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Submitted by Miguel Henrique Boratto null (miguelhboratto@gmail.com) on 2018-03-24T19:01:03Z No. of bitstreams: 1 M H Boratto - Tese doutorado.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5) Approved for entry into archive by Maria Marlene Zaniboni null (zaniboni@bauru.unesp.br) on 2018-03-26T16:38:12Z (GMT) No. of bitstreams: 1 boratto_mh_dr_bauru.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5) Made available in DSpace on 2018-03-26T16:38:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 boratto_mh_dr_bauru.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5) Previous issue date: 2018-02-09 Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) Este trabalho compreende o estudo de óxidos semicondutores (Sb:SnO2 e TiO2) e isolantes (ZrO2) obtidos via sol-gel, e a investigação de suas propriedades, de modo a avaliar estes materiais como alternativa para aplicação em dispositivos eletrônicos, tais como Capacitor Metal-Isolante-Metal (MIM), transistores de filmes finos (TFT) e memristores. Os filmes finos de SnO2 foram obtidos através de duas soluções com diferentes tempos de envelhecimento. Os filmes finos de ZrO2 também foram obtidos a partir de duas soluções, produzidas por dois métodos distintos, não-alcoóxido e polimérico. A deposição dos filmes finos foi realizada por dip- e spin-coating, e as caracterizações foram realizadas através das técnicas de DRX, AFM, MEV, Microscopia Confocal, EDX, RBS, TG/DSC, Espectroscopia no espectro UV-Vis, Voltametria Cíclica e Espectroscopia de Impedância, afim de melhor compreender as relações entre propriedades morfológicas e estruturais dos filmes e suas propriedades elétricas. As características de filmes finos de Sb:SnO2 e ZrO2 foram analisadas em dispositivos TFT e MIM, respectivamente. Alternativamente, TiO2 foi acoplado ao Sb:SnO2 e juntos foram aplicados em memristores devido às propriedades elétricas da junção destes semicondutores. Os resultados das análises dos diferentes tipos de dispositivos eletrônicos investigados neste trabalho são discutidos considerando suas diversas características, e são também propostas opções de possíveis melhorias para tais dispositivos tornarem-se comparáveis aos estados-da-arte já existentes. This work comprises the study of oxide semiconductors (Sb-doped SnO2 and TiO2) and insulating materials (ZrO2) obtained by sol-gel, and the investigation of their properties, aiming to evaluate these materials as alternative for application in electronic devices, such as Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors, Thin Film Transistors (TFT), and Memristors. The SnO2 thin films were obtained by two solutions with different aging times. The ZrO2 thin films were also obtained by two solutions, synthesized from two distinct methods, non-alkoxide and polymeric. The thin film deposition occurred mainly by dip- and spin-coating techniques, and the characterizations were performed through the techniques of XRD, AFM, SEM, Confocal Microscopy, EDX, RBS, TG/DSC, UV-Vis Spectroscopy, cyclic voltammetry and Impedance spectroscopy, in order to better understand the relations between the morphological and structural properties of these films and their electrical properties. The properties of Sb:SnO2 and ZrO2 thin films were analyzed in TFT and MIM devices, respectively. Alternatively TiO2 was coupled with Sb:SnO2 and applied to Memristors due to the electrical properties of this semiconductor junction. The analysis and results of the different devices investigated in this work are discussed considering their several characteristics, and it is also suggested options for possible enhancements for these devices become comparable to existent state-of-the-art devices.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:23:26Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2014-02-10Bitstream added on 2014-06-13T19:29:25Z : No. of bitstreams: 1 boratto_mh_me_bauru.pdf: 1198664 bytes, checksum: 4485a5159d7fb76191066a7ac2e905ce (MD5) O escopo deste trabalho é a obtenção de filmes finos de óxido de alumínio (alumina) através da evaporação resitiva de alumínio, seguido da oxidação térmica em atmosfera adequada (ar ou rica em O2), com varaiação do tempo e da temperatura do tratamento térmico. A investigação deste material tem por finalidade sua utilização como camada isolante em transistores de efeito de campo, mais especificamente do tipo metal-óxido-semicondutor (MOSTFET), visando a diminuição da corrente de fuga no gate e aumento do controle de corrente no canal de condução. Além de se tratar de dipositivo transparente, que permite a interação com luz. A análise das propriedades ópticas e estruturais dos filmes investigados mostra que na temperatura de 550ºC ocorre uma completa oxidação do material, a qual é acelerada em atmosfera de oxigênio. Valores de resistividade elétrica concordam com a tendência de oxidação revelada pelos dados de Difração de Raios X (DRX). Além disso, resultados de espectroscopia no infravermelho (FTIR) e Raman, em bom acordo com resultados de DRX, apresentam-se estrutura y-Al2O3. Amostras de alumina depositadas sobre substrato de vidro sodalime apresentam silício cristalino na interface com o Al2O3 advindo do substrato, enquanto amostras de Al2O3 sobre SnO2 não apresentaram esse material. A heterojunção entre SnO2:4at%Sb e Al2O3 foi caracterizada por DRX, Microscopia eletrônica de varredura (MEV) e Microscopia Confocal, que mostraram alta rugosidade do filme isolante sobre o semicondutor, e um provável processo de difusão entre as camadas isolante e semicondutora, em concordância com resultados de corrente x voltage (IxV), obtidos a partir da construção de um dispositivo simples, com contatos de Sn, ao qual foram submetidos dispositivos com diferentes números de camadas isolantes... The goal of this work is is to obtain aluminum oxide (alumina) thin films deposited by resistive evaporation of Al, followed by thermal oxidation in proper atmosphere (air or O2-rich), with varying time and temperature of thermal annealing. The investigation of this material of this material aims using this material for application as insulating layer in field effect transistors, specifically metal-oxide-semiconductor (MOSFET), seeking for low leakage current and efficient current control in the conduction channel. Besides, it is a transparent device, which allows interaction with light. Analysis of optical and structural properties of investigated films reveals that temperature of 550ºC is responsable for fair oxidation, which is accelerated in oxygen-rich atmosphere. Results of electrical resistivity agree with the oxidation, which is accelerated in oxygen-rich atmosphere. Results of electrical resistivity agree with the oxidation tendency found in the X-ray diffraction data (XRD). Moreover, results of infrared spectroscopy (FTIR) and Raman show the presence of y-Al2O3, also found in XRD data. Alumina samples deposited on soda-line glass substrates leads to the presence of crystalline Si, coming from the substrate leads to the presence of crystalline Si, coming from the substrate, whereas... (Complete abstract click electronic access below)

Submitted by Rafael Aparecido da Silva (rafael.a.silva@unesp.br) on 2022-04-05T19:26:59Z No. of bitstreams: 1 Diss_Rafael_Silva_POSMAT.pdf: 4870344 bytes, checksum: 0570f4e627dec4f480c7e819e0578d26 (MD5) Rejected by Lucilene Cordeiro da Silva Messias null (lubiblio@bauru.unesp.br), reason: Favor refazer a submissão seguindo as orientações abaixo: 1 - Inserir a ficha catalográfica após a folha de rosto pois é um ítem obrigatório 2 - Inserir a cópia da ata de defesa após a ficha catalográfica pois é um ítem obrigatório Agradecemos a compreensão on 2022-04-06T13:02:17Z (GMT) Submitted by Rafael Aparecido da Silva (rafael.a.silva@unesp.br) on 2022-04-06T14:53:24Z No. of bitstreams: 1 Diss_Rafael_Silva_POSMAT.pdf: 5133458 bytes, checksum: 2fa1a01326dc1b01239067f6a59b13f2 (MD5) Approved for entry into archive by Lucilene Cordeiro da Silva Messias null (lubiblio@bauru.unesp.br) on 2022-04-07T11:39:44Z (GMT) No. of bitstreams: 1 silva_ra_me_bauru.pdf: 5133458 bytes, checksum: 2fa1a01326dc1b01239067f6a59b13f2 (MD5) Made available in DSpace on 2022-04-07T11:39:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 silva_ra_me_bauru.pdf: 5133458 bytes, checksum: 2fa1a01326dc1b01239067f6a59b13f2 (MD5) Previous issue date: 2022-03-07 Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) O estudo da influência de aditivos orgânicos na composição flexível condutora baseada em Látex Natural e PEDOT:PSS foi desenvolvido neste mestrado, com foco nas propriedades elétricas e mecânicas para aplicações em bioeletrônica. As blendas foram obtidas a partir da dispersão de diferentes concentrações de Carbon Black (CB), Óxido de Grafeno reduzido (rGO) e Polipirrol (PPy) como aditivos na solução de PEDOT:PSS com Látex Natural com proporção de 1:4 (volume:volume) e foram depositadas em substratos de vidro por drop-casting, secas e retiradas do substrato para estudo. As blendas apresentaram diferentes propriedades elétricas e mecânicas de acordo com o aditivo utilizado. O CB atuou como reticulador e melhorou a condutividade por caminhos de condução da blenda, fornecendo maior estabilidade elétrica e mecânica. O rGO agiu como um integrante físico na blenda, contribuindo com o aumento na resistência mecânica, e com menor tempo de relaxamento e afastamento dos caminhos condutores. O PPy contribui para a percolação, com o maior número de cadeias poliméricas condutoras na blenda. Os aditivos adicionaram à blenda características de resposta estável a estímulos compressivos diferentemente da amostra controle, possibilitando o uso destas blendas como materiais piezoresistivo. As proporções de cada aditivo nas blendas que apresentaram melhor performace eletromecânicas foram; 3,5 mg de CB, 10 mg de rGO e 5,0 mg de PPy por mL de PEDOT:PSS. Com as respectivas condutividades iniciais; 2,3 ± 0,2 Ω.cm, 3,4 ± 0,2 Ω.cm e 1,9 ± 0,2 Ω.cm. Respectivos módulos de elasticidade; 90,37 KPa, 85,66 KPa e 134,56 KPa. E as respectivas variações de corrente sob o processo de compressão; 350%, 480% e 800%. The study of the influence of organic additives in conductive flexible blends based on Natural Rubber Latex and PEDOT:PSS was developed in this work, focusing on electrical and mechanical properties for applications in bioelectronics. The blends were obtained from the dispersion of Carbon Black (CB), reduced Graphene Oxide (rGO) and Polypyrrole (PPy) as additives in the blend of PEDOT:PSS with Natural Latex, with a ratio of 1:4 (volume:volume). The blends were deposited on glass substrates by drop-casting, dried and detached for study. The blends showed different electrical and mechanical properties according to the additive used. The CB acted as a crosslinker of isoprene chains and enhanced charge percolation, providing higher electrical and mechanical stability. The rGO contributed to increase the mechanical strength, and high percolation relaxation time. PPy contributes to percolation, with the highest number of conductive polymer chains in the blend. The additives added to the blend characteristics of stable response to compressive stimuli differently from the control sample, enabling the use of these blends as piezoresistive materials. The proportions of each additive in the blends that presented the best electromechanical performance were; 3.5 mg of CB, 10 mg of rGO and 5.0 mg of PPy per mL of PEDOT:PSS. With the respective initial conductivities; 2.3 ± 0.2 Ω.cm, 3.4 ± 0.2 Ω.cm and 1.9 ± 0.2 Ω.cm. Respective modules of elasticity; 90.37 KPa, 85.66 KPa and 134.56 KPa. And the respective current variations under the compression process; 350%, 480% and 800%. 88887.600230/2021-00