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120 results on '"Hourlier, D."'

1. Nanoscale thermal conductivity of Kapton-derived carbonaceous materials

Author

Kondratenko, K., Hourlier, D., Vuillaume, D., and Lenfant, S.

Subjects
Physics - Applied Physics, Condensed Matter - Materials Science
Abstract

This study explores the potentialities of Scanning Thermal Microscopy (SThM) technique as a tool for measuring thermal transporting properties of carbon-derived materials issued from thermal conversion of organic polymers, such as the most commonly known polyimide (PI), Kapton. For quantitative measurements, the Null Point SThM (NP-SThM) technique is used in order to avoid unwanted effects as the parasitic heat flows through the air and the probe cantilever. Kapton HN films were pyrolysed in an inert atmosphere at temperatures up to 1200{\deg}C to produce carbon-based residues with varying degree of conversion to free sp2 disordered carbon. The thermal conductivity of carbon materials ranges from 0.2 to 2 Wm-1K-1 depending on the temperature of the carbonization process (varied between 500{\deg}C and 1200{\deg}C). In order to validate the applicability of NP-SThM approach to these materials, the results were compared to those obtained with the three more traditional techniques, namely photo-thermal radiometry, flash laser analysis and micro-Raman thermometry. It was found that NP SThM data are in excellent agreement with previous work using more traditional techniques. We used the NP-SThM technique to differentiate structural heterogeneities or imperfections at the surface of the pyrolysed Kapton on the basis of measured local thermal conductivity.

Published
2021
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2. Physical mechanisms involved in the formation and operation of memory devices based on a monolayer of gold nanoparticles-polythiophene hybrid materials

Author

Zhang, T., Guérin, D., Alibart, F., Troadec, D., Hourlier, D., Patriarche, G., Yassin, A., Oçafrain, M., Blanchard, P., Roncali, J., Vuillaume, D., Lmimouni, K., and Lenfant, S.

Subjects
Physics - Applied Physics, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Abstract

Understanding the physical and chemical mechanisms occurring during the forming process and operation of an organic resistive memory device is a major issue for better performances. Various mechanisms were suggested in vertically stacked memory structures, but the analysis remains indirect and needs destructive characterization (e.g. cross-section to access the organic layers sandwiched between electrodes). Here, we report a study on a planar, monolayer thick, hybrid nanoparticle/molecule device (10 nm gold nanoparticles embedded in an electro-generated poly(2-thienyl-3,4-(ethylenedioxy)thiophene) layer), combining, in situ, on the same device, physical (scanning electron microscope, physico-chemical (thermogravimetry and mass spectroscopy, Raman spectroscopy) and electrical (temperature dependent current-voltage) characterizations. We demonstrate that the forming process causes an increase in the gold particle size, almost 4 times larger than the starting nanoparticles, and that the organic layer undergoes a significant chemical rearrangement from a sp3 to sp2 amorphous carbon material. Temperature dependent electrical characterizations of this nonvolatile memory confirm that the charge transport mechanism in the device is consistent with a trap-filled space charge limited current in the off state, the sp2 amorphous carbon material containing many electrically active defects.

Published
2019
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3. Characterization of ion/electron beam induced deposition of electrical contacts at the sub-{\mu}m scale

Author

Brunel, D., Troadec, D., Hourlier, D., Deresmes, D., Zdrojek, M, and Mélin, T.

Subjects
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Abstract

We investigate the fabrication of electrical contacts using ion- and electron-beam induced deposition of platinum at the sub-\mu m scale. Halos associated with the metal surface decoration are characterized electrically in the 0.05-2 \mu m range using transport measurements, conducting atomic force microscopy and Kelvin probe microscopy. In contrast with IBID, EBID electrodes exhibit weakly conductive halos at the sub-\mu m scale, and can thus be used to achieve resist-free electrical contacts for transport measurements at the sub-\mu m scale. Four-point transport measurements using \mu m-spaced EBID contacts are provided in the case of a multiwalled carbon nanotube.

Published
2011
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4. Nanoscale thermal conductivity of Kapton-derived carbonaceous materials.

Author

Kondratenko, K., Hourlier, D., Vuillaume, D., and Lenfant, S.

Subjects
*THERMAL conductivity, *THERMAL conductivity measurement, *THERMOPHYSICAL properties, *THERMAL diffusivity, *AIR flow, *SPATIAL resolution
Abstract

This study exploits the nanoscale resolution of scanning thermal microscopy (SThM) to reveal inhomogeneous nature of thermal properties of carbon-derived materials issued from thermal conversion of the most commonly known polyimide, Kapton®. This information is otherwise inaccessible if conventional thermal characterization techniques are used due to their limited spatial resolution. Kapton films were pyrolyzed in an inert atmosphere to produce carbon-based residues with varying degree of conversion to free sp2 disordered carbon. The thermal conductivity of carbon materials ranges from 0.2 to 2 W m−1 K−1, depending on the temperature of the carbonization process (varied between 500 and 1200 °C). For quantitative measurements of thermal conductivity, the Null Point SThM (NP-SThM) technique is used in order to avoid unwanted effects as the parasitic heat flows through the air and the probe cantilever. It was found that NP SThM data for bulk materials are in excellent agreement with results obtained through more traditional techniques, namely, photo-thermal radiometry, flash laser analysis, and micro-Raman thermometry. This allowed us to use the NP-SThM technique to differentiate structural heterogeneities or imperfections at the surface of the pyrolyzed Kapton on the basis of the measured local thermal conductivity. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2022
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11. Multilayer modelling of thermoacoustic sound generation for carbon based nanomaterial thermophone

Author

Guiraud, P., Giordano, Stefano, Bou Matar, Olivier, Pernod, Philippe, Hourlier, D., Lardat, R., Coquet, P., Pouliguen, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN (AIMAN-FILMS-IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 (IEMN-DOAE), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France), Laboratoire International associé sur les phénomènes Critiques et Supercritiques en électronique fonctionnelle, acoustique et fluidique (LIA LICS/LEMAC), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Underwater Systems (Thales) (TUS), CINTRA CNRS/NTU/THALES, UMI 3288, Délégation générale de l'armement (DGA), Ministère de la Défense, Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN (AIMAN-FILMS - IEMN), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), CNRS International - NTU - Thales Research Alliance (CINTRA), THALES [France]-Nanyang Technological University [Singapour]-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Bio-Micro-Electro-Mechanical Systems - IEMN (BIOMEMS - IEMN), and AcknowledgementsThe authors would like to thank the French DGA/MRIS for theirfinancial support. This study is part of a project developed incollaboration with Prof Edwin Teo and his team from NTU Singapore, inthe frame of CINTRA UMI 3288 CNRS/NTU/THALES.'

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [PHYS.MECA.THER]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Thermics [physics.class-ph], [PHYS.MECA]Physics [physics]/Mechanics [physics], [PHYS.MECA.ACOU]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Acoustics [physics.class-ph]
Abstract

International audience; The thermoacoustic effect is based on applying an alternative current to a material with a high thermal conductivity and a low thermal capacity. The heat profile of the material follows the current profile and the compression dilatation of the air on the surface of the material due to the fluctuating temperature generates an acoustic wave whose frequency is proportional to the input frequency of the current. Since no resonating part are involved in the process the generation is wideband.

Published
2018

12. Physical mechanisms involved in the formation and operation of memory devices based on a monolayer of gold nanoparticle-polythiophene hybrid materials

Author

Zhang, T., primary, Guérin, D., additional, Alibart, F., additional, Troadec, D., additional, Hourlier, D., additional, Patriarche, G., additional, Yassin, A., additional, Oçafrain, M., additional, Blanchard, P., additional, Roncali, J., additional, Vuillaume, D., additional, Lmimouni, K., additional, and Lenfant, S., additional

Published
2019
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18. Influence de l'Au nanométrique sur la conductivité des nanofils en Si

Author

MOLDOVAN, M.S., FLOREA, I., Hourlier, D., Ersen, O., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

19. PDC-carbon hybrids

Author

Blum, Y., Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

20. Modeling the reflectance of polydisperse random arrays of Si nanowires

Author

Grzela, G., Hourlier, D., Rivas, J.G., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

21. Characterization of ion/electron beam induced deposition of electrical contacts at the sub-��m scale

Author

Brunel, D., Troadec, D., Hourlier, D., Deresmes, D., Zdrojek, M, and M��lin, T.

Subjects
Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), FOS: Physical sciences
Abstract

We investigate the fabrication of electrical contacts using ion- and electron-beam induced deposition of platinum at the sub-��m scale. Halos associated with the metal surface decoration are characterized electrically in the 0.05-2 ��m range using transport measurements, conducting atomic force microscopy and Kelvin probe microscopy. In contrast with IBID, EBID electrodes exhibit weakly conductive halos at the sub-��m scale, and can thus be used to achieve resist-free electrical contacts for transport measurements at the sub-��m scale. Four-point transport measurements using ��m-spaced EBID contacts are provided in the case of a multiwalled carbon nanotube.

Published
2011
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22. Nanowires and nanocones for new nanostructured materials

Author

Hourlier, D., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

23. Size and shape effects on the melting properties of catalytic nanoparticles

Author

Guisbiers, G., Abudukelimu, G., Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

24. La piézorésistance géante dans le silicium

Author

Rowe, A.C.H., Arscott, S., Gaudet, M., Milne, J., Favorskiy, I., Hourlier, D., Renner, C., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

25. Bottom-up approach to designing nanostructured materials for a variety of applications

Author

Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

26. Size-dependent properties of platinum-based bimetallic nanoparticles

Author

Guisbiers, G., Abudukelimu, G., Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

27. Scanning confocal Raman spectroscopy of individual silicon nanowires

Author

Strelchuk, V.V., Nikolenko, A.S., Lytvyn, P.M., Klimovskaya, A.I., Pedchenko, Y.N., Voroschenko, A.T., Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

28. Carbon and nanowires based devices for high frequencey and low power applications

Author

Happy, H., Nougaret, L., Meng, N., Dambrine, Gilles, Bollaert, S., Hourlier, D., Caroff, P., Vignaud, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

29. The interaction particularities of nanoobjects on a solid state surface

Author

Marczak, M., Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

30. Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement

Author

Klimovskaya, A., Efremov, A., Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

31. Mini-technologies... maxi changements

Author

Hourlier, D., Lefebvre, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

32. Raman Spectroscopy of boron-doped silicon nanowires

Author

Marczak, M., Pichonat, E., Gebicki, W., Melin, Thierry, Hourlier, D., Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 (LASIRE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centrale Lille Institut (CLIL), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), and Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Published
2008

33. Characterization of the individual core/shell silicon nanowires

Author

Marczak, M., Judek, J., Kozak, A., Gebicki, W., Melin, Thierry, Hourlier, D., Luxembourg, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2008

34. Scanning-probe measurements on undoped silicon nanowires

Author

Borowik, L., Diesinger, H., Hourlier, D., Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2008

35. Optimisation de la réponse fréquentielle des montages KFM et exemples d'application à des dispositifs à nanotube de carbone

Author

Diesinger, H., Deresmes, D., Brunel, D., Borovic, L., Hourlier, D., Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2008

36. The answer to the challenging question : is there any limit size of nanowires ?

Author

Hourlier, D., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2008

37. Comment la thermodynamique a-t-elle permis l'élaboration d'un nouveau processus de croissance de nanofils à base de germanium ?

Author

Hourlier, D., Lefebvre, P., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

38. Determination of stable and metastable diagrams involved in the development of semiconductor nanowhiskers

Author

Hourlier, D., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

39. Raman spectrosopy of individual cone shaped nanowires

Author

Marczak, M., Judek, J., Kozak, A., Gebicki, W., Zdrojek, M., Hourlier, D., Luxembourg, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

40. Kelvin force microscopy frequency response optimization and application to nanowire/nanotube devices under polarization

Author

Diesinger, H., Hourlier, D., Brunel, D., Deresmes, D., Nys, J.P., Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2007

41. Catalytic growth of silicon nanowires supported on high surface oxide substrates

Author

Hourlier, D., Lefebvre, P., Addad, A., Vannier, R.N., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

42. Raman spectroscopy characterization of single Si-nanowires

Author

Marczak, M., Jastrzebski, C., Gebricki, W., Zdrojek, M., Melin, Thierry, Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

43. Raman spectroscopy and AFM characterization on individual Si-based nanowires

Author

Marczak, M., Zdrojek, M., Gebicki, W., Jastrzebski, C., Melin, Thierry, Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

44. Caractérisation de nanofils de Si par sonde atomique tomographique

Author

Lardé, R., Houard, J., Cadel, E., Pareige, P., Hourlier, D., Stievenard, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

45. Assemblage de nano-objets par diélectrophorèse

Author

Diesinger, H., Marczak, M., Luxembourg, D., Coffinier, Y., Hourlier, D., Melin, Thierry, Tilmant, P., Stievenard, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

46. The major role of thermodynamics in the comprehension of 1D structures growth

Author

Hourlier, D., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

47. Thermodynamic study of silicon nanowire growth mechanisms

Author

Hourlier, D., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2006

48. Etude par simulation numérique d'un réacteur de synthèse de nanopoudres. Effets de l'écoulement

Author

Amara, Mohamed, El Ganaoui, M., Bahloul-Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

49. Apport de la thermodynamique dans la compréhension de la croissance des nanostructures 1D

Author

Bahloul-Hourlier, D., Perrot, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

50. Etude par simulation numérique des transferts de chaleur et de masse dans un réacteur de synthèse de nanopoudres

Author

Amara, Mohamed, El Ganaoui, M., Bahloul-Hourlier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

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