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Le graphène est un matériau très intéressant grâce à ses excellentes propriétés optiques, électriques et mécaniques. Parmi les méthodes de synthèse du graphène monocouche, la croissance par le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur un métal est des plus efficaces et économiques pour assurer une production industrielle. Cette méthode demande toutefois une étape de transfert du graphène à partir du substrat catalytique de la croissance (généralement du cuivre) vers le substrat désiré. Plusieurs méthodes permettent d’effectuer ce transfert et les plus répandues impliquent généralement l’usage d’un polymère, car il présente des avantages intéressants, comme la simplicité et le faible coût, mais également des désavantages liés à l’introduction de défauts ou de résidus organiques sur la surface du graphène transféré. Pour conserver la qualité et les propriétés du graphène après le processus de transfert, nous avons travaillé à développer une méthode qui vise à éliminer les désavantages du transfert avec un polymère tout en permettant un transfert simple et propre de graphène sans défaut. La méthode retenue utilise un film d’or comme support pour faciliter le transfert du graphène sur gaufre de silicium. Pour augmenter l’adhésion à la gaufre de silicium, il a été nécessaire d’introduire une étape de recuit des échantillons de graphène après le transfert avec le film d’or. Le film d’or est ensuite enlevé par la gravure chimique humide, en utilisant une solution aqueuse d’iode et d’iodure de potassium, ce qui permet de produire une monocouche de graphène sur de grandes dimensions. Après une optimisation du processus complet, nos résultats du graphène transféré sur substrat de silice présentent peu des défauts selon les mesures Raman et l’absence des résidus organiques sur la surface par la topographie AFM., Graphene is an interesting material thanks to its excellent optical, electrical and mechanical properties. Among the methods for synthesizing high quality monolayer graphene, growth by chemical vapor deposition (CVD) on a metal is one of the most effective and economical for industrial production. However, this method requires a step to transfer graphene from the growth catalytic substrate (generally copper) to the desired substrate. Several methods allow this transfer to be carried out and the most widespread methods generally involve the use of a polymer. The main advantages are simplicity and low cost. However, there are also disadvantages related to the introduction of defects or organic residue on the surface of the transferred graphene. To maintain the quality and properties of graphene after the transfer process, we have developed a method aimed at eliminating the disadvantages of a transfer with polymer. The developed method uses a gold film as a support to facilitate the transfer of graphene onto a silicon wafer. It is a simple way to produce defect-free graphene. To increase the adhesion to the silicon wafer, it was necessary to introduce a step of annealing the graphene samples after the transfer with the gold film. The gold film was then removed by wet chemical etching with an aqueous solution of iodine and potassium iodide, which makes it possible to produce a monolayer of graphene over large dimensions. After optimizing the entire process, our results of graphene transferred on silicon substrate show few defects based on Raman measurements and the absence of organic residues on the surface by AFM topography.