Search

The isotropic Compton profile of solid o-H2 is calculated, using the molecular tight-binding method and taking the overlap integrals into account. It is shown that solid-state effects are small but not negligible.

The band structure of hexagonal boron nitride in the two-dimensional approximation is computed using the tight-binding approximation in a semi-empirical way. The results are compared with those of the isoelectronic compound graphite and are shown to be in agreement with the basic experimental data. Three-dimensional band structure calculations have also been performed and the effect of the different spatial structure of boron nitride and graphite lattices on the electronic levels at the saddle point is shown to produce a doublet in the optical excitation spectrum of BN. La struttura a bande del nitruro di boro esagonale nella approssimazione bidimensionale è calcolata usando il metodo del legame stretto in modo semiempirico. I risultati sono confrontati con quelli del composto isoelettronico grafite e sono in accordo con le proprietà sperimentali fondamentali. La struttura a bande nel caso tridimensionale è pure calcolata e il doppietto nello spettro di eccitazione ottica del BN è attribuito all’effetto della diversa struttura spaziale del nitruro di boro e della grafite sui livelli elettronici al punto sella. Полузмпирическим путем, испольэуя приближение сильной свяэи, вычисляется эонная структура гексагонального нитрида бора в двумерном приближении. Полученные реэультаты сравниваются с реэультатами для иэозлектронного составного графита, и покаэывается, что они согласуются с основными зкспериментальными данными. Также были проведены вычисления трехмерной эонной структуры, и покаэывается, что влияние раэличной пространственной структуры рещеток нитрида бора и графита на злектронные уровни в седловой точке дает дублет в спектре оптического воэбуждения BN.

The band structure of graphite and of the layer compounds GaS and GaSe is computed by using the tight-binding approach in a semi-empirical way. The band structure is related to the basic properties of these compounds and some features of the optical excitation spectrum are explained. We show that the reason why graphite is a semi-metal and GaS and GaSe are semiconductors can be understood in the two-dimensional approximation and is due to the existence of the inversion symmetry in the former case. The absorption edge in GaS corresponds to indirect transitions between the statesΓ1+andP1+, while in GaSe it corresponds to direct transitions between the statesΓ1+andΓ3+. Sharp peaks inε2(0,ω) are attributed to saddle point singularities in the joint density of states. The effect on the optical properties produced by a change in the polarization of light is discussed. La struttura a bande della grafite e dei composti lamellari GaS e GaSe è ottenuta usando l’approssimazione dell’elettrone fortemente legato in forma semi-empirica. La struttura a bande è messa in relazione con le proprietà fondamentali di tali composti ed alcune caratteristiche dello spettro di eccitazione ottica vengono spiegate. Si è mostrato che la ragione per la quale la grafite è un semimetallo, mentre GaS e GaSe sono semiconduttori, può essere capita nella approssimazione bidimensionale; essa è dovuta alla presenza, nel caso della grafite, della simmetria di inversione. Lo spigolo di assorbimento del GaS corrisponde a transizioni indirette tra gli statiΓ1+eP1+, mentre nel GaSe esso corrisponde a transizioni dirette tra gli statiΓ1+eΓ3+. Picchi nella funzione dielettricaɛ2(0,ω) sono attribuiti a singolarità nella densità di stati in corrispondenza a punti di sella. L’effetto di un cambiamento della direzione di polarizzazione della luce sulle proprietà ottiche viene discusso. Вычисляется эонная структура графита слоистых соединений GaS и GaSe, причем, полузмпирически испольэуется приближение плотной свяэи. Зонная структура свяэывается с основными свойствами зтих соединений, и общясняются некоторые особенности спектра оптических воэбуждений. Мы отмечаем, что причину того, почему графит является полуметаллом, а GaS и GaSe являются полупрово-дниками, можно понять иэ двумерного приближения, и зто обусловлено сушество-ванием обратной симметрии в первом случае. Край поглошения в GaS соответствует непрямым переходам между состояниямиΓ1+иP1+, тогда как в GaSe край поглошения соответствует прямым переходам между состояниямиΓ1+иP3+. Острые пики вɛ2(0,ω) относятся эа счет сингулярностей седловых точек в сочленной плотности состояний, обсуждается зффект для оптических свойств, который обусловлен иэменением поляриэации света.