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378 results on '"Fafard S"'

2. Exciton lifetime in InAs/GaAs quantum dot molecules

Author

Bardot, C., Schwab, M., Bayer, M., Fafard, S., Wasilewski, Z., and Hawrylak, P.

Subjects
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Abstract

The exciton lifetimes $T_1$ in arrays of InAs/GaAs vertically coupled quantum dot pairs have been measured by time-resolved photoluminescence. A considerable reduction of $T_1$ by up to a factor of $\sim$ 2 has been observed as compared to a quantum dots reference, reflecting the inter-dot coherence. Increase of the molecular coupling strength leads to a systematic decrease of $T_1$ with decreasing barrier width, as for wide barriers a fraction of structures shows reduced coupling while for narrow barriers all molecules appear to be well coupled. The coherent excitons in the molecules gain the oscillator strength of the excitons in the two separate quantum dots halving the exciton lifetime. This superradiance effect contributes to the previously observed increase of the homogeneous exciton linewidth, but is weaker than the reduction of $T_2$. This shows that as compared to the quantum dots reference pure dephasing becomes increasingly important for the molecules.

Published
2005
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3. Non-linear exciton spin-splitting in single InAs/GaAs self-assembled quantum structures in ultrahigh magnetic fields

Author

Babinski, A., Ortner, G., Raymond, S., Potemski, M., Bayer, M., Hawrylak, P., Forchel, A., Wasilewski, Z., and Fafard, S.

Subjects
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Abstract

We report on the magnetic field dispersion of the exciton spin-splitting and diamagnetic shift in single InAs/GaAs quantum dots (QDs) and dot molecules (QDMs) up to $B$ = 28 T. Only for systems with strong geometric confinement, the dispersions can be well described by simple field dependencies, while for dots with weaker confinement considerable deviations are observed: most importantly, in the high field limit the spin-splitting shows a non-linear dependence on $B$, clearly indicating light hole admixtures to the valence band ground state.

Published
2005
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4. Correlated Photon-Pair Emission from a Charged Single Quantum Dot

Author

Ulrich, S. M., Benyoucef, M., Michler, P., Baer, N., Gartner, P., Jahnke, F., Schwab, M., Kurtze, H., Bayer, M., Fafard, S., and Wasilewski, Z.

Subjects
Condensed Matter - Other Condensed Matter
Abstract

The optical creation and recombination of charged biexciton and trion complexes in an (In,Ga)As/GaAs quantum dot is investigated by micro-photoluminescence spectroscopy. Photon cross-correlation measurements demonstrate the temporally correlated decay of charged biexciton and trion states. Our calculations provide strong evidence for radiative decay from the excited trion state which allows for a deeper insight into the spin configurations and their dynamics in these systems., Comment: 5 pages, 3 figures, submitted for publication

Published
2004
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5. Anomalous magnetophotoluminescence as a result of level repulsion in arrays of quantum dots

Author

Tsiper, E. V., Wang, P. D., Merz, J. L., Efros, A. L., Fafard, S., Leonard, D., and Petroff, P. M.

Subjects
Condensed Matter
Abstract

Selectively excited photoluminescence (SPL) of an array of self-organized In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As quantum dots has been measured in a magnetic field up to 11T. Anomalous magnetic field sensitivity of the SPL spectra has been observed under conditions for which the regular photoluminescence spectra is insensitive to the magnetic field due to large inhomogeneous broadening. The anomalous sensitivity is interpreted in terms of the repulsion of excited levels of the dots in a random potential. A theory presented to describe this phenomena is in excellent agreement with the experimental data. The data estimated the correlation in the positions of excited levels of the dots to be 94%. The magnetic field dependence allows the determination of the reduced cyclotron effective mass in a dot. For our sample we have obtained $m_em_h/(m_e+m_h)=0.034m_0$., Comment: 12 revtex preprint pages + 4 ps figures, uuencoded

Published
1997
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8. Quantum Dots: Building Blocks of Quantum Devices?

Author

Bayer, Manfred, Ortner, G., Larionov, A., Yakovlev, D.R., Schwab, M., Borri, P., Langbein, W., Woggon, U., Yugova, I., Högersthal, G. Baldassarri Höger von, Lyanda-Geller, Y.B., Reinecke, T.L., Fafard, S., Wasilewski, Z., Korkusinski, M., Hawrylak, P., Forchel, A., Reithmaier, J.P., and Kramer, Bernhard, editor

Published
2004
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11. III-V/Ge Heterostructure Plasma Etching and Passivation With a Single Plasma Process for Low-Damage Multijunction Solar Cell Fabrication

Author

Lafontaine, Mathieu de, Pargon, E., Gay, G., Petit-Etienne, C., Barnes, J., Rochat, N., VOLATIER, M., JAOUAD, A., FAFARD, S., Aimez, V., Darnon, M., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2021

13. Multijunction Solar Cell Electrical Isolation and Passivation with a Single Plasma Process

Author

LAFONTAINE, M. DE, Ayari, F., Pargon, E., Gay, G., Petit-Etienne, C., Barnes, J-P., Rochat, N., Turala, A., JAOUAD, A., VOLATIER, M., FAFARD, S., Aimez, V., Darnon, Maxime, Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), and Université de Sherbrooke (UdeS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2021

14. High performance dual junction GaInP/GaAs for concentrator photovoltaic quad-junction

Author

Mbeunmi, A. B. P., Turala, A., Arvinte, R., JAOUAD, A., Arès, R., Boucherif, A., FAFARD, S., Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), and Université de Sherbrooke (UdeS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2020

15. Multijunction Solar Cell Electrical Isolation and Passivation with a Single Plasma Process

Author

de Lafontaine, Mathieu, Pargon, E., Gay, G., Petit-Etienne, C., David, S., Barnes, J-P., Rochat, N., JAOUAD, A., VOLATIER, M., FAFARD, S., Aimez, V., Darnon, Maxime, Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), and Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2020

16. Comparison of the performances of various InGaAs-based solar cells for concentrated photovoltaic applications

Author

Chancerel, F., Regreny, P., Leclercq, J. L., Volatier, M., Jaouad, A., Darnon, Maxime, Fafard, S., Gendry, Michel, Aimez, Vincent, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (LEOM), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), and Darnon, Maxime

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2020

21. Hidden symmetries in the energy levels of excitonic 'artificial atoms'

Author

Bayer, M., Stern, O., Hawrylak, P., Fafard, S., and Forchel, A.

Subjects
Environmental issues, Science and technology, Zoology and wildlife conservation
Abstract

Author(s): M. Bayer (corresponding author) [1]; O. Stern [1]; P. Hawrylak [1, 2]; S. Fafard [2]; A. Forchel [1] Quantum dots [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7] or 'artificial [...]

Published
2000
Full Text
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26. Micro/nanotechnologies to improve concentrated photovoltaics systems

Author

Darnon, M., Volatier, M., Lafontaine, M., Albert, P., Laucher, C., Hamon, G., Erwine Pargon, Bechou, L., Fafard, S., Aimez, V., Jaouad, A., Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])

Subjects
[PHYS]Physics [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2019

27. Plasma processes for High Efficiency Multi-Junction Solar Cells Fabrication

Author

Darnon, M., Volatier, M., Albert, P., Lafontaine, M., St-Pierre, P., Hamon, G., Petit-Etienne, C., Gay, G., Erwine Pargon, Aimez, V., Fafard, S., Jaouad, A., Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2019

28. Duplicated design to further improve III-V solar cell efficiency at ultra-high concentration factors (>1000 suns)

Author

El-Gahouchi, Mohamed, Aziziyan, M, Arvinte, R, Fafard, S., Arès, R., Boucherif, A., El-Gahouchi, Mohamed, Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), and Université de Sherbrooke (UdeS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract

International audience

Published
2019

29. Wavefunction engineering for enhanced quantum well intermixing and integrated infrared spectrometers

Author

Fafard, S.

Subjects
Quantum wells -- Research, Wave functions -- Usage, Energy levels (Quantum mechanics) -- Analysis, Infrared spectroscopy -- Research, Physics
Abstract

The intermixing-induced blueshift of the quantum well ground state interband transitions was notably improved in wave-function engineered heterostructures. The largest enhancements were attained in the thin potential notch at the center of the well combined with thin potential spikes on the edge of the well. The blueshift enhancement was shown to be potentially effective in minimizing the amount of defects. Intermixing, on the other hand, should be employed in the modification of the properties of the optoelectronic devices.

Published
1997

34. III-V/Ge Heterostructure Etching for Through Cell Via Contact Multijunction Solar Cell

Author

Lafontaine, M., Gay, G., Camille Petit-Etienne, Pargon, E., Darnon, M., Jaouad, A., Volatier, M., Fafard, S., Aimez, V., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2018

35. Hybrid MBE-CBE Growth and Characterization of Al 0.48 In 0.52 As on InP(100) for avalanche photodiode applications Motivation

Author

Diallo, Thierno Mamoudou, Poungoué Mbeunmi, Alex Brice, El-gahouchi, M., Jellite, M., Arès, R., FAFARD, S., Boucherif, Abderraouf, Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], XRD, Hybrid Epitaxy, AFM, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], AlInAs, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; In this work, we demonstrate the epitaxial growth of high quality, low strain and low background doping of Al0.48In0.52As at 500°C on Fe-doped semi-insulating InP(100) substrate by using hybrid MBE-CBE technique. The precursors that were used are: solid aluminum, solid indium, TriMethylIndium (TMIn) and thermally cracked arsine. Using Nomarski, we observed smooth surfaces for the as grown layers. High-Resolution X-ray Diffraction (HR-XRD) in the vicinity of the (004) reflexion shows a lattice mismatch in the range -137 to 127ppm. The carrier density of undoped layers, obtained by Hall measurement at room temperature, is as low as 3E+15 cm-3 which is three orders of magnitude lower than the identical layers grown by organometallics sources. Photoluminescence (PL) for Al0.48In0.52As at low temperature (LT) shows a good optical quality. The quality and purity of the alloys grown here are compatible with high performance APD for optical communication.

Published
2018

38. Island Shape Instabilities and Surfactant-Like Effects in the Growth of InGaAs/GaAs Quantum Dots

Author

Fafard, S, Cockayne, D, Zou, J, Liao, X, Lobo, C, and Leon, R

Abstract

InGaAs/GaAs island formation during vapor phase epitaxy showed diverging behaviors when varying group V partial pressures (PP). Differences include changes in critical thicknesses for the onset of the Stranski-Krastanow (S-K) transformation, surface coverages, ratios between coherent and incoherent islands, and dissimilar morphologies upon annealing.

Published
1999

39. Ensemble Interactions in Strained Semiconductor Quantum Dot

Author

Leon, R, Marcinkevicius, S, Liao, X, Zou, J, Cockayne, D, and Fafard, S

Abstract

Large variations in InGaAs quantum dot concentrations were obtained with simultaneous growths on vicinal GaAs[001] substrates with different surface step densities.

Published
1999

42. Technological developments of epitaxial lift-off process over InP substrates

Author

Chancerel, F., Regreny, P., Leclercq, J.L., JAOUAD, A., DARNON, M., FAFARD, S., Gendry, M., Aimez, Vincent, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and LN2, UMI3463

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2017

43. Anisotropic and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication

Author

LAFONTAINE, M. DE, DARNON, M., Pargon, E., JAOUAD, A., VOLATIER, M., FAFARD, S., Aimez, V., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Sherbrooke (UdeS), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2017

44. AlAs/InAlAs superlattice sacrificial layer for epitaxial lift-off of solar cells within the InP lattice parameter

Author

Chancerel, François, Regreny, Philippe, Leclercq, Jean-Louis, Brottet, Solène, Gendry, Michel, Blanchard, Nicholas, Jaouad, A., Darmon, M., Fafard, S., Aimez, Vincent, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke [Sherbrooke]-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke [Sherbrooke], Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon, Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke [Sherbrooke]-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2017

45. A New Optically Isolated Power Converter for 12 V Gate Drive Power Supply of High Voltage and High Speed Switching Devices

Author

Wilkins, M., Valdivia, C. E., Proulx, F., York, M.C.A., Provost, P.O., Ishigaki, M., Masson, D. P., FAFARD, S., Hinzer, K., Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), and Université de Sherbrooke (UdeS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2017

46. Thermal Behaviours and Ageing of GaAs and InGaP Solar Cells for Thermal - CPV Hybrid Energy systems

Author

Bouzazi.., B., JAOUAD, A., Turala, A., Arès, R., FAFARD, S., Aimez, V., Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), and Université de Sherbrooke (UdeS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2017

47. Epitaxial lift-off of low band gap subcells for multijunction solar cell devices

Author

Chancerel, F., Regreny, P., Leclercq, J.L., JAOUAD, A., DARNON, M., FAFARD, S., GENDRY, Michel, Aimez, V., LN2, UMI3463, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), and INL - Nanophotonique (INL - Photonique)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2017

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