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In dieser Arbeit wurden Einzelschichten und Schichtsysteme aus porösem Silicium auf p-dotierten Substraten hergestellt. Die Charakterisierung der Proben erfolgte mittels Gravimetrie, REM, TEM, RAMAN-, Reflexions- und Photolumineszenz-Spektrosopie. Ausgangspunkt bildete eine gravimetrische Bestimmung der makroskopischen Größen Porosität und Ätzrate in Abhängigkeit der Herstellungsparameter. Die Porosität steigt mit zunehmender Stromdichte beim elektrochemischen Ätzprozeß über einen weiten Bereich linear an. Eine Steigerung der HF-Konzentration führt in Übereinstimmung mit Literaturergebnissen zu einer Verringerung der Porosität bei ansonsten gleichen Ätzparametern. Die Substratdotierung bestimmt den Bereich, in dem die Porosität der Schichten durch unterschiedliche Stromdichen variiert werden kann. Zusätzlich zu einer Berechnung der Ätzrate aus den gravimetrischen Daten wurde die Abhängigkeit der Ätzrate von der Strom dichte für unterschiedliche Substratdotierungen anhand von Schichtdickenmessungen mittels REM bestimmt. Die Mikrostruktur der Proben wurde anhand von TEM-Aufnahmen und einer Linienformanalyse von RAMAN-Spektren untersucht. Für Substratdotierungen kleiner etwa 4 · 10$^{17}$ cm$^{-3}$ besitzt PS eine mikroporöse Struktur mit Poren und Strukturabmessungen im Bereich weniger Nanometer. Ab einer Dotierung von etwa 1 $\cdot$ 10$^{19}$ cm$^{-3}$ bildet sich eine deutlich grobere mesoporöseStruktur. Die asymmetrische Verbreiterung des Phononpeaks bei porösem Silicium kann durch eine Einsperrung der Phononen in Silicium-Nanokristallite erklärt werden. Mit Hilfe eines theoretischen Modells zur Phononeinsperrung und einer Linienformanalyse der RAMAN-Spektren konnte die Größenverteilung der Nanokristallite bestimmt werden. Es zeigte sich, daß bei mesoporösem Silicium im Vergleich zu mikroporösem Silicium der Anteil von Kristalliten mit Durchmesser < 30 $\mathring{A}$ deutlich reduziert ist. Die Stärke der aus den RAMAN-Spektren bestimmten Gitterverzerrung in porösem Silicium ist proportional zu der Größe der spezifischen Oberfläche der Schichten. [...]

Die steigenden Anforderungen an die Halbleiterelektronik zwingen zur Entwicklung neuartiger Technologien. Die gängige Siliciu gntechnik ist in vielen Bereichen am Ende ihrer Möglichkeiten angelangL Dies gilt u. a. für die Geschwindigkeit elektronischer Schaltkreise. Hier bieten Bauelemente aus III-V Halbleitern wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) oder aber ternäre Halbleiter, wie Indiumgalliumarsenid (InGaAs), gegeniiber Silicium eine Vielzahl von Vorteilen. Der Grand hierfür liegt zum einen in der bei III-V Halbleitern höheren Beweglichkeit der Elektronen im Kristall. Dadurch ist es möglich, einen Transistor aus GaAs bei einer höheren Frequenz zu betreiben, als dies mit Silicium machbar wäre. Zum anderen bietet die III-V Technologie Zugang zu völlig neuartigen Bauelementen, die auf Quanteneffekten von zweidimensional eingesperrten Elektronen beruhen. Ein Beispiel ist der sogenannte High-Electron-Mobility-Transistor (HEM). Mit einem derartigen Transistor sind sehr viel höhere Schaltgeschwindigkeiten - bei geringerem Rauschen - als mit herkömmlichen Transistoren erreichbar. Diese Arbeit befaßt sich mit zwei speziellen Problemstellungen, die sich bei der Verwirklichung einer auf GaAs basierenden Mikroelektronik ergeben. Ein wesentlicher Bestandteil eines Schaltkreises ist die elektrische Verbindung des Halbleiters mit den metallischen Leiterbahnen. Je nach Anforderung wird ein gleichrichtender Charakter der Verbindung Metall-Halbleiter (Schottky Kontakt) oder eine Verbindung, die einen mit der Spannung linearen Stromfuß gestattet (ohmscher Kontakt), gewünscht. Es ist heutzutage bereits möglich, ohmsche Kontakte auf GaAs mit hinreichend niedrigen Kontaktwiderständen herzustellen. Insbesondere der Ni/Au/Ge-Kontakt gilt bei n-GaAs als Industriestandard. Die physikalische Ursache für das ohmsche Verhalten ist in vielen Fallen jedoch ungeklart. Um geringere Kontaktwiderstände zu erreichen und insbesondere den für das ohmsche Verhalten verantwortlichen Mechanismus zu ergründen, wurde von einer Arbeitsgruppe, an der Katholischen Universität Leuven [...]