201. Síntese e estudo raman de grafeno bicamada rodado sob influência e campo eléctrico
- Author
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Santos Junior, Manoel Carlos dos, Fragneaud, Benjamin, Barros, Eduardo Bedê, and Dantas, Sócrates de Oliveira
- Subjects
Deposição química na fase vapor ,Back gated devices ,Raman spectroscopy ,Grafeno bicamada rodado (GBR) ,Chemical vapor deposition ,Espectroscopia raman ,Twisted bilayer graphene ,Dispositivo de efeito de campo (FET) ,CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA [CNPQ] - Abstract
CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior No presente trabalho, usamos os dois principais modos de operação CVD, LPCVD (low Pressure Chemical Vapor Deposition – Deposição Química na Vapor em Baixa Pressão) e APCVD (Ambient Pressure Chemical Vapor Deposition – Deposição Química na Vapor em Pressão Ambiente), para a produção de filmes de grafeno bicamada rodado (GBR). O modo LPCVD se mostrou mais eficaz para produção de grafeno monocada de alta qualidade e cobrindo grandes áreas. Pelo modo APCVD foi possível otimizar uma rota reprodutível para sintetizar filmes de GBR com todos os ângulos possíveis e com dimensões suficientes para realização de medidas Raman com precisão espacial (≈100 ). Usamos, microscopia óptica e espectroscopia Raman para caracterizar os filmes de GBR. Posteriormente, os filmes sintetizados foram transferidos para um substrato litografado para confecção de um dispositivo de efeito de campo (FET). Fizemos um estudo sistemático das características Raman do GBR (frequência, largura máxima a meia altura e intensidades relativas das bandas G e 2D) como função da altura do nível de Fermi. Observamos uma diminuição das Anomalias de Kohn e um aumento do tempo de vida dos fônons responsáveis pela banda G tanto do grafeno quanto do GBR quando a tensão de porta é sintonizada. Observamos também que, para ângulos grandes, 20°≤≤30°, as principais características Raman do GBR se mantém constantes quando sintonizamos uma tensão de porta, em outras palavras, as curvas da frequência e da largura máxima a meia altura das bandas G e 2D assumem o mesmo comportamento. Contudo, para ângulos pequenos, menores que
- Published
- 2016