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Your search keyword '"Cadel, Emmanuel"' showing total 39 results
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39 results on '"Cadel, Emmanuel"'

2. Development of an energy-sensitive detector for the Atom Probe Tomography

Author

Bacchi, Christian, Da Costa, Gérald, Cadel, Emmanuel, Cuvilly, Fabien, Houard, Jonathan, Vaudolon, Charly, Normand, Antoine, and Vurpillot, François

Subjects
Physics - Instrumentation and Detectors, Condensed Matter - Materials Science
Abstract

A position-energy-sensitive detector has been developed for APT instruments in order to deal with some mass peak overlap issues encountered in APT experiments. Through this new type of detector, quantitative and qualitative improvements could be considered for critical materials introducing mass peak overlaps, such as nitrogen and silicon in TiSiN systems, or titanium and carbon in cemented carbide materials. This new detector is based on a thin carbon foil positioned on the front panel of a conventional MCP-DLD detector. According to several studies, it has been demonstrated that the impact of ions on thin carbon foils has the effect of generating a number of transmitted and reflected secondary electrons that mainly depends on both the kinetic energy and the mass of incident particles. Despite the fact that this phenomenon is well known and has been widely discussed for decades, no studies have been performed to date for using it as a mean to discriminate particles energy. Therefore, this study introduces the first experiments on a potential new generation of APT detectors that would be able to resolve mass peak overlaps through the energy-sensitivity of thin carbon foils., Comment: 36 pages, 13 figures, 2 tables, conference paper

Published
2021
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5. Optical and structural investigations of annealing impact on phase separation of Erbium-doped Al2O3 layers

Author

Al Helou, N., Khomenkova, L., Cadel, Emmanuel, Labbe, Christophe, Cardin, Julien, Gourbilleau, F., Talbot, E., Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nanomatériaux, Ions et Métamatériaux pour la Photonique (NIMPH), V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine (NASU), National University of Kyiv-Mohyla Academy (UKMA), and Normandie Region and the 'Fond Européen de Développement Régional' (FEDER) via LUMIERE project. This work was partially supported by the CNRS Federation IRMA - FR 3095

Subjects
Aluminum oxides, Cathodoluminescence, Phase transition, Structural properties, Rare-earth, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience

Published
2023

7. 4D microscopy of biological materials at the atomic scale

Author

Ropitaux, Marc, Cadel, Emmanuel, Nachbaur, Virginie, Chevalier, Laurence, Houard, Jonathan, Vella, Angela, Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SDV.BBM.BS]Life Sciences [q-bio]/Biochemistry, Molecular Biology/Structural Biology [q-bio.BM], [PHYS.PHYS.PHYS-ATOM-PH]Physics [physics]/Physics [physics]/Atomic Physics [physics.atom-ph], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience

Published
2022

8. Surface Modification of 304L Stainless Steel and Interface Engineering by HiPIMS Pre-Treatment

Author

Chabanon, Angélique, primary, Michau, Alexandre, additional, Schlegel, Michel Léon, additional, Gündüz, Deniz C., additional, Puga, Beatriz, additional, Miserque, Frédéric, additional, Schuster, Frédéric, additional, Maskrot, Hicham, additional, Pareige, Cristelle, additional, Cadel, Emmanuel, additional, Beainy, Georges, additional, Cloute-Cazalaa, Véronique, additional, Narasimalu, Srikanth, additional, Yao, Bingqing, additional, Dong, Zhili, additional, and Balbaud-Célérier, Fanny, additional

Published
2022
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9. High-density polyethylene/EPDM rubber blend composites of boron compounds for neutron shielding application

Author

Abdulrahman, Sajith Thottathil, primary, Patanair, Bindu, additional, Vasukuttan, Vineeth Puthuparampil, additional, Thomas, Sabu, additional, Cadel, Emmanuel, additional, Cuvilly, Fabien, additional, Saiter-Fourcin, Allisson, additional, Ahmad, Zakiah, additional, Jaroszewski, Maciej, additional, Strankowski, Michal, additional, and Laroze, David, additional

Published
2022
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10. NANOSTRUCTURE AND NANOCHEMISTRY OF SELECTED IRON METEORITES OBSSERVED AT THE NANOMETRIC SCALE

Author

Danoix, Frederic, Cadel, Emmanuel, Cuvilly, Fabien, Danoix, Raphaële, Gounelle, M, Kern, L, Roskosz, M, Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), Muséum national d'Histoire naturelle (MNHN), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SDU]Sciences of the Universe [physics]
Abstract

résumé étendu; International audience; We report the observation and chemical analysis by atom probe tomography of selected iron meteorites at the nanometer scale, and aim at illustrating how nano structural/chemical features bear information related to their thermo-mechanical history.

Published
2021

14. Atomic scale investigation of silicon nanowires and nanoclusters

Author

Gourbilleau Fabrice, Grandidier Bruno, Stiévenard Didier, Roussel Manuel, Chen Wanghua, Talbot Etienne, Lardé Rodrigue, Cadel Emmanuel, and Pareige Philippe

Subjects
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
Abstract

Abstract In this study, we have performed nanoscale characterization of Si-clusters and Si-nanowires with a laser-assisted tomographic atom probe. Intrinsic and p-type silicon nanowires (SiNWs) are elaborated by chemical vapor deposition method using gold as catalyst, silane as silicon precursor, and diborane as dopant reactant. The concentration and distribution of impurity (gold) and dopant (boron) in SiNW are investigated and discussed. Silicon nanoclusters are produced by thermal annealing of silicon-rich silicon oxide and silica multilayers. In this process, atom probe tomography (APT) provides accurate information on the silicon nanoparticles and the chemistry of the nanolayers.

Published
2011

15. Influence of Na on grain boundary and properties of Cu(In,Ga)Se 2 solar cells

Author

Raghuwanshi, Mohit, Cadel, Emmanuel, Duguay, Sébastien, Arzel, Ludovic, Barreau, Nicolas, Pareige, Philippe, Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), and Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2017

16. Where does the FIB sputtered matter accumulate in the SEM chamber ?

Author

Cadel, Emmanuel, Cuvilly, Fabien, Vaudolon, Charly, Etienne, Auriane, Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Microscopy Society, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), and Normandie Université (NU)

Subjects
03 medical and health sciences, 0302 clinical medicine, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 030218 nuclear medicine & medical imaging
Abstract

International audience

Published
2016

18. Depth resolution function of the laser assisted tomographic atom probe in the investigation of semiconductors.

Author

Cadel, Emmanuel, Vurpillot, François, Lardé, Rodrigue, Duguay, Sébastien, and Deconihout, Bernard

Subjects
*SECONDARY ion mass spectrometry, *COMPARATIVE studies, *THREE-dimensional imaging, *HIGH resolution spectroscopy, *DOPED semiconductors, *SILICON
Abstract

The investigation of boron delta layers by tomographic atom probe (3DAP) is used to demonstrate that a depth profiling resolution of 0.9 nm (full width at half maximum) can be achieved. Results are compared with measurements provided by secondary ion mass spectrometry. The steepness is found to be below 1 nm/decade. In addition, silicon atomic planes are resolved in the real space demonstrating an in-depth spatial resolution of the 3DAP below 0.2 nm. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2009
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19. GENESIS: A platform for the study and nano analysis of irradiation effects in materials for nuclear application

Author

Etienne, Auriane, Pareige, Philippe, Radiguet, Bertrand, Pareige, Cristelle, Cuvilly, Fabien, Cadel, Emmanuel, ETIENNE, Auriane, Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), and Normandie Université (NU)

Subjects
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience

Published
2016

20. Influence of boron clustering on the emitter quality of implanted silicon solar cells: An atom probe tomography study

Author

Raghuwanshi, Mohit, Lanterne, Adeline, Le Perchec, Jérôme, Pareige, Philippe, Cadel, Emmanuel, Gall, Samuel, Duguay, Sébastien, Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux (LITEN), Institut National de L'Energie Solaire (INES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Département des Technologies Solaires (DTS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de L'Energie Solaire (INES), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), and Normandie Université (NU)

Subjects
boron cluster, [PHYS]Physics [physics], atom probe tomography, silicon solar cells, Physics::Medical Physics, Physics::Accelerator Physics, BCl3diffusion, boron implantation
Abstract

International audience; The use of ion implantation doping instead of the standard gaseous diffusion is a promising way to simplify the fabrication process of silicon solar cells. However, difficulties to form high-quality boron (B) implanted emitters are encountered when implantation doses suitable for the emitter formation are used. This is due to a more or less complete activation of Boron after thermal annealing. To have a better insight into the actual state of the B distributions, we analyze three different B emitters prepared on textured Si wafers: (1) a BCl3 diffused emitter and two B implanted emitters (fixed dose) annealed at (2) 950°C and at (3) 1050°C (less than an hour). Our investigations are in particular based on atom probe tomography, a technique able to explore 3D atomic distribution inside a material at nanometer scale. Atom probe tomography is employed here to characterize B atomic distribution inside textured Si solar cell emitters and to quantify clustering of B atoms. Here, we show that implanted emitters annealed at 950 °C present maximum clusters due to poor solubility at lower temperature and also highest emitter saturation current density (J0e = 1000 fA/cm2). Increasing the annealing temperature results in greatly improved J0e (131 fA/cm2) due to higher solubility and a consequently lower number of clusters. BCl3 diffused emitters do not contain any B clusters and presented the best emitter quality. From our results, we conclude that clustering of B atoms is the main reason behind higher J0e in the implanted boron emitters and hence degraded emitter quality.

Published
2015

24. Combining TEM and APT for a better understanding of super high efficiency Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells

Author

Castro, Celia, primary, Raghuwanshi, Mohit, additional, Pareige, Philippe, additional, Duguay, Sébastien, additional, Cadel, Emmanuel, additional, Witte, Wolfram, additional, Jackson, Philip, additional, Hariskos, Dimitrios, additional, Kessler, Friedrich, additional, Buecheler, Stephan, additional, Carron, Romain, additional, Avancini, Enrico, additional, Bissig, Benjamin, additional, and Tiwari, Ayodhya, additional

Published
2016
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25. Ultrathin PECVD epitaxial Si solar cells on glass via low-temperature transfer process

Author

Cariou, Romain, Chen, Wanghua, Cosme-Bolanos, Ismael, Maurice, Jean-Luc, Foldyna, Martin, Depauw, Valérie, Patriarche, Gilles, Gaucher, Alexandre, Cattoni, Andrea, Massiot, Ines, Collin, Stéphane, Cadel, Emmanuel, Pareige, Philippe, Roca I Cabarrocas, Pere, Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] (LPICM), École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2015

26. Ultrathin PECVD epitaxial Si solar cells on glass via low-temperature transfer process

Author

Cariou, Romain, primary, Chen, Wanghua, additional, Cosme-Bolanos, Ismael, additional, Maurice, Jean-Luc, additional, Foldyna, Martin, additional, Depauw, Valérie, additional, Patriarche, Gilles, additional, Gaucher, Alexandre, additional, Cattoni, Andrea, additional, Massiot, Ines, additional, Collin, Stéphane, additional, Cadel, Emmanuel, additional, Pareige, Philippe, additional, and Roca i Cabarrocas, Pere, additional

Published
2016
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27. Influence of RbF post deposition treatment on heterojunction and grain boundaries in high efficient (21.1%) Cu(In,Ga)Se2solar cells

Author

Raghuwanshi, Mohit, Vilalta-Clemente, Arantxa, Castro, Celia, Duguay, Sébastien, Cadel, Emmanuel, Jackson, Philip, Hariskos, Dimitrios, Witte, Wolfram, and Pareige, Philippe

Abstract

Post deposition treatments (PDT) by alkali fluorides applied to chalcopyrite-based absorbers have produced record efficiencies in thin-film solar devices in the past few years and recently the efficiency of 22.6% was achieved with Cu(In,Ga)Se2(CIGS) using rubidium fluoride (RbF) PDT. However, the effects of RbF-PDT towards changes in its interfacial and grain boundary (GB) properties are still not fully understood. In this work, cells with efficiency higher than 21% are investigated by combination of atom probe tomography (APT) and transmission electron microscopy (TEM) to show how changes in GB and interface chemistry may facilitate high efficiencies. APT studies, carried out at the interface between CIGS absorber and solution-grown CdS buffer layer, show In enrichment and Cu depletion along with traces of Rb. Our APT studies reveal higher amounts of Rb (1.5 at. %) and lower amounts of Na and K (<0.5 at. %) at GBs as compared with previous studies (on non-PDT samples) thus indicating substitution of Na and K by Rb. However, concentration of all alkali elements inside the grain bulk is below detection limit of APT. The concentration of Rb at the GBs in CIGS is measured depth-dependent using both APT and TEM, which consistently shows the increase in Rb towards the Mo back contact. In addition, a pronounced Cu depletion is observed at the GBs which might enhance hole-barrier properties of the GBs, thus improving charge carrier collection and hence the overall efficiency of the device. Thus, understanding effects of RbF-PDT at the atomic scale provides new insights concerning the further improvement of CIGS absorber and interfaces.

Published
2019
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28. Etude de la segregation intra et intergranulaire de solutes par sonde atomique tomographique et microscopie electronique en transmission

Author

Cadel, Emmanuel, CADEL, Emmanuel, Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU), Université de Rouen, Didier BLAVETTE, Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), and Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
FeAl, Atom probe tomography, superalloy, superalliage, grain boundary, cottrell atmosphere, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], atmosphère de cottrell, sonde atomique tomographique, segregation, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], joint de grains
Abstract

Segregation is a general expression which describe the accumulation of atoms near defects of a material. Tomographic atom probe has been used to analyze, at a nanometric scale, the distribution of atoms near linear and planar defects.Boron atoms are added in small amount in Fe-40Al alloy (B2 ordered structure) to improve the mechanical resistance at ambient temperature. The spatial distribution of boron atoms in the grain of Fe-40Al alloy show a segregation to antiphase boundaries and stacking faults. A Cottrell atmosphere has been visualized for the first time at a nanometric scale. The enrichment of boron at the dislocation core is correlated with a depletion of aluminium atoms. We speculate that boron atoms substitute to aluminium atoms. This segregation of boron atoms within the grain of a Fe-40Al alloy seems to be responsible for the stabilisation of a new microstructure.A transmission electron microscope and a tomographic atom probe have been used to find a relation between the structure and the chemistry of a grain boundary. The experimental support of this work is a nickel base superalloy N18. Boron, molybdenium and chromium atoms segregate to the grain boundaries. This study show us that “random” grain boundaries are the most enriched in boron atoms. When this intergranular enrichment reach and is well above five atoms per square nanometer, a gamma disordered region of two nanometer in thickness separate always the gamma prime precipitates and the grain boundary plane.In a grain boundary plane, atoms are arranged in a way of parallelepipedal cells. Such a repartition might be the result of the particular structure of this grain boundary which is slightly misoriented to a position of coincidence., La ségrégation est une expression générale qui décrit un rassemblement d’atomes autour des défauts d’un matériau. La sonde atomique tomographique a été utilisée pour analyser à une échelle nanométrique la répartition des atomes prés de défauts linéaires et plans.Le bore est ajouté en quantité infinitésimale dans l’alliage Fe-40Al (structure ordonnée B2) pour augmenter sa résistance mécanique à température ambiante. La répartition spatiale des atomes de bore dans les grains de l’alliage Fe-40Al montre que ces atomes ségrégent sur les parois d’antiphase et les fautes d’empilements. L’image d’une atmosphère de Cottrell a été visualisée pour la première fois à une échelle nanométrique. L’enrichissement en bore au cœur de la dislocation s’accompagne d’un appauvrissement en aluminium. Le bore se substituerait aux atomes d’aluminium. Cette ségrégation de bore sur les défauts de l’alliage Fe-40Al semble responsable de la stabilisation d’une nouvelle microstructure.L’utilisation conjointe de la microscopie électronique en transmission et de la sonde atomique a permis d’étudier sur plusieurs joints de grains, la relation entre leur chimie et leur structure. Un superalliage à base de nickel N18 dopé au bore constitue le support expérimental de cette étude. Le bore, le molybdène et le chrome ségrègent aux joints. Mais ces analyses démontrent que les joints dits « généraux » sont les plus riches en bore. Quand cet enrichissement en bore atteint et dépasse 5 atomes par nanomètre carré, une zone désordonnée gamma de deux nanomètres d’épaisseur sépare toujours les précipités ordonnés gamma prime et le plan du joint.Dans le plan d’un joint de grains, des atomes ségrégés forment des cellules parallélépipédiques. Cette répartition semble provenir de la position légèrement désorientée par rapport à une position de coïncidence, de ce joint.

Published
2000

30. Influence of Na on grain boundary and properties of Cu(In,Ga)Se2 solar cells.

Author

Raghuwanshi, Mohit, Cadel, Emmanuel, Duguay, Sébastien, Arzel, Ludovic, Barreau, Nicolas, and Pareige, Philippe

Subjects
KIRKENDALL effect, COPPER, SOLAR cells, THIN films, CRYSTAL grain boundaries
Abstract

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Published
2017
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38. Rubidium distribution at atomic scale in high efficient Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells

Author

Vilalta-Clemente, Arantxa, Raghuwanshi, Mohit, Duguay, Sébastien, Castro, Celia, Cadel, Emmanuel, Pareige, Philippe, Jackson, Philip, Wuerz, Roland, Hariskos, Dimitrios, and Witte, Wolfram

Subjects
7. Clean energy
Abstract

Applied physics letters 112(10), 103105 (2018). doi:10.1063/1.5020805, Published by American Inst. of Physics, Melville, NY

39. Rubidium distribution at atomic scale in high efficient Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.

Author

Vilalta-Clemente, Arantxa, Raghuwanshi, Mohit, Duguay, Sébastien, Castro, Celia, Cadel, Emmanuel, Pareige, Philippe, Jackson, Philip, Wuerz, Roland, Hariskos, Dimitrios, and Witte, Wolfram

Subjects
RUBIDIUM, ATOM-probe tomography, SCANNING electron microscopy, FLUORIDES, FLUORINE compounds
Abstract

The introduction of a rubidium fluoride post deposition treatment (RbF-PDT) for Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) absorber layers has led to a record efficiency up to 22.6% for thin-film solar cell technology. In the present work, high efficiency CIGS samples with RbF-PDT have been investigated by atom probe tomography (APT) to reveal the atomic distribution of all alkali elements present in CIGS layers and compared with non-treated samples. A Scanning Electron Microscopy Dual beam station (Focused Ion Beam–Gas Injection System) as well as Transmission Kikuchi diffraction is used for atom probe sample preparation and localization of the grain boundaries (GBs) in the area of interest. The analysis of the 3D atomic scale APT reconstructions of CIGS samples with RbF-PDT shows that inside grains, Rb is under the detection limit, but the Na concentration is enhanced as compared to the reference sample without Rb. At the GBs, a high concentration of Rb reaching 1.5 at. % was found, and Na and K (diffusing from the glass substrate) are also segregated at GBs but at lower concentrations as compared to Rb. The intentional introduction of Rb leads to significant changes in the chemical composition of CIGS matrix and at GBs, which might contribute to improve device efficiency. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2018
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