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18 results on '"Galloo, J.S."'

2. Low and room temperature studies of RF to DC rectifiers based on ballistic transport

Author

Berdnarz, L., Rashmi, R., Hackens, B., Bayot, V., Huynen, S., Galloo, J.S., Roelens, Yannick, Bollaert, S., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

3. Technologie, simulation et caractérisation à T=300K de dispositifs balistiques de type GaInAs/AlInAs avec grille de commande

Author

Galloo, J.S., Gardes, C., Teukam, Z., Roelens, Y., Bollaert, S., Wallart, X., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

4. Trends and challenge in micro and nanoelectronics device research in Europe

Author

Cappy, A., Wichmann, N., Galloo, J.S., Bollaert, S., Roelens, Y., Mateos, J., Gonzalez, T., Knap, W., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

5. Ballistic devices based on T-Branch Junctions and YBranch Junctions on GaInAs/AlInAs heterostructures

Author

Galloo, J.S., Roelens, Y., Bollaert, S., Pichonat, E., Wallart, X., Cappy, A., and Mateos, J.

Subjects
ING-INF/01 Elettronica, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Abstract

We present processes for building passive and active ballistic devices. A 2D Monte Carlo simulator was used to optimize these devices. We present also the study of the transition between ballistic and ohmic transport in T-Branch Junctions (TBJs) at room temperature by using DC characterization. Then we show experimental results for YBranch Junctions (YBJs) compared with Monte Carlo Simulations.

Published
2004

6. Technologie pour dispositifs AlInAs/GaInAs

Author

Galloo, J.S., Pichonat, E., Bollaert, S., Roelens, Y., Wallart, X., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

7. Ballistic devices based on T-branch junctions and Y-branch junctions on GaInAs/AlInAs heterostructure

Author

Galloo, J.S., Roelens, Yannick, Bollaert, S., Pichonat, E., Wallart, X., Cappy, A., Mateos, J., Gonzales, T., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

8. Fabrication of nano-ballistic devices using high resolution process

Author

Pichonat, E., Galloo, J.S., Roelens, Y., Bollaert, S., Wallart, X., Cappy, A., Mateos, J., Gonzales, T., Boutry, H., Bayot, V., Berdnarz, L., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Universidad de Salamanca, and Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain (UCL)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2003

9. Lignes coplanaires hautes impédances, influence d'une couche diélectrique

Author

Roelens, Y., Galloo, J.S., Pichonat, E., Bollaert, S., Six, G., Cappy, A., Huynen, S., Berdnarz, L., Mateos, J., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2003

10. Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices

Author

Mateos, J., Vasallo, B.G., Pardo, D., Galloo, J.S., Bollaert, S., Roelens, Y., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2003

11. Composants balistiques pour applications térahertz

Author

Bollaert, S., Roelens, Y., Galloo, J.S., Huynen, S., Boutry, H., Mateos-Lopez, J., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain (UCL), and Universidad de Salamanca

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2003

12. Room temperature nonlinear transport in InGaAs/InAlAs based ballistic nanodevices

Author

Mateos, J., Vasallo, B.G., Pardo, D., Gonzales, T., Boutry, H., Hackens, B., Bayot, V., Berdnarz, L., Galloo, J.S., Wallart, X., Bollaert, S., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2003

15. Transition from ballistic to ohmic transport in T-Branch Junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures

Author

Galloo, J.S., Pichonat, E., Roelens, Y., Bollaert, S., Wallart, X., Cappy, A., Mateos, J., Gonzales, T., Boutry, H., Bayot, V., Berdnarz, L., Huynen, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Universidad de Salamanca, and Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain (UCL)

Subjects
Electron mobility, Materials science, business.industry, Temperature, Heterojunction, Semiconductor device, Frequency, Bit rate, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, Indium phosphide, Characterization (materials science), Gallium arsenide, Resists, Scattering, Synthetic aperture sonar, chemistry.chemical_compound, [SPI]Engineering Sciences [physics], chemistry, Condensed Matter::Superconductivity, Ballistic conduction, Wet etching, Optoelectronics, business, Ohmic contact, Indium gallium arsenide
Abstract

International audience; We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic transport at room temperature and also experimental results for Y-Branch Junctions(YBJS).

16. Room temperature nonlinear transport in InGaAs/AlInAs based ballistic nanodevices

Author

Mateos, J., primary, Vasallo, B.G., additional, Pardo, D., additional, Gonzalez, T., additional, Boutry, H., additional, Hackens, B., additional, Bayot, V., additional, Bednarz, L., additional, Simon, P., additional, Huynen, I., additional, Galloo, J.S., additional, Pichonat, E., additional, Roelens, Y., additional, Wallart, X., additional, Bollaert, S., additional, and Cappy, A., additional

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