81 results on '"Friscourt, M.R."'
Search Results
2. Modeling of microwave top illuminated PIN photodetector under very high optical power
3. FECTED oscillator optronic application feasibility
4. Bipolar cathode transferred-electron device for millimeter-wave generation
5. Etude théorique du transistor bipolaire à transfert électronique
6. Etude physique des potentialités des structures semi-conductrices III-V à propagation d'onde de charge d'espace en onde millimétrique
7. EAO des circuits microondes en régime temporel : approche physique
8. Modélisation de phototransistors bipolaires à hétérojonction Inp/InGaAs de type guide d'onde
9. Applications hyperfréquences et optoélectroniques des transistors à effet de champ à transfert électronique
10. Radar millimétrique de courte portée à impulsions de conception simple à diode Gunn planaire à injection MESFET
11. La diode Gunn planaire à injection MESFET, un nouveau composant pour l'optoélectronique ?
12. Modélisation d'un oscillateur pulsé basée sur le couplage de modèles physique, électrique, thermique et électromagnétique
13. Modeling of PIN photodetectors for microwave and high power applications
14. Simulation de photodétecteurs PIN pour des applications de puissance en hyperfréquences
15. Conception d'oscillateurs à diode gunn planaire à injection de type MESFET fonctionnant dans la gamme des ondes millimétriques (33, 60 et 94 GHz)
16. Millimeter wave high-power pulsed IMPATT oscillator modelling
17. Time and frequency domain numerical physical modelling of two-terminal microwave non-linear circuits
18. Modélisation physique des circuits non-linéaires microondes dans les domaines temporel et fréquentiel
19. Réponse temporelle d'un limiteur de puissance hyperfréquence passif à deux diodes PIN au silicium montées tête-bêche
20. Time-domain modeling of the transient response of a back-to-back silicium PIN-diode passive power-limiter circuit
21. Modélisation physique des circuits non-linéaires millimétriques
22. Influence of the operating temperature on the design and utilization of 94-GHz pulsed silicon IMPATT diodes
23. GaAs MESFET injection planar Gunn diode optronic applications
24. Modelling of PIN photodetectors for microwave and high power applications
25. Millimeterwave high power pulsed silicon IMPATT oscillator modelling
26. TIME AND FREQUENCY DOMAIN NUMERICAL PHYSICAL MODELLING OF TWO TERMINAL MICROWAVE NON LINEAR CIRCUITS APPLIED TO MILLIMETER‐WAVE AVALANCHE DIODE FREQUENCY MULTIPLIERS
27. Theoretical and Experimental Comparison Between Fundamental and Harmonic Operation of GaAs MM . Wave T.E.O.'si.
28. Comparative FM Noise of Free-Running or Phase-Locked Gunn Oscillator and Avalanche Frequency Multipliers in the 94 GHz Region.
29. GaAs Monolithic Transferred-Electron Devices for Millimeter Wave Applications.
30. Stable Millimeter Wave Sources using Subharmonically Injection Locked Gunn-Oscillators.
31. High Power High Efficiency Millimeter Wave TED's with Reverse-Biased Hetero-Junction Cathode Contact.
32. Millimeterwave high power pulsed silicon IMPATT oscillator modelling.
33. Comparison between InP and other semiconductor, materials for the realization of millimeter wave two terminal devices.
34. Time-Domain Modeling of the Transient Response of a Back-To-Back Silicon Pin-Diode Passive Power-Limiter Circuit
35. Physical understanding and optimum design of high-power millimeter-wave pulsed IMPATT diodes
36. Design of two terminal solid-state mm-wave sources
37. Influence de la relaxation de l' énergie et du moment sur le fonctionnement des diodes IMPATT millimétriques à profil différencié
38. High-power high-efficiency millimeter wave TED's with reverse-biased heterojunction cathode contact
39. Millimeter IMPATT diodes
40. Theoretical contribution to the design of millimeter-waves TEO's
41. Comparaison des différents modes de fonctionnement possibles des composants à transfert électronique à l'InP en gamme millimétrique (100-220 GHz)
42. Diodes Gunn millimétriques
43. Modélisation de dispositifs à transfert électronique à injection de porteurs limitée, en gamme millimétrique
44. Transferred-electron devices modeling in the millimeter and submillimeter ranges (100-200 GHz)
45. Current limiting cathodes for non transit-time limited operation of InP TED's in the 100 GHz window
46. Optimum design of N+NN+ InP devices in the millimeter range. Frequency limitation. RF performance
47. Theoretical investigation of N+NN+ GaInAs TEO's up to the millimeter-wave range
48. New cathode contacts for non transit-time limited InP TED's in the millimeter-wave range
49. Mm-wave solid-state power sources
50. Fundamental and harmonic operation of GaAs transferred-electron oscillators
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