univ Angers, Okina, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe
Subjects: [SDV] Life Sciences [q-bio], [SDV]Life Sciences [q-bio], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2014

43. A novel multilayer micro-ring resonator based optical network on chip

Author: Channoufi, Mèlèk, Lecoy, Pierre, Le Beux, Sébastien, Delacressonnière, Bruno, Attia, Rabah, Bruno, Delacressonnière, ASTRE [Cergy-Pontoise], Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), INL - Conception de Systèmes Hétérogènes (INL - CSH), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Equipe Commande des Systèmes (ECS), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Université de Carthage - University of Carthage, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], and SERCOM Laboratory
Subjects: Micro-ring resonator, Multilayers, Resonators, ONOC, Optical design and fabrication, NOC, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; The next generation of multiprocessor systems on chip requires development and improvement of innovative implementations of optical networks on chip (ONoC). ONoC efficiency mostly relies on crosstalk between waveguides and on optical power loss. Taking into account new integration capabilities in order to achieve the best design compromise minimizing power loss and crosstalk is thus mandatory. In this paper, we propose a novel switch implementation based upon a multi-layer microring resonator, allowing efficient light coupling and switching between superposed waveguides. Such microring resonator avoids waveguide crossing, thus contributing to reduce propagation losses. A transmission loss from -4.8 to -7 dB, crosstalk between -17 and -29 dB, a quality factor about 202 allowing a bandwidth up to 1THz, are demonstrated with a 1.65 µm radius microring. Furthermore, this paper demonstrates that pure curvature loss remains less than -0.4 dB for microring radii less than 2µm thus allowing miniaturization of switch size.
Published: 2014

44. Structural characterisation of BaTiO3 thin films deposited on SrRuO3/YSZ buffered silicon substrates and silicon microcantilevers

Author: P. Marie, Corentin Jorel, Liviu Nicu, M. Boisserie, Laurence Méchin, Alice Galdi, Samuel Guillon, Héloïse Colder, B. Domengès, Groupe de Recherche en Informatique, Image et Instrumentation de Caen (GREYC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072, Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Équipe NanoBioSystèmes (LAAS-NBS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Università degli Studi di Salerno = University of Salerno (UNISA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: Materials science, Silicon, General Physics and Astronomy, chemistry.chemical_element, Mineralogy, Epitaxy, Pulsed laser deposition, [SPI]Engineering Sciences [physics], chemistry, Wafer, Grain boundary, Composite material, Thin film, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Layer (electronics), Yttria-stabilized zirconia
Abstract: International audience; We report on the progress towards an all epitaxial oxide layer technology on silicon substrates for epitaxial piezoelectric microelectromechanical systems. (101)-oriented epitaxial tetragonal BaTiO3 (BTO) thin films were deposited at two different oxygen pressures, 5.10 2 mbar and 5.10 3 mbar, on SrRuO3/Yttria-stabilized zirconia (YSZ) buffered silicon substrates by pulsed laser deposition. The YSZ layer full (001) orientation allowed the further growth of a fully (110)-oriented conductive SrRuO3 electrode as shown by X-ray diffraction. The tetragonal structure of the BTO films, which is a prerequisite for the piezoelectric effect, was identified by Raman spectroscopy. In the BTO film deposited at 5.10 2 mbar strain was mostly localized inside the BTO grains whereas at 5.10 3 mbar, it was localized at the grain boundaries. The BTO/SRO/YSZ layers were finally deposited on Si microcantilevers at an O2 pressure of 5.10 3 mbar. The strain level was low enough to evaluate the BTO Young modulus. Transmission electron microscopy (TEM) was used to investigate the epitaxial quality of the layers and their epitaxial relationship on plain silicon wafers as well as on released microcantilevers, thanks to Focused-Ion-Beam TEM lamella preparation.
Published: 2014

45. New methodology design for future generation of Optical Network on Chip 'ONoC'

Author: Channoufi, Mèlèk, Lecoy, Pierre, Delacressonnière, Bruno, Attia, Rabah, ASTRE [Cergy-Pontoise], Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Equipe Commande des Systèmes (ECS), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], SERCOM Laboratory, Université de Carthage - University of Carthage, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Optical waveguides, Optical resonators, Optical network units, Program processors, Network on chip Optical Network on chip, Optical interconnections, Optical buffering, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; With the number of transistors doubling every 18 months, chip designs are moving towards integrating multiple cores on a single chip. Bus-based networks become a bottleneck due to the increase in power consumption and latency with large core counts. Optical interconnection networks have the potential to be a key in communication performance to these future generations of MPSoCs. The use of this type of networks requires the evaluation of design complexity and energy consumption. In this paper, a new design methodology of an optical network on chip using two superposed waveguides levels and a specific optical circuit interface is proposed. Study of network performance and comparison with other realizations demonstrate the potential of the multi-level design paradigm to decrease network complexity and energy consumption.
Published: 2013

46. Impact of subband quantization on DPD correction performance

Author: Patrick Loumeau, Dang-Kièn Germain Pham, Patricia Desgreys, Olivier Venard, Mazen Abi Hussein, Circuits et Systèmes de Communication (C2S), Laboratoire Traitement et Communication de l'Information (LTCI), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom Paris-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom Paris, Département Communications & Electronique (COMELEC), Télécom ParisTech, Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe
Subjects: ComputingMethodologies_IMAGEPROCESSINGANDCOMPUTERVISION, Data_CODINGANDINFORMATIONTHEORY, 02 engineering and technology, Predistortion, Bandwidth, 0203 mechanical engineering, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Linearisation techniques, Quantisation (signal), Noise band, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Mathematics, Quantization (signal), Modulation, Signal resolution, Power amplifiers, Quantization (signal processing), Amplifier, 020208 electrical & electronic engineering, Sigma-delta modulation, 020302 automobile design & engineering, Distortion, Signal to noise (ratio), [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Analog signal, [SPI.SIGNAL]Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing
Abstract: International audience; The digital predistortion (DPD) is a technique to linearize the response of power amplifiers which is the subject of an active research. In order to model accurately and properly linearize the PA, the ADC in the feedback path must digitize the distorted signal with an adequate resolution and bandwidth. The multi-stage noise band cancellation (MSNBC) ΣΔ architecture is able to provide a signal digitized by subbands and where the subbands may be digitized with different resolutions. We show that the correction performance can be maintained while different quantization for the main high power subband and for the low power subbands are used resulting in a more flexible and low power consumming solution.
Published: 2013

47. Model of mutual coupling between two bonding wires on glass substrate

Author: Gaelle Lissorgues, Julien Pagazani, Daniel Pasquet, Dominique Lesenechal, Philippe Descamps, Thanh Vinh Dinh, Pierre Nicole, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES [France], Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, and THALES
Subjects: Materials science, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), Electromagnetic simulation, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Lead bonding, Full wave, Mathematical model, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electromagnetic coupling, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Inductance, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Coupling, Bonding, Condensed matter physics, Substrates, Electromagnetic modeling, 020206 networking & telecommunications, 021001 nanoscience & nanotechnology, Wires, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Anodic bonding, Bonding wire, Solid modeling, Mutual coupling, Glass, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; This paper presents a simple model of mutual coupling between 2 bonding wires. The model has been compared to 3D full wave electromagnetic simulation up to 20 GHz. A good accordance was obtained.
Published: 2013

48. AN IMPRINT OF MOLECULAR CLOUD MAGNETIZATION IN THE MORPHOLOGY OF THE DUST POLARIZED EMISSION

Author: Peter G. Martin, Marc-Antoine Miville-Deschênes, Laura M. Fissel, Patrick Hennebelle, Calvin B. Netterfield, Juan D. Soler, Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique (LERMA), École normale supérieure - Paris (ENS Paris), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Institut d'astrophysique spatiale (IAS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Astronomy and Astrophysics [Universty of Toronto], University of Toronto, École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Canadian Institute for Theoretical Astrophysics (CITA), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National d’Études Spatiales [Paris] (CNES), Department of Physics [Toronto], École normale supérieure - Paris (ENS Paris)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, and PSL Research University (PSL)-PSL Research University (PSL)-Université de Cergy Pontoise (UCP)
Subjects: FOS: Physical sciences, Astrophysics, 01 natural sciences, ISM: clouds, Data cube, Magnetization, Histogram, Polarization, 0103 physical sciences, Perpendicular, 010306 general physics, 010303 astronomy & astrophysics, Methods: statistical, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Physics, [PHYS]Physics [physics], Turbulence, Molecular cloud, Astronomy and Astrophysics, Polarization (waves), Astrophysics - Astrophysics of Galaxies, Computational physics, Magnetic field, Space and Planetary Science, Astrophysics of Galaxies (astro-ph.GA), Magnetic fields, ISM: magnetic fields, [PHYS.ASTR]Physics [physics]/Astrophysics [astro-ph]
Abstract: We describe a morphological imprint of magnetization found when considering the relative orientation of the magnetic field direction with respect to the density structures in simulated turbulent molecular clouds. This imprint was found using the Histogram of Relative Orientations (HRO): a new technique that utilizes the gradient to characterize the directionality of density and column density structures on multiple scales. We present results of the HRO analysis in three models of molecular clouds in which the initial magnetic field strength is varied, but an identical initial turbulent velocity field is introduced, which subsequently decays. The HRO analysis was applied to the simulated data cubes and mock-observations of the simulations produced by integrating the data cube along particular lines of sight. In the 3D analysis we describe the relative orientation of the magnetic field $\mathbf{B}$ with respect to the density structures, showing that: 1.The magnetic field shows a preferential orientation parallel to most of the density structures in the three simulated cubes. 2.The relative orientation changes from parallel to perpendicular in regions with density over a critical density $n_{T}$ in the highest magnetization case. 3.The change of relative orientation is largest for the highest magnetization and decreases in lower magnetization cases. This change in the relative orientation is also present in the projected maps. In conjunction with simulations HROs can be used to establish a link between the observed morphology in polarization maps and the physics included in simulations of molecular clouds., Comment: (16 pages, 11 figures, submitted to ApJ 05MAR2013, accepted 07JUL2013)
Published: 2013

49. Commutateurs optiques multicouches pour les futures générations de réseaux optiques sur puce

Author: Channoufi, Mèlèk, Lecoy, Pierre, Attia, Rabah, Delacressonnière, Bruno, ASTRE [Cergy-Pontoise], Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Université de Carthage - University of Carthage, Equipe Commande des Systèmes (ECS), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Bruno, Delacressonnière, SERCOM Laboratory, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]
Subjects: ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, NOC ONOC, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: National audience
Published: 2013

50. On-wafer multi-port circuits charaterization technique with a two-port VNA

Author: Sebastien Quintanel, Daniel Pasquet, Cédric Duperrier, Dominique Lesenechal, Thanh-Vinh Dinh, Philippe Descamps, Emmanuelle Bourdel, ASTRE [Cergy-Pontoise], Equipes Traitement de l'Information et Systèmes (ETIS - UMR 8051), Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Ecole Nationale Supérieure de l'Electronique et de ses Applications (ENSEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]
Subjects: Engineering, Silicon, Millimeter waves, chemistry.chemical_element, Multi-port circuits, Substrate (electronics), Lossy compression, Millimetre wave circuits, Two-port networks, Electronic engineering, Wafer, Millimetre wave measurement, S-parameters, Couplers, Branch-line coupler, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Electronic circuit, SIMPLE (military communications protocol), Passive networks, business.industry, Scattering, Electrical engineering, Impedance, Ports (computers), [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Electric variables measurement, Network analysers, chemistry, Calibration, Millimeter, business, Millimetre wave couplers, Scattering parameters
Abstract: International audience; This paper describes a simple technique for on wafer passive multi-port circuits characterization. This method gives an efficient measurement of the scattering S-parameters of these devices at their ports reference planes. Furthermore, it provides cost saving in terms of used wafer surface and equipments by using an universal two-port Vector Network Analyzer (VNA). This method is applied to the characterization of a branch-line coupler designed on a lossy silicon substrate at millimeter waves (30 GHz). The de-embedding and the experimental procedures are presented in this paper. The experimental measurements extracted from our method show a good agreement with those made with a four-port VNA.
Published: 2013

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