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20 results on '"Dutarde, E."'

2. Partial discharges phenomenon in high voltage power modules

Author

Lebey, Th., Malec, D., Dinculescu, S., Costan, V., Breit, F., and Dutarde, E.

Subjects
Electric discharges -- Research, Electric discharges through gases -- Research, Semiconductor switches -- Research, Business, Electronics, Electronics and electrical industries
Abstract

Partial discharges measurements have been performed on 3.3 kV IGBT power modules. Results using both the normalized and a new proposed test are compared. The new test, allowing the detection of partial discharges in all the insulating materials, is detailed. Elementary defect patterns are used to distinguish the main cause (dies or insulating materials) of the observed partial discharges in IGBT modules. Index Terms--Partial discharges, power semiconductors switches, packaging.

Published
2006

3. Elaboration and Characterization of Multilayer Ceramic Capacitors Based on High Permittivity CaCu3Ti4O12

Author

Barbier, B., Combettes, Céline, Guillemet-Fritsch, S., Chartier, T., Rossignol, F., Rumeau, Axel, Lebey, Thierry, Dutarde, E., Gestion de l'Eau, Acteurs, Usages (UMR G-EAU), Centre de Coopération Internationale en Recherche Agronomique pour le Développement (Cirad)-Centre international d'études supérieures en sciences agronomiques (Montpellier SupAgro)-AgroParisTech-Centre national du machinisme agricole, du génie rural, des eaux et forêts (CEMAGREF)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD [France-Sud])-Centre International de Hautes Etudes Agronomiques Méditerranéennes - Institut Agronomique Méditerranéen de Montpellier (CIHEAM-IAMM), Centre International de Hautes Études Agronomiques Méditerranéennes (CIHEAM)-Centre International de Hautes Études Agronomiques Méditerranéennes (CIHEAM), Département Environnements et Sociétés (Cirad-ES), Centre de Coopération Internationale en Recherche Agronomique pour le Développement (Cirad), Centre interuniversitaire de recherche et d'ingenierie des matériaux (CIRIMAT), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Laboratoire d'Electrodynamique des Matériaux Avancés (LEMA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Tours (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clinique Vétérinaire de Grosbois, Matériaux Diélectriques dans la Conversion d’Energie (LAPLACE-MDCE), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Alstom Transport SA, and ALSTOM

Subjects
[SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract

International audience

Published
2008

4. Study of suitable dielectric material properties for high electric field and high temperature power semiconductor environment

Author

Locatelli, Marie-Laure, Isoird, Karine, DINCULESCU, Sorin, Bley, Vincent, Lebey, Thierry, Planson, Dominique, Mermet-Guyennet, Michel, Dutarde, E., LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Laboratoire de génie électrique de Toulouse (LGET), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Laboratoire de Microélectronique de Puissance ( LMP ), Université de Tours (UT), Centre de génie électrique de Lyon (CEGELY), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Alstom Transport (Alstom Transport), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université de Tours, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL)

Subjects
Condensed Matter::Materials Science, Silicon Carbide, Packaging, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Physics::Optics, Power Semiconductor Devices, Reliability, Simulation, Device Characterisation
Abstract

International audience; Due to more severe operating condition (higher electric field, higher temperature,…), power electronics trends require to consider more accurately the dielectric environment of the semiconductor. The use of possible alternative semiconductors adds reason for such studies. Maximum electric field stress, relative dielectric permittivity and energy band gap properties, theoretically required for the SiC device passivation, are discussed. Advantages and drawbacks of high dielectric permittivity materials for passivation are emphasized. Then, a new 50 kV / 500°C experimental setup allowing their precise characterization once the test-vehicles chosen, is presented in the paper.

Published
2003

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