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2. Modeling of microwave top illuminated PIN photodetector under very high optical power

5. Etude théorique du transistor bipolaire à transfert électronique

6. Etude physique des potentialités des structures semi-conductrices III-V à propagation d'onde de charge d'espace en onde millimétrique

7. EAO des circuits microondes en régime temporel : approche physique

8. Modélisation de phototransistors bipolaires à hétérojonction Inp/InGaAs de type guide d'onde

9. Applications hyperfréquences et optoélectroniques des transistors à effet de champ à transfert électronique

10. Radar millimétrique de courte portée à impulsions de conception simple à diode Gunn planaire à injection MESFET

11. La diode Gunn planaire à injection MESFET, un nouveau composant pour l'optoélectronique ?

12. Modélisation d'un oscillateur pulsé basée sur le couplage de modèles physique, électrique, thermique et électromagnétique

13. Modeling of PIN photodetectors for microwave and high power applications

14. Simulation de photodétecteurs PIN pour des applications de puissance en hyperfréquences

15. Conception d'oscillateurs à diode gunn planaire à injection de type MESFET fonctionnant dans la gamme des ondes millimétriques (33, 60 et 94 GHz)

16. Millimeter wave high-power pulsed IMPATT oscillator modelling

17. Time and frequency domain numerical physical modelling of two-terminal microwave non-linear circuits

18. Modélisation physique des circuits non-linéaires microondes dans les domaines temporel et fréquentiel

19. Réponse temporelle d'un limiteur de puissance hyperfréquence passif à deux diodes PIN au silicium montées tête-bêche

20. Time-domain modeling of the transient response of a back-to-back silicium PIN-diode passive power-limiter circuit

21. Modélisation physique des circuits non-linéaires millimétriques

36. Design of two terminal solid-state mm-wave sources

37. Influence de la relaxation de l' énergie et du moment sur le fonctionnement des diodes IMPATT millimétriques à profil différencié

38. High-power high-efficiency millimeter wave TED's with reverse-biased heterojunction cathode contact

39. Millimeter IMPATT diodes

40. Theoretical contribution to the design of millimeter-waves TEO's

41. Comparaison des différents modes de fonctionnement possibles des composants à transfert électronique à l'InP en gamme millimétrique (100-220 GHz)

42. Diodes Gunn millimétriques

43. Modélisation de dispositifs à transfert électronique à injection de porteurs limitée, en gamme millimétrique

44. Transferred-electron devices modeling in the millimeter and submillimeter ranges (100-200 GHz)

45. Current limiting cathodes for non transit-time limited operation of InP TED's in the 100 GHz window

46. Optimum design of N+NN+ InP devices in the millimeter range. Frequency limitation. RF performance

47. Theoretical investigation of N+NN+ GaInAs TEO's up to the millimeter-wave range

48. New cathode contacts for non transit-time limited InP TED's in the millimeter-wave range

49. Mm-wave solid-state power sources

50. Fundamental and harmonic operation of GaAs transferred-electron oscillators

Catalog

Books, media, physical & digital resources