Die globale Erw��rmung der Erde verlangt eine Reduktion unseres Energieverbrauchs und einen Wechsel der Energiequellen hin zu erneuerbaren Energien. Der Stromverbrauch des Internets liegt 2020 bei etwa 10 % des globalen Strombedarfs mit steigender Tendenz. Eines der Probleme ist die geringe Effizienz der verwendeten Laser auf InP-Basis f��r die Kommunikation via Glasfaserkabel. Die Entwicklung effizienterer Laser, basierend auf der GaAs-Plattform stellen eine lang ersehnte Alternative dar. Die vorliegende Arbeit k��nnte in der Zukunft einen Beitrag dazu leisten, den Energieverbrauch der Glasfaserkommunikationssysteme zu senken. Basierend auf verd��nnt Bismuth-haltigen Halbleitern wurden zwei unterschiedliche Ans��tze, f��r die Anwendung in Laserbauelementen auf GaAs Substraten, verfolgt. Die Untersuchungen zum Wachstum von (Ga,In)(As,Bi) auf GaAs zeigten, dass die erreichbare Gitterfehlanpassung von (Ga,In)(As,Bi) limitiert ist. Die kompressive Gitterfehlanpassung erh��hte sich nicht durch den Einbau von In, stattdessen sank der Bi Einbau, w��hrend die Gitterfehlanpassung konstant blieb. Das ��bersch��ssige Bi segregierte an der Oberfl��che, wodurch sich metallische Tropfen ausbildeten. Die beabsichtigte Rotverschiebung der Wellenl��nge im Vergleich zum tern��ren Ga(As,Bi) wurde deshalb nicht erreicht. In Zukunft sollten sich die Experimente auf ein tieferes Verst��ndnis des Ga(As,Bi)-Wachstums fokussiert werden, vor allem bei niedrigen Temperaturen, bevor Ga(As,Bi) mit weiteren Materialien vermischt wird. Die Entwicklung neuer Pr��kursoren f��r das metallorganische Gasphasenepitaxie-Wachstum bei niedrigen Temperaturen k��nnte dabei helfen. Das Wachstum der Typ-II-Strukturen zeigte einen erfolgsversprechenden Pfad f��r weitere Untersuchungen zu Lasern mit Emissionswellenl��ngen um 1.55 ��m auf GaAs Substraten. Eine wesentliche Herausforderung bei der Herstellung dieser Strukturen waren die Grenzfl��chen zwischen den verwendeten Materialien, welche signifikante Anpassungen der Wachstumsbedingungen erfordern. F��r eine optimale optische Qualit��t der Ga(As,Bi) Schichten wurde eine Benetzung der Oberfl��che mit Bi f��r 60 s vor dem Ga(As,Bi)-Wachstum eingef��hrt. Die Dauer dieser Benetzung sollte in Zukunft auf der Ga(N,As)-Oberfl��che untersucht und optimiert werden, um eine ausreichende optische Qualit��t der WQW-Heterostrukturen zu garantieren. An der zweiten Grenzfl��che muss das ��bersch��ssige Bi vor dem Wachstum des zweiten Ga(N,As)-QW von der Oberfl��che desorbiert werden, damit der gew��nschte N-Einbau erreicht werden kann. Deshalb wurde auf der Ga(As,Bi)-Oberfl��che die Temperatur auf 625 ��C erh��ht und das Bi f��r 120 s desorbiert. In weiteren Experimenten sollten die Konzentrationen und Dicken der Schichten optimiert werden, um spezielle Wellenl��ngen, wie 1.55 ��m oder l��nger, zu erreichen. Die gr����te Herausforderung wird vermutlich die Optimierung der Benetzung der Oberfl��che mit Bi sein, welche mit dem RAS in situ untersucht werden kann. Die Laseremission bei Raumtemperatur einer (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As WQW Laserdiode ist ein bedeutsamer Durchbruch f��r Ga(As,Bi) basierte Typ-II Strukturen. Es wurde eine Struktur mit einer Emissionswellenl��nge von 1037 nm in Kombination mit einer optischen Effizienz von 48 mW/A hergestellt. Der Machbarkeitsbeweis rechtfertigt weitere Forschung in diesem Bereich. Ausgehend von diesem Prototyp lassen sich in Zukunft, durch ausgekl��geltes Anpassen der Kompositionen und Dicken der einzelnen Schichten, langwelligere Laser realisieren. Obwohl kein Laser mit einer Emissionswellenl��nge nahe den technologisch interessanten Wellenl��ngen von 1.3 ��m und 1.55��m hergestellt werden konnte, zeigt die vorliegende Arbeit aussichtsreiche M��glichkeiten f��r Ga(As,Bi) basierte Typ-II Strukturen, um das lang ersehnte Ziel langwelliger Laser auf GaAs Substraten zu erreichen., Global warming mandates change of our energy budget and sources towards renewable energies8,9. The internet has a total consumption of 10 % of the world's electricity demand increasing every year10. Poor efficiency of the InP laser device used for optical fiber communication is one particular issue12���15. More efficient laser devices on the GaAs platform would provide a long-desired alternative. In the future, the present thesis may give a contribution to reduce energy consumption in fiber communication systems. Based on dilute bismides two approaches have been investigated for laser device application on GaAs substrates. The growth of (Ga,In)(As,Bi) on GaAs revealed a limitation on the accessible compressive lattice mismatch. Instead of increasing the compressive lattice mismatch of the layer, the Bi fraction has been reduced upon In incorporation at a constant level of lattice mismatch. The reduced Bi incorporation has led to surplus Bi segregating to the growth surface, eventually forming metallic droplets. Hence, the desired redshift of the emission wavelength compared to ternary Ga(As,Bi) has not been possible. Future experiments should focus on a deeper understanding of the Ga(As,Bi) growth, especially at lower temperatures to increase the Bi fraction before alloying with another material. Development of alternative precursors for low-temperature metallorganic vapor phase epitaxy growth can help to achieve the desired composition. The growth of the Type-II heterostructures gives a promising path for further investigations towards laser emission at 1.55 ��m on GaAs substrates. A crucial challenge is the interface formation during growth in these heterostructures, which requires significant adaptions to the growth conditions at the interfaces. To optimize the optical quality of the Ga(As,Bi) layer a Bi wetting of 60 s has been established to account for segregation effects. In future experiments, the Bi wetting needs to be optimized on Ga(N,As) layers to ensure a high optical quality of WQW heterostructures even at high N fractions. At the second interface of a WQW the surplus Bi must be desorbed before the growth of the second Ga(N,As) layer. Otherwise, the N incorporation is suppressed. Therefore, a temperature increase to 625 ��C has been established with subsequent annealing for 120 s to allow all residual Bi to desorb. For future experiments, the molar fractions and thicknesses of the respective layers should be optimized for particular emission wavelengths, namely 1.55 ��m and beyond. Challenge will be the optimization of the Bi wetting, which could be performed in-situ using RAS. Room-temperature laser operation of (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As WQW laser device is a thriving breakthrough for Ga(As,Bi) based Type-II heterostructures, proving the concept and justifying further research. An emission wavelength of 1037 nm has been achieved with an optical efficiency of 48 mW/A. Starting with this prototype structure, the emission wavelength can be shifted further by carefully adjusting the molar fractions and thicknesses. Even though no laser device with an emission wavelength of the technologically essential wavelengths of 1.3 ��m and 1.55 ��m has been demonstrated, the present thesis gives promising paths for Ga(As,Bi) based Type-II heterostructures in achieving the long-desired goal for long-wavelength lasers on GaAs substrates.