Search

The effect of uniaxial stress on the mobility of charge carriers in n-Si and p-Si crystals used for the fabrication of n-MOS and p-MOS transistors is considered. The stress dependences of the longitudinal and transverse tensoresistive effects in p-Si obtained for the principal crystallographic orientations (X ║ [100], X ║ [110], and X ║ [111]) are presented. An abrupt decrease of the longitudinal tensoresistive effect in p-Si with increasing stress is due to a reduction of the longitudinal effective mass of heavy holes and the corresponding rise of their mobility. In n-Si, a growth of the uniaxial stress X ║ [100] results in the complete removal of f-transitions from intervalley scattering under a large energy splitting of single-type ∆1-valleys (∆ε > 10 kT), which leads to an increase of the electron mobility in the temperature range 78–300 K. The change of g-transitions under the splitting of single-type ∆1 valleys in this temperature interval has no effect on the electron mobility. We also describe technological developments used by “Intel Corporation” for the fabrication of integrated circuits with uniaxially strained channels of MOS transistors., Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується при виготовленні n-МОН та p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього і поперечного тензорезистивних (ТР) ефектів, отримано у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X ║ [100], X ║ [110], X ║ [111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТР ефекту в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано із зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості при зростанні X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X ║ [100] відбувається повне усунення f-переходів з міждолинного розсіювання при великому енергетичному розщепленні однотипних ∆1-долин (∆ε > 10 кТ), що веде до зростання при цьому рухливості електронів у температурному інтервалі 78–300 К. На величину рухливості електронів у цьому температурному інтервалі зміна g-переходів при розщепленні однотипних ∆1 долин не впливає. Крім того, наведено технологічні розробки, які використовує фірма “Intel Corporation” при виробництві інтегральних мікросхем з одновісно-деформованими каналами МОН транзисторів.

The vinylidene fluoride copolymer with tetrafluoroethylene P(VDF-TFE) is a typical ferroelectric polymer that has not been sufficiently studied so far in comparison with pure polyvinylidene fluoride (PVDF) and its copolymer with trifluoroethylene. The purpose of this work was to reveal the features of forming ferroelectric polarization and its switching in thin films of P(VDF-TFE) under various conditions, such as the level of the applied electric field and the duration of its action within 8 orders of magnitude from 10 μs to 100 s. The sequence of voltage pulses applied during poling and polarization reversal allowed to reveal the characteristics of the polarization switching dynamics. To increase the resolution of the measurements, two complementary methods of recording electrical induction were used. The features of polarization and space charge relaxation over time have been studied by thermally stimulated depolarization method. A new phenomenon of gradual separation of the relaxation processes associated with polarization and space charge was observed. Both components were accompanied by trapped charges that compensated the depolarizing field. Several practical recommendations have been formulated regarding the desirable values of poling parameters and additional processing to increase the ferroelectric polarization stability., Сополімер вініліденфториду з тетрафторетиленом П(ВДФ-ТФЕ) є типовим фероелектричним полімером, який до цього часу не був достатньо детально досліджений у порівнянні з полівініліденфторидом (ПВДФ) та його сополімером П(ВДФ-ТрФЕ). Метою даної роботи було розкриття особливостей формування фероелектричної поляризації та її перемикання в тонких плівках П(ВДФ-ТФЕ) в різних умовах, таких як величина прикладеного електричного поля та тривалість його дії в межах 8 порядків від 10 мкс до 100 с. Застосована нами послідовність імпульсів напруги при електризації та перемиканні поляризації дала змогу виявити характеристики динаміки перемикання поляризації. Для збільшення роздільної здатності вимірювань були використані два методи реєстрації електричної індукції, які доповнювали один одного. Особливості релаксації поляризації та просторового заряду вивчалися методом термічно стимульованої деполяризації. Спостерігалося нове явище поступового відокремлення процесів релаксації, які пов'язані з поляризацією та просторовим зарядом. Обидва процеси супроводжувалися наявністю захопленого заряду, який компенсував деполяризуюче поле. Було сформульовано кілька практичних рекомендацій щодо бажаних значень параметрів електризації плівок та їх додаткової обробки для підвищення стабільності величини фероелектричної поляризації.