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19 results on '"Germanicus, Rosine Coq"'

2. Electrical Characterizations Based on AFM: SCM and SSRM Measurements with a Multidimensional Approach

Author

Germanicus, Rosine Coq, Lüders, U., Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], Electrical and Electronic Engineering, Safety, Risk, Reliability and Quality
Abstract

This article demonstrates the value of atomic force microscopes, particularly the different electrical modes, for characterizing complex microelectronic structures. It presents experimental results obtained from deep trench isolation (DTI) structures using SCM and SSRM analysis with emphasis on the voltage applied by the AFM. From these measurements, a failure analysis workflow is proposed that facilitates AFM voltage optimization to reveal the structure of cross-sectioned samples, make comparisons, and determine the underlying cause of failures.

Published
2022

3. De l’interaction pointe-matière à la nanocaractérisation électrique et mécanique par AFM

Author

Germanicus, Rosine Coq, Luders, U., Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Les entreprises caennaises Murata, NXP et Presto Engineering ainsi que l’Institut CARNOT « énergie et systèmes de propulsion » et la région Normandie ont soutenu ces travaux à travers le financement de projets de recherche.

Subjects
[PHYS]Physics [physics], AFM - Atomic force microscopy, semiconducteurs, SCM, SSRM, sMIM, PFT-QNM, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; Depuis plus de 30 ans, la Microscopie à Force Atomique (AFM) a démontré sa capacité à accéder aux propriétés locales de la matière. Très connue pour l’acquisition de la topographie, la technique s’est dotée au fil des années de nombreux modes permettant notamment de cartographier les propriétés mécaniques et électriques à l’échelle nanométrique.Les travaux de recherches présentés dans cet ouvrage traitent quatre modes : le mode mécanique (le Peak Force Tapping Quantitative Nanomechanical Mapping (PF-QNM™)), et trois modes électriques (le Scanning Capacitance Microscopy (SCM), le Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) et le scanning Microwave Impedance Microscopy (sMIM)), spécifiquement pour la microélectronique fortement intégrée.De l’interaction pointe-matière à la nanocaractérisation électrique et mécanique par AFM présente les résultats expérimentaux pour différents cas d’études relatifs au composant microélectronique : du boitier packaging aux profils de dopage du semiconducteur. Basée sur la physique du contact à l’échelle nanoscopique, l’analyse fine de chaque mode expose l’impact des paramètres de mesure et parvient à la mise en place de méthodologies expérimentales.

Published
2023

5. Radiation Hardness Assurance Through System-Level Testing: Risk Acceptance, Facility Requirements, Test Methodology, and Data Exploitation

Author

Coronetti, Andrea, primary, Alia, Ruben Garcia, additional, Budroweit, Jan, additional, Rajkowski, Tomasz, additional, Costa Lopes, Israel Da, additional, Niskanen, Kimmo, additional, Soderstrom, Daniel, additional, Cazzaniga, Carlo, additional, Ferraro, Rudy, additional, Danzeca, Salvatore, additional, Mekki, Julien, additional, Manni, Florent, additional, Dangla, David, additional, Virmontois, Cedric, additional, Kerboub, Nourdine, additional, Koelpin, Alexander, additional, Saigne, Frederic, additional, Wang, Pierre, additional, Pouget, Vincent, additional, Touboul, Antoine, additional, Javanainen, Arto, additional, Kettunen, Heikki, additional, and Germanicus, Rosine Coq, additional

Published
2021
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6. Statistical investigations of an ENIG Nickel film morphology by Atomic Force Microscopy

Author

Germanicus Rosine Coq, Leclère Philippe, Hug Eric, Lallemand Florent, and Descamps Philippe

Subjects
Environmental sciences, GE1-350
Abstract

The morphology of a Nickel layer grown by an Electroless Nickel Immersion Gold (ENIG) technique used for microelectronics interconnections is determined by Atomic Force Microscopy (AFM) investigations. The root mean square (rms) roughness, determined over a scanned area is a function of the AFM scanned area size. In this work, we propose to consider the dynamic scale theory and the power spectrum density (PSD) analysis in order to perform a comprehensive determination of the surface properties of the ENIG nickel layer. Results highlight the existence of a first regime with a roughness exponent of 0.95 and a fractal dimension (DF) of the nickel film about 2.05. This case study is presented in order to propose further investigations. In fact, same experimental procedure should be performed in a magnetic shielded zone where a very low noise level is available such as the Low-Noise Underground Laboratory (LSBB) of Rustrel (France).

Published
2016
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7. Three dimensional resistance mapping of self-organized Sr3V2O8 nanorods on metallic perovskite SrVO3 matrix

Author

Germanicus, Rosine Coq, primary, Bourlier, Yoan, additional, Notot, Vincent, additional, Bérini, Bruno, additional, Demange, Valérie, additional, Berthe, Maxime, additional, Boileau, Alexis, additional, Euchin, Matthieu, additional, Dumont, Yves, additional, Aureau, Damien, additional, Fregnaux, Mathieu, additional, Grandidier, Bruno, additional, Lüders, Ulrike, additional, David, Adrian, additional, Prellier, Wilfrid, additional, Biadala, Louis, additional, and Fouchet, Arnaud, additional

Published
2020
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8. Silicon carbide power MOSFETs under neutron irradiation: Failure In Time demonstration and long term reliability degradation evaluation

Author

Niskanen, K., Touboul, Antoine, Germanicus, Rosine Coq, Michez, A., Wrobel, Frédéric, Boch, J., Pouget, V., Girones, P., Morand, S., Crépel, O., Weulersse, C., Binois, C., Saigné, F., Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Radiations et composants (RADIAC), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) (CEA-DES (ex-DEN)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire de météorologie physique (LaMP), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 (UBP)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS), Astrium [Toulouse], EADS - European Aeronautic Defense and Space, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Airbus Group Innovations [Toulouse], Airbus [France], Airbus Defence and Space [Les Mureaux], and ASTRIUM

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2019

9. Détermination des propriétés mécaniques de matériaux très rigides : comparaison entre nanoindentation instrumentée, Microscopie à Force Atomique en mode Peak Force Tapping et Contact Résonant

Author

Germanicus, Rosine Coq, Mercier, D., Febvre, M., Beaumale, J., Descamps, Philippe, Leclere, P., Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (IRSEEM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), and Descamps, Philippe

Subjects
[SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other, [SPI.OTHER] Engineering Sciences [physics]/Other, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2018

10. Caractérisation par nanoindentation du GaN irradié par des ions uranium de grande énergie

Author

Eve, Sophie, Moisy, Florent, Germanicus, Rosine Coq, Grygiel, Clara, HUG, Eric, Monnet, Isabelle, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)

Subjects
[CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, [SPI]Engineering Sciences [physics], Mechanical characterization, Caractérisation mécanique, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Irradiation, Ions lourds rapides, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, AFM, Swift heavy ions, Nanoindentation, GaN
Abstract

International audience; The mechanical behavior of thin films of gallium nitride GaN, irradiated with swift heavy uranium ions, has been investigated by nanoindentation. Results show a decrease of the mechanical properties of the material due to irradiation, correlated to the increase of the fluency of the U ions. The growing disturbance of the GaN crystalline lattice caused by irradiation results in a change in the deformation mechanisms of the material. Highly disordered zones obstruct the dislocation motion, leading to the dislocations pile-up at the film/substract interface, and a consecutive increase of the hardness. Up to a fluency of 10(13) ions/cm(2), the recovering of the latent tracks created along the paths of the rapidly moving ions brings a significant drop of the mechanical properties of the GaN films, correlated with a homogenization of the behavior of the materials irradiated with elevated fluencies.; Le comportement mécanique de films minces de nitrure de gallium GaN irradiés par des ions uranium accélérés a été étudié par nanoindentation. Les résultats montrent une décroissance des propriétés mécaniques du matériau par irradiation, corrélée à l’augmentation de la fluence des ions U utilisés. La perturbation croissante du réseau cristallin du GaN par irradiation conduit à une modification des mécanismes de déformation du matériau, les zones fortement désordonnées gênant le mouvement des dislocations et résultant en leur accumulation au niveau de l’interface, et à une augmentation de la dureté. Au-delà d’une fluence de 1013 ions/cm2, le recouvrement des traces latentes créées par le passage des ions lourds conduit à une chute significative des caractéristiques mécaniques des films, et une uniformisation du comportement des matériaux irradiés aux fortes fluences.

Published
2017

11. Reliability analysis of BiCMOS SiGe:C technology under aggressive conditions for emerging RF and mm-wave applications: proposal of reliability-aware circuit design methodology

Author

Lahbib, Insaf, primary, Wane, Sidina, additional, Doukkali, Aziz, additional, Lesénéchal, Dominique, additional, Dinh, Thanh Vinh, additional, Leyssenne, Laurent, additional, Germanicus, Rosine Coq, additional, Bezerra, Françoise, additional, Rolland, Guy, additional, Andrei, Cristian, additional, Imbert, Guy, additional, Martin, Patrick, additional, Descamps, Philippe, additional, Boguszewski, Guillaume, additional, and Bajon, Damienne, additional

Published
2018
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12. Reliability analysis of BiCMOS SiGe:C technology under aggressive conditions for emerging RF and mm-Wave applications

Author

Lahbib, Insaf, primary, Wane, Sidina, additional, Lesenechal, Dominique, additional, Doukkali, Aziz, additional, Dinh, Thanh Vinh, additional, Leyssenne, Laurent, additional, Germanicus, Rosine Coq, additional, Bezerra, Franqoise, additional, Rolland, Guy, additional, Andrei, Cristian, additional, Imbert, Guy, additional, Martin, Patrick, additional, Descamps, Philippe, additional, Boguszewski, Guillaume, additional, and Bajon, Damienne, additional

Published
2017
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13. Détection des états de surface à l’interface Si/SiO2 par balayages successifs en mode SSRM

Author

Germanicus, Rosine Coq, Leclère, P., Guhel, Yannick, Boudart, B., Descamps, Philippe, HUG, Eric, Eyben, P, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg (LUSAC), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Mons (UMons), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), and BOUDART, Bertrand

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2016

14. Nanoindentation of Si3N4 for microelectronic Underlayer influence [Nanoindentation du Si3N4 pour la microelectronique influence de la sous-couche]

Author

Germanicus, Rosine Coq, Eve, S., Lallemand, F., Hug, E., Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)

Subjects
Passivation, Silicon nitride, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Under layer, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, AFM, Nanoindentation
Abstract

In order to protect microelectronic structures, a silicon nitride (Si3N4) film is typically used as the final passivation layer. During the Back End process, wafer processing steps such as thinning, bonding, sawing or assembly could induce several mechanical strains in the materials. In this paper, the mechanical behavior of Si3N4 deposited on two under layers SiO2 and Al98.96Si1.00Cu0.04, from the same silicon wafer, is investigated by nanoindentation. The load-displacement curves indicate different mechanical behaviors. The unloading curve shows mainly viscoelastic deformation for the Si3N4/SiO2 system. Deposited on AlSiCu, the sample exhibits a plastic deformation with pop in, when the indenter penetrates into the material. Residual indents measured with an atomic force microscope, after nanoindentation, present significant shape differences, for the under layer AlSiCu the indentation induces cracks. © 2015 EDP Sciences.

Published
2015

15. Nanoindentation du Si3N4 pour la microelectronique : influence de la sous-couche

Author

Germanicus, Rosine Coq, Eve, S., Lallemand, F., Hug, E., Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and IPDiA

Subjects
Passivation, Silicon nitride, [CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry, Under layer, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, [CHIM]Chemical Sciences, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Nitrure de Silicium, AFM, Sous-couche, Nanoindentation
Abstract

International audience; In order to protect microelectronic structures, a silicon nitride (Si3N4) film is typically used as the final passivation layer. During the Back End process, wafer processing steps such as thinning, bonding, sawing or assembly could induce several mechanical strains in the materials. In this paper, the mechanical behavior of Si3N4 deposited on two under layers SiO2 and Al98.96Si1.00Cu0.04, from the same silicon wafer, is investigated by nanoindentation. The load-displacement curves indicate different mechanical behaviors. The unloading curve shows mainly viscoelastic deformation for the Si3N4/SiO2 system. Deposited on AlSiCu, the sample exhibits a plastic deformation with pop in, when the indenter penetrates into the material. Residual indents measured with an atomic force microscope, after nanoindentation, present significant shape differences, for the under layer AlSiCu the indentation induces cracks. © 2015 EDP Sciences.; Dans le but de protéger les structures microélectroniques, le nitrure de silicium (Si3N4) est souvent utilisé comme ultime couche de passivation. Les matériaux des structures peuvent être amenés à subir de nombreuses contraintes mécaniques lors des opérations de procédé « Back-end » comme le rodage, les soudures, le sciage ou encore la mise en boîtier. Nous proposons d’étudier le comportement mécanique par nanoindentation du Si3N4 déposé sur deux sous couches différentes : SiO2 et Al98.96Si1.00Cu0.04, le tout étant réalisé sur une même plaque de silicium. Les courbes de force-déplacement révèlent une réponse différente à la nanoindentation. La courbe de décharge indique une déformation principalement viscoélastique pour le système Si3N4/SiO2. Déposé sur l’AlSiCu, l’échantillon montre une déformation plastique accompagnée de nombreux pop in, lorsque l’indenteur s’enfonce dans la matière. Les empreintes résiduelles, après nanoindentation, mesurées par microscopie à force atomique dévoilent des géométries différentes avec l’apparition de fissures du nitrure de silicium lorsqu’il est déposé sur la sous-couche AlSiCu.

Published
2015

16. Reliability analysis of BiCMOS SiGe:C technology under aggressive conditions for emerging RF and mm-wave applications: proposal of reliability-aware circuit design methodology.

Author

Kallfass, Ingmar, Vossiek, Martin, A. Hein, Matthias, Lahbib, Insaf, Wane, Sidina, Doukkali, Aziz, Lesénéchal, Dominique, Dinh, Thanh Vinh, Leyssenne, Laurent, Germanicus, Rosine Coq, Bezerra, Françoise, Rolland, Guy, Andrei, Cristian, Imbert, Guy, Martin, Patrick, Descamps, Philippe, Boguszewski, Guillaume, and Bajon, Damienne

Published
2018
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17. Correlation between electron and proton induced permanent degradation in a COTS optocoupler

Author

Germanicus, Rosine Coq, Dusseau, L., Rolland, G., Ecoffet, R., Fesquet, J., Gasiot, J., Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2002

18. High Energy Particles Irradiation of Optically Stimulated Luminescent Films at CERN

Author

Dusseau, L., Polge, G., Mathias, S., Vaillé, J.-R., Germanicus, Rosine Coq, Broahead, R., Camanzi, B., Saigné, Frédéric, Fesquet, J., Gasiot, J., Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 (CRESTIC), and Université de Reims Champagne-Ardenne (URCA)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2001

19. Etude de la sensibilité aux protons et à l’effet de dose des optocoupleurs COTS SIEMENS SFH610A

Author

Germanicus, Rosine Coq, Dusseau, L., Lorfèvre, E., Saigné, Frédéric, Fesquet, J., Gasiot, J., Mion, O., Barde, S., Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 (CRESTIC), and Université de Reims Champagne-Ardenne (URCA)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2000

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