Search

Kietojo kūno optikos mokslinėje laboratorijoje buvo išmatuoti mūsų išaugintų SbSI, TlInS2 ir TGS kristalų dvejopo lūžio priklausomybė nuo temperatūros. Eksperimentinis dvejopo lūžio priklausomybės nuo temperatūros tyrimas leido nustatyti TGS, TlInS2 ir SbSI kristalų fazinių virsmų temperatūrą. Teoriškai, tankio funkcionalo teorijos metodu (DFT), buvo apskaičiuoti SbSI kristalo lūžio rodikliai paraelektrinėje ir feroelektrinėje fazėse. Taip pat skaičiuotas dvejopas lūžis feroelektrinio fazinio virsmo srityje. Teoriniai dvejopo lūžio skaičiavimų rezultatai palyginti su eksperimentiniais matavimų rezultatais. In Solid State Science Laboratory we measured birefringence on temperature of grown SbSI, TlInS2 and TGS crystals. The measurement of birefringence helps to evaluate the ferroelectric phase transition of TGS, TlInS2 ir SbSI crystals. Refractive indices of SbSI crystal in paraelectric and ferroelectric phase we investigated by DFT method with program Wien2k. The theoretical results of birefringence were compared with experimental results.

SbSI(Sb2Se3)0,25 kristalai išauginti Kietojo kūno optinėje mokslinėje laboratorijoje. Jie sudaryti iš SbSI grandinėlių ir Sb2Se3 domenų, nusitęsusių c(z) kristalografinės ašies kryptimi. Jeigu gryname SbSI kristale grandinėlės yra nesuspaustoje būsenoje (Tc =295 K). Suspaustų SbSI grandinėlių feroelektrinio fazinio virsmo temperatūra išauga. Pasaulinėje literatūroje nėra duomenų, kokia SbSI(Sb2Se3)0,25 kristalo feroelektrinio fazinio virsmo temperatūra Tc. The SbSI(Sb2Se3)0,25 crystals are grown in the Optical science laboratory of solid body. They are made from SbSI chains and Sb2Se3 domains, which extend c(z) to the crystallographic axis vector. If the clear SbSI crystals chases are in uncompressed phase (Tc = 295K), the temperature in ferroelectrics phase transformation grows. There is no data in literature about the SbSI(Sb2Se3)0,25 crystals ferroelectric transition temperature Tc.

Tirta ErMnO3 optinės savybės: apskaičiuotos dielektrinių skvarbų spektrinės priklausomybės, optinių šuolių energijos, lūžio ir sugerties rodikliai. Tyrimai atlikti elipsometru, dielektrinė funkcija apskaičiuojama pagal vienašio kristalo modelį. Manganites have attracted a lot of attention due to their magnetical properties: colossal magnetoresistance, variety of phase, but the optical properties of ErMnO3 were not widely investigated. Investigation of optical properties of ErMnO3 single crystal were studie by means of ellipsometry method. Ellipsometric studies have been carried out in the spectral range of 1- 5 eV. The photimetric ellipsometer with rotating analyzer was used. Experimental ellipsometer data were analysed in the isotropical and uniaxial crystal models. The optical properties of ErMnO3 were investigated: ellipsometric parameters Ψ and Δ were determinated, the components of dielectric function and energy of optical transition were found, calculated refractive and absorption indexs.

1. Eksperimentiniai SbSI +15% Sb2S3 kristalų atspindžio spektro tyrimai patvirtino, kad mūsų išaugintuose SbSI +15% Sb2S3 kristaluose feroelektrinis fazinis virsmas vyksta temperatūroje TC = 330 K. SbSI kristalai temperatūrų srityje T > TC yra paraelektrinėje fazėje, o temperatūrų srityje T < TC yra feroelektrinėje fazėje. 2. SbSI +15% Sb2S3 kristalų teoriniai normaliųjų virpesių harmoniniame artėjime dažniai sutampa su eksperimentinais dažniais, kai > 50 cm-1. Spektro srityje < 50cm-1 normaliųjų virpesių dažniai nesutampa su ekperimentinais dažniais, nes šioje srityje normaliųjų modų virpesiai yra stipriai anharmoniniai. 3. Teoriniai SbSI +15% Sb2S3 kristalų normaliųjų modų dažnių priklausomybių nuo temperatūros harmoniniame artinyje tyrimas parodė, kad arti TC = 330 K stebimos anomalijos. Šios anomalijos sutampa su eksperimentiniais dažniais tik spektro srityje > 50 cm-1 . Anomalijas sąlygoja elementariosios gardelės tūrio kitimas. 4. Spektro srityje = 50 cm-1 minkštųjų modų temperatūrinė priklausomybė ir TC pokytis yra sąlygoti V(z) anharmoninių narių, kuriuos s��lygoja fononų sąveika su fononais. SbSI ir SbSI +15% kristalų Sb atomo potencines energijos V(z) priklausomybės nuo žemo dažnio B1U modos normaliųjų koordinačių ašies kryptimi anharmoniniame artinyje parodė. 1. SbSI kristale, kurio grandinėlės yra nesuspaustos - ašies kryptimi arti V(z) potencialinis barjeras . 2. SbSI +15% kristaluose SbSI grandinėlės yra suspaustos Sb2S3 domenų... [toliau žr. visą tekstą] SbSI +15% Sb2S3 crystals have been grown from the solution. Reflection spectra of the SbSI +15% Sb2S3 crystals were studied by a modernized Fourier spectrometer using an improved Kramers-Kroning technique with two confining spectral limits, the spectra of optical parameters and optical functions were calculated. The vibrational frequencies and have been evaluated. The vibrational frequencies of SbSI chains with displaced Sb3 and Sb4 atoms along x-axis from their equilibrium positions in different phases have been calculated in the harmonic approximation. The theoretical results are compared with experimental data. Taking into account the unharmonicity of the electronic structure and lattice caused mainly by the phonon-phonon interaction, the phase transition temperature Tc has been calculated. The dependence of the potential energy function of the soft B1U mode upon temperature determines variation of the frequency in the phase transition region.

Šiame darbe buvo tirtas srovės pernešimo mechanizmas plonose oksido plėvelėse,t.y. SiO-Al, Al-SiO2-Al, Al-Al2O3-Al ir p/Si-Ta2O5-Al. Tuo tiklu buvo eksperimentiškai išmatuotos srovės stiprio temperatūrinės priklausomybės, esant įvairių įtampų vertėms, taip pat voltamperinės charakteristikos plačiame temperatūrų intervale ir nustatytas barjero aukščio (aktyvacijos energijos) kitimas nuo įtampos ir temperatūros. Eksperimentiniai rezultatai lyginami su teorinėmis elektronų tunelinių šuolių tikimybės priklausomybėmis nuo elektrinio lauko stiprio ir temperatūros. The conduction mechanisms in SiO-Al, Al-SiO2-Al, Al-Al2O3-Al and p/Si-Ta2O5-Al structures has been investigated. In this way there were observed the current dependences of voltages by various temperature values, also the current dependence of temperatures by various valtage values and an activation energy dependence from voltage and temperature. The experimental data have been compared with the teorical tunneling probabilities depending on the strength of the electric field and temperature. The obtained experimental lnI(T) at various aplied voltage is in a good agreement with the theoretical ln W(T) dependences. After the analysis of the measurment data it was shown that the tunneling mechanism is prevailing in the region of strong fields and low temperature. Also it has been observed that the energy activation decreased when of the values of applied voltage is increased and increased when of the values of applied temperature is increased. The observed dependence of barrier height on the voltage established for the I(T, U) characteristics are also explained by the phonon stimulated tunneling mechanism.

Concerning Strainers generation mechanism in Schottky barriers.