Transparent conductive electrodes (TCEs) are an essential component in optoelectronic devices in the areas of consumer electronics, photovoltaics as well as solid state lighting. Therefore, a high optical transmittance and a high electrical conductivity are crucial for their efficient use e.g. in flat-panel displays, touchscreens, solar cells and light emitting diodes (LEDs). Indium tin oxide (ITO) is currently the predominantly used TCE, with a good trade-off between conductivity and transparency but with the major drawback that indium is a scarce element with a strategic reach of only a few years if used widely in all sorts of devices. Furthermore, it has additional downsides such as its brittleness and comparably high deposition and sintering temperatures, which keep these films from being used e.g. on cheap and flexible polymer substrates. To provide low thermal budget TCE film deposition with reduced brittleness and high applicability even on bendable substrates, current research focuses on the development of new alternative materials that fulfill these requirements and in addition provide for cost- and material-efficient synthesis routes. In recent years, thin film electrodes composed of silver nanowire networks offer a prom-ising approach to replace ITO thin films due to their excellent optoelectronic properties. Moreover, silver nanowire networks are characterized by low production costs and a fabrication by easily scalable, low-temperature deposition techniques. However, for a long-term stability in ambient conditions and thus, for a real life application, the silver nanowire surfaces need to be protected against sulfidation, which yields insulating silver sulfide layers on the silver nanowires, deteriorating the electrode’s conductivity. The present thesis aims at contributing to the development of novel routes towards high quality TCE films based on silver nanowire networks. Optimization strategies will be presented aiming at the highest optical transparency at the best electrical conductivity with decent long-term viability due to chemical and mechanical stability. A first prerequisite for good TCE properties in the aforementioned sense is to account for entire percolation of the silver nanowires in the random networks. This percolation strongly depends on the dimensions of individual nanowires and the area coverage with nanowires. Here, large area, high resolution scanning electron microscopy with subse-quent statistical analysis provides for the respective numbers of area coverage and percolation probability. Adapting open source image processing routines in ImageJ to determine nanowire percolation and coverage, provided easy to use optimization procedures to account for improved electrodes from a conductivity and transparency point of view. Based on this simulation aided electrode optimization, a developmental acceleration could be obtained. In particular, for each unknown silver nanowire suspension, composed of nanowires with varying dimensions, an optimized coverage could easily be determined. As an essence of multiple experimental variations of silver nanowire dimensions, it could be concluded that especially nanowires with high aspect ratios such as ~ 130, yield good electrodes with sheet resistances of as low as 40 Ω/sq at an optical transmittance of > 90%. These values compare well with state of the art ITO electrodes used in commercial applications. As a handle towards highest conductivity at given silver nanowire dimensions, optimized contact areas at nanowire crossing points are required. Here, thermal annealing routines between 200°C and 250°C could be developed, which reduce the contact resistance between individual silver nanowires from untreated 1.5 kΩ to annealed 10 Ω resistance values. To account for long-term stability of high aspect ratio silver nanowires with their particularly large surface area, atomic layer deposition (ALD) was supplied to coat the nanowires with a conformal, protective thin film of the conducting, wide band gap metal-oxide, aluminum doped zinc oxide (AZO). ALD deposition permits a homogeneous encapsulation of nano-objects with atomic scale thickness precision and full conformity due to the self-limiting reaction process. Moreover, ALD deposition reaches ‘hidden’ places which occur below and between silver nanowires and thus improves the adhesion of the nanowires to the substrate. The conductivity of AZO itself reduces the overall resistivity of the electrode when being applied together with silver nanowires as their protective film. It is shown that silver nanowires, embedded in protecting AZO thin films form a new type of composite electrode, with all requirements provided such as high levels of transparency and conductivity, low thermal budget processing at low levels of material consumption as well as mechanical and thermal stability (up to 600°C). Furthermore, the AZO encapsulation protects silver nanowire networks effectively and thus, more than eight months stability in ambient conditions could be reached without any sulfidation of the nanowires and with no deterioration of the electrode performance. To demonstrate the applicability of the novel composite electrode, it was used as a top electrode for a silicon based solar cell device demonstrator. Preliminary results are promising, showing that the novel composite electrode yields a ~ 40% higher short-circuit current density compared to the best reference electrode composed of a thermally evaporated silver grid. While the short-circuit current profits from a reduced shadowing of the active device area due to the high electrode transparency, the series resistance (~ 4 Ωcm2) does not suffer and compares well with the reference solar cell with grid electrode. To motivate a wider use of the novel composite electrode, it is demonstrated that it can flexibly be integrated also in three-dimensional device architectures. Finally, a huge cost-saving potential is seen, due to an overall low material consumption and in particular, the entire omission of scarce elements such as indium. The base for the reproducibly good electrode parameters is the easy to use open-source simulation aided optimization of coverage and percolation. Transparente leitfähige Elektroden sind ein wesentlicher Bestandteil optoelektronischer Bauelemente sowohl in der Unterhaltungselektronik als auch in den Bereichen der Photovoltaik und der Festkörperbeleuchtung. Dabei ist eine hohe Tranzparenz und Leitfähigkeit für ihren effizienten Einsatz, z.B. in Flachbildschirmen, Touchscreens, Solarzellen und Leuchtdioden, von entscheidender Bedeutung. Indiumzinnoxid ist derzeit das meist verwendete transparente Elektrodenmaterial, da es gleichzeitig über eine sehr hohe Leitfähigkeit und Transparenz verfügt. Jedoch bringt die Verwendung des seltenen Elements Indium in einer Vielzahl von Bauelementen den Nachteil mit sich, dass seine strategische Reichweite nur auf wenige Jahre begrenzt sein wird. Darüber hinaus hat Indiumzinnoxid zusätzliche Nachteile, wie z.B. eine hohe Sprödigkeit und vergleichsweise hohe Abscheide- und Sintertemperaturen, welche eine Beschichtung z.B. von kostengünstigen und flexiblen Polymersubstraten unmöglich macht. Um hochqualitative transparente Elektroden mit geringer Sprödigkeit auf flexiblen Substraten abzuscheiden, sind Materialen notwendig, welche sich mit Hilfe von Niedrigtemperaturprozessen herstellen lassen. Die aktuelle Forschung konzentriert sich deshalb auf die Entwicklung neuer Materialen, welche diese Anforderungen erfüllen und darüber hinaus, kosten- und materialeffiziente Herstellungsmethoden bereitstellen. Durch ihre hervorragenden optoelektronischen Eigenschaften stellten Dünnfilmelektroden aus Silber-Nanodraht-Netzwerken in den letzten Jahren einen vielversprechenden Ansatz dar, Indiumzinnoxid in Zukunft zu ersetzen. Silber-Nanodraht-Elektroden zeichnen sich durch niedrige Produktionskosten und einfach skalierbare Herstellungsverfahren unter Einsatz von moderaten Temperarturen aus. Damit Silber-Nanodrähte jedoch eine Langzeitstabilität in normalen Umgebungsbedingungen und somit eine Einsatztauglichkeit in realen Anwendungen aufweisen können, müssen ihre Oberflächen vor Sulfidierung geschützt werden. Diese Art der Korrosion hätte sonst zur Folge, dass sich eine isolierende Silbersulfid-Schicht um die Drähte ausbildet, welche die Leitfähigkeit der gesamten Elektrode verschlechtert. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Entwicklung einer neuartigen Silber-Nanodraht-basierten transparenten Elektrode. Es werden Optimierungsstrategien vorgestellt, welche auf die höchste optische Transparenz in Verbindung mit der besten elektrischen Leit-fähigkeit und einer langfristigen Funktionsfähigkeit durch eine chemische und mechanische Stabilität abzielen. Eine erste Voraussetzung für funktionsfähige Silber-Nanodraht-basierte transparente Elektroden ist die vollständige Perkolation der Silberdrähte innerhalb des Netzwerks. Diese Perkolation hängt sehr stark von den Abmessungen der einzelnen Nanodrähte sowie von der Flächenbedeckung mit Nanodrähten ab. Hierzu liefert die großflächige, hochauflösende Rasterelektronenmikroskopie mit anschließender statistischer Analyse eine Möglichkeit, die jeweiligen Flächenbedeckungen und Perkolationswahrscheinlichkeiten der Netzwerke zu bestimmen. Das Anpassen von Bildverarbeitungsroutinen im Open-Source Programm ImageJ, ermöglicht die Bestimmung von Perkolations- und Bedeckungsgraden von Silbernanodraht-Netzwerken und stellt somit eine Grundlage für ein einfach zu bedienendes Optimierungsverfahren dar, welches zu einer Verbesserung der elektrischen und optischen Eigenschaften von Silber-Nanodraht-Elektroden beitragen kann. Basierend auf dieser simulationsgestützten Elektrodenoptimierung kann eine Entwicklungsbeschleunigung erreicht werden. Insbesondere kann für jede neue Silber-Nanodraht-Suspension, welche sich aus Nanodrähten mit unterschiedlichen Abmessungen zusammensetzt, ein optimaler Bedeckungsgrad bestimmt werden. Ein wesentliches Ergebnis aus einer Vielzahl von experimentellen Silber-Nanodraht-Synthesen zeigte, dass aus Silber-Nanodrähten mit einem hohen Aspektverhältnis, z.B. ~ 130, sehr gute Elektroden mit geringen Schichtwiderständen (~ 40 Ω/sq) bei gleichzeitig hoher Transparenz (> 90%) hergestellt werden können. Diese Werte sind mit denen von kommerziell verwendeten Indiumzinnoxid-Elektroden vergleichbar. Eine Möglichkeit, um die höchste Leitfähigkeit von Silber-Nanodraht-Elektroden bei gegebenen Drahtabmessungen zu erzielen, bietet die Optimierung der Kontaktflächen an Nanodrahtkreuzungen. In der vorliegenden Arbeit wurden Wärmebehandlungen bei 200-250°C entwickelt, welche den Kontaktwiderstand zwischen den Nanodrähten und somit den Gesamtwiderstand von 1.5 kΩ/sq (unbehandelt) auf bis auf 10 Ω/sq reduzieren konnten. Um die Langzeitstabilität von Silbernanodrähten zu ermöglichen, wurden diese unter Ver-wendung der Atomlagenabscheidung konform mit einem schützenden und leitfähigen Dünn-film aus aluminiumdotiertem Zinkoxid (AZO) beschichtet. Die Atomlagenabscheidung er-möglicht aufgrund ihrer selbstlimitierenden Oberflächenreaktionen eine homogene Verkapselung von Nanoobjekten mit atomarer Genauigkeit und Konformität. Darüber hinaus erreicht man mit Hilfe der Atomlagenabscheidung auch Bereiche unterhalb und zwischen den Silberdrähten, wodurch eine verbesserte Haftung der Silberdrähte am Substratmaterial erzielt wird. Die Leitfähigkeit von der AZO-Schicht trägt dabei zu einer Verringerung des Gesamtwiderstands bei einem gleichzeitigen Korrosionsschutz der Elektrode bei. Insgesamt stellen in AZO verkapselte Silber-Nanodrähte eine neue Art von Verbundelektrode dar, welche alle Anforderungen, wie hohe Transparenz und Leitfähigkeit, Herstellungsverfahren mit geringen Temperaturen, einen niedrigen Materialverbrauch sowie Stabilität bei mechanischen und thermischen Anforderungen (bis zu 600°C) erfüllen. Darüber hinaus schützt die AZO-Verkapselung die Silberdrähte effektiv, so dass eine Stabilität von mindestens acht Monaten in normalen Umgebungsbedingungen ohne eine Verschlechterung der Elektrodeneigenschaften gewährleistet wird. Um die Anwendbarkeit der neuartigen Verbundelektrode zu demonstrieren, wird diese als Frontelektrode in ein Silizium-basiertes Solarzellen-Konzept integriert. Erste Versuche zeigten vielversprechende Ergebnisse. Unter anderem konnte mit der neuartigen Elektrode eine um ~ 40% höhere Kurzschlussstromdichte im Vergleich zu der besten Solarzelle mit einer thermisch aufgedampften Silbergitter-Referenzelektrode erzielt werden. Der Kurzschlussstrom profitiert dabei von einer reduzierten Abschattung der aktiven Fläche der Solarzelle aufgrund der hohen Transparenz der Verbundelektrode. Gleichzeitig ist der gute Serienwiderstand (~ 4 Ωcm2) der Solarzelle vergleichbar mit den Werten der Referenz-Solarzellen. Um den vielseitigen Einsatz der neuartigen Elektrode zu motivieren, wird beispielhaft die Integration in dreidimensionale Gerätearchitekturen erläutert. Die gewonnenen Erkenntnisse zeigen, dass die neuartige Elektrode durch einen insgesamt geringen Materialverbrauch und insbesondere durch die Vermeidung von seltenen Elementen, wie z.B. Indium, ein enormes Kosteneinsparpotential mit sich bringt. Auf der Basis der hier vorgestellten Simulations- und Auswertemethoden können diese Elektroden hinsichtlich ihrer Perkolation und ihres Bedeckungsgrades weiterentwickelt und optimiert werden.