En un mundo en el que las tecnologias avanzan a pasos agigantados, es necesario proponer y aplicar nuevas mejoras de forma continua aplicadas a cualquier campo. El mundo de la tecnologia laser, incluido dentro del campo anterior, tiene infinidad de aplicaciones en las que son necesarios nuevos laseres a diario para facilitar las medidas y mejorar los resultados de los ambitos en los que estos dispositivos se usen. En esta tesis se presenta un nuevo concepto de tecnologia para la fabricacion de laseres sintonizables. Existen laseres fabricados con gases, tintes o incluso con elementos de estado solido como el rubi, aunque es habitual que los laseres sintonizables, que son aquellos en los que se puede variar su longitud de onda de emision, que esten fabricados con diodos de semiconductor. Los semiconductores, combinados adecuadamente, generan unas bandas de emision que comprenden las longitudes de onda, o colores, entre el ultravioleta y el infrarrojo. Actualmente, hay distintas tecnologias con las que llevar a cabo la sintonizacion de la luz coherente emitida por un laser de semiconductor. Con objeto de crear un laser sintonizable, hacen falta distintos elementos: un material activo que proporcione ganancia en el rango de longitudes de onda necesarios; reflectores que creen una cavidad resonante en el que la emision laser estimulada se pueda producir, generando distintas longitudes de onda (o frecuencias) en todo el rango habilitado; y un filtro que seleccione el modo adecuado de emision, ya que estamos hablando de laseres con una unica frecuencia. Entre las distintas tecnologias habilitadoras para la fabricacion de laseres sintonizables, cabe destacar los mas utilizados laseres de realimentacion distribuida (DFBs segun sus siglas en ingles, Distributed FeedBack Lasers, o DBRs, tambien segun sus siglas en ingles, Distributed Bragg Reflector Lasers) y los laseres de cavidad externa. La diferencia principal entre estas dos tecnologias es que en los DFBs y DBRs, la seleccion de frecuencia se hace mediante una red de difraccion distribuida a lo largo del material semiconductor. Esta red de difraccion, conocida por red de Bragg ya que fue el quien primero la planteo, sirve como reflector y como filtro a la vez, ya que se encarga de reflejar unicamente la frecuencia de emision deseada. De esta forma, el laser se estabiliza a la longitud de onda fijada por la red de Bragg, que esta inscrita directamente en el chip de semiconductor. Esta solucion genera unos dispositivos compactos y estables, pero con inconvenientes muy ligados al propio concepto de filtrado que se plantea con ellos. Al ser las inscripciones hechas directamente en el material, se generan perdidas de potencia ligadas a las propias irregularidades encargadas de filtrar. Ademas, el rango de sintonizacion de estos dispositivos es muy limitado, ya que hacen uso de un efecto termico con el que expandir o contraer la propia red de difraccion inscrita en el chip. Los semiconductores, al no ser materiales con un alto coeficiente de expansion termica, se ven limitados a un rango muy estrecho de sintonizacion si se emplea esta tecnologia. En contraposicion a los dispositivos ya descritos, encontramos la tecnologia de los laseres sintonizables de cavidad externa. Esta se basa mayormente en dos configuraciones distintas: cavidades tipo Littrow y cavidades tipo Littman-Metcalf. La primera de ellas es relativamente mas sencilla. Un material activo es colocado entre dos reflectores. Uno de ellos es un reflector comun, como un espejo, mientras que el otro consiste en una red de difraccion externa que realimenta la longitud de onda deseada al material activo, estabilizando el laser. Para sintonizar este tipo de cavidades, es necesario girar en un angulo determinado la red de difraccion y, de esta manera, variar la frecuencia reflejada al material activo para su estabilizacion. El segundo tipo de cavidad, la cavidad tipo Littman-Metcalf, agrega un elemento mas a la configuracion: el material semiconductor activo se coloca entre un reflector comun y una red de difraccion, pero en este caso el angulo de la red de difraccion es distinto y apunta a un segundo reflector comun, que sera el encargado de girar para realizar la sintonizacion de la longitud de onda del laser. Los laseres presentados en esta tesis de doctorado se basan en esta segunda configuracion para su sintonizacion de frecuencia. Presentamos aqui la aplicacion de micro sistemas electro mecanicos en la fabricacion de laseres de semiconductor de cavidad externa, con una serie de ventajas muy evidentes en comparacion con los sistemas habituales. Tradicionalmente, los laseres sintonizables de cavidad externa se basan en componentes mecanicos. Esto se traduce en unos dispositivos voluminosos en el que su ambito de aplicacion se ve muy limitado dada su poca capacidad de movilidad. Con la introduccion de los MEMS en la configuracion de los laseres, podemos sustituir los componentes mecanicos voluminosos y asi reducir el tamano de los dispositivos y aumentar su portabilidad. Este punto habilita el incremento de aplicaciones en las que estos laseres pueden ser aplicados, ya que pudiendo ser portatiles se hace posible su uso directamente en campo o crear dispositivos ligeros para su inclusion en aparatos de mano, mucho mas convenientes para el dia a dia. Otro de los puntos a favor de estos laseres es la potencia de salida proporcionada. La red de difraccion externa, ya sea de transmision o de reflexion, se puede ajustar en su punto optimo de reflexion para maximizar el nivel de potencia optica a la salida del laser. Ademas, estas redes no estan inscritas sobre el material semiconductor y no producen perdidas adicionales como si ocurre en el caso de los laseres de realimentacion distribuida descritos anteriormente. Lo mismo sucede con el rango de sintonizacion de los dispositivos presentados. Este no esta limitado por ningun efecto como si que pasa en los DFBs y DBRs, y de esta manera la sintonizacion de la longitud de onda se extiende hasta el total del ancho de banda de ganancia proporcionado por el material semiconductor que empleemos en la cavidad. El ancho de linea de la emision laser de las configuraciones que presentamos son muy estrechos. Esto implica que los valores ofrecidos por cavidades Littrow y Littman-Mettcalf se hallan en las decenas de kilohercios, disminuyendo asi en uno o dos factores de magnitud la anchura de las lineas laser de otras configuraciones. Mediante esta alta selectividad en longitud de onda, sumado al alto nivel de potencia ofrecido por los dispositivos desarrollados en esta tesis, se incrementa la sensitividad y la resolucion de cualquiera de las aplicaciones en las que se usen estos laseres. Adicionalmente a las caracteristicas ya mencionadas, hay un factor que hace de este desarrollo un avance clave para la tecnologia: la velocidad de sintonizacion. Las cavidades externas tradicionales hacen uso, como ya se ha mencionado anteriormente, de piezas mecanicas para la sintonizacion del dispositivo. Para poder sintonizar el rango completo de longitudes de onda ofrecidos por la cavidad, hace falta un tiempo del orden de segundos en el mejor de los casos, que es cuando se emplea un motor para mover el brazo mecanico correspondiente. Con el dispositivo que presentamos, estos tiempos se reducen en varios ordenes de magnitud, situandose en las decenas de milisegundos. Este efecto se consigue mediante la aplicacion de un voltaje que, de manera instantanea, traslada este valor a un angulo de giro que se aplica a los MEMS para sintonizar la longitud de onda del laser. Este avance, aparte de aportar una capacidad de medida practicamente en tiempo real a distintas frecuencias, va ligado a la precision de los sistemas electromecanicos que se han introducido, mejorando asi en comparacion los resultados ofrecidos por las piezas puramente mecanicas. Se ha medido la estabilidad de estos laseres, con resultados por debajo de los picometros y muchas veces estas medidas han estado incluso limitadas por la resolucion disponible para su adquisicion aun a pesar de utilizar instrumentos con la ultima tecnologia, lo que indica el alto grado de precision y estabilidad de los dispositivos desarrollados. El desarrollo de la cavidad externa para los dispositivos presentados no ha sido un proceso trivial, sino que ha necesitado de varias iteraciones hasta llegar a un resultado estable. Estos ciclos se muestran en la tesis, de manera que se ve la evolucion de los dispositivos. Como ultimo punto a destacar, la tecnologia aqui presentada es aplicable a distintos materiales de ganancia, pudiendo cubrir el espectro optico que se necesite con solo ajustar los componentes necesarios. La posibilidad de extrapolar esta tecnologia a todo el espectro optico, cubriendo desde el ultravioleta al infrarrojo lejano. Las conclusiones de esta tesis se reflejan en todos los puntos a favor de los dispositivos presentados: alta potencia de salida, gran rango de sintonizacion, estabilidad y velocidad de conmutacion entre distintas longitudes de onda para mediciones en tiempo real.