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85 results on '"Folliot, Hervé"'

51. Dynamics spectroscopy in 1.55 µm InAs/InP quantum dots under high resonant excitation

Author

Labbé, Christophe, Cornet, Charles, Folliot, Hervé, Caroff, Philippe, Levallois, Christophe, Dehaese, Olivier, Even, Jacky, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2006

52. Growth of quantum wires for long-wavelength VCSEL with a polarized laser emission

Author

Levallois, Christophe, Caroff, Philippe, Paranthoen, Cyril, Folliot, Hervé, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Levallois, Christophe, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Condensed Matter::Materials Science, quantum dash, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Bragg mirror, InP, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], quantum wires, Physics::Optics, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, semiconductor laser, VCSEL, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience; We report continuous-wave operation at room temperature for a 1.55-µm VCSEL where the active region is made up of quantum-well. Now, self-organized quantum wires grown on InP substrate is used to obtain polarized laser emission.

Published
2006

53. First observation of wavelength greater than 2 microns photoluminescence of quantum dots on InP (100) substrate

Author

Doré, François, Cornet, Charles, Caroff, Philippe, Ballestar, A., Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Dehaese, Olivier, Alghoraibi, Ibrahim, Folliot, Hervé, Piron, Rozenn, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Boyer, Soline, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2005

54. Approach to wetting-layer-assisted lateral coupling of InAs/InP quantum dots

Author

Cornet, Charles, Platz, Charly, Caroff, Philippe, Even, Jacky, Labbé, Christophe, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
73.21.La, 71.15.-m, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2005
Full Text
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55. First observation of 2.4 microns photoluminescence of InAsSb/InP quantum dots on (100) InP substrate

Author

Doré, François, Cornet, Charles, Ballestar, A., Even, Jacky, Dehaese, Olivier, Alghoraibi, Ibrahim, Folliot, Hervé, Piron, Rozenn, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Boyer, Soline, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2005

56. All-optical sampling based on TPA in semiconductor microcavity for high-speed OTDM

Author

Maguire, Paul, Barry, Liam, Krug, T., Lynch, M., Bradley, A.L., Donegan, J.F., Folliot, Hervé, Research Institute for Networks and Communications Engineering (RINCE), Dublin City University [Dublin] (DCU)-Science Foundation Ireland-Enterprise Ireland-Higher Education Authority-School of Electronic Engineering, Semiconductor Photonics Research Group, Trinity College Dublin-Science Foundation Ireland-Enterprise Ireland-Higher Education Authority, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, SPIE, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Physics::Optics
Abstract

conference 5825A "Optoelectronics and Photonics Devices", poster session [5825-44], proceedings of SPIE (ISBN 0-8194-5810-4); International audience; Future high-speed optical communications networks operating at data rates in excess of 100Gbit/s per channel will require a sensitive and ultrafast technique for precise optical signal monitoring. The standard way of characterising high-speed optical signals to use a fast photodetector in conjunction with a high-speed oscilloscope. However, this method is limited to a maximum data rate of approximately 40Gbit/s. An alternative is to employ all-optical sampling techniques based on ultrafast optical nonlinearities present in optical fibres, optical crystals and semiconductors. One such nonlinearity is the optical-to-electrical process of Two-Photon Absorption (TPA) in a semiconductor. This paper presents an optical sampling technique based on TPA in a specially designed semiconductor microcavity. By incorporating the microcavity design, we are able to enhance the TPA efficiency to a level that can be used for high-speed optical sampling.

Published
2005
Full Text
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57. InAsSb/InP quantum dots for midwave infrared emitters : a theoretical study

Author

Even, Jacky, Cornet, Charles, Doré, François, Schliwa, Andrei, Ballestar, A., Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Folliot, Hervé, Piron, Rozenn, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin (TU), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin (TU), and Boyer, Soline

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2005

58. Carrier dynamics and saturation effect in (311)B InAs/InP quantum dot lasers

Author

Miska, Patrice, Veselinov, Kiril, Grillot, Frederic, Even, Jacky, Platz, Charly, Cornet, Charles, Paranthoen, Cyril, Bertru, Nicolas, Labbé, Christophe, Dehaese, Olivier, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Moreau, Gautier, Simon, Jean-Claude, Marie, Xavier, Ramdane, Abderrahim, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

Subjects
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2005

59. Properties of 1.55 microns quantum dots: Simulation, calculation and optical characterization

Author

Cornet, Charles, Labbé, Christophe, Folliot, Hervé, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Boyer, Soline

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Published
2005

60. Polycristalline silicon with very low phosporus content

Author

Zaghdoud, Montaceur, Rogel, Régis, Fathallah, M., Mohammed-Brahim, Tayeb, Folliot, Hervé, Kervella, Katell, Laboratoire de recherche en Génie Logiciel, Applications distribuées, Systèmes décisionnels et Imagerie intelligente [Manouba] (RIADI), École Nationale des Sciences de l'Informatique [Manouba] (ENSI), Université de la Manouba [Tunisie] (UMA)-Université de la Manouba [Tunisie] (UMA), Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Supérieure des Sciences et Techniques [Tunis] (ESSTT), Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, and Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1)

Published
2005

63. Lasers à îlots quantiques InAs/InP émettant à 1.55 µm pompés électriquement

Author

Platz, Charly, Caroff, Philippe, Paranthoën, Cyril, Moreau, Gautier, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Folliot, Hervé, Labbé, Christophe, Dehaese, Olivier, Loualiche, Slimane, Ponchet, Anne, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Fève, Sylvain

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMethodologies_DOCUMENTANDTEXTPROCESSING, GeneralLiterature_REFERENCE(e.g.,dictionaries,encyclopedias,glossaries)
Abstract

http://www.jnmo.online.fr/JNMO2004/bienvenue.html

Published
2004

64. Reciprocal space description of the electronic coupling between a wetting layer and a QD superlattice plane

Author

Cornet, Charles, Platz, Charly, Miska, Patrice, Labbé, Christophe, Folliot, Hervé, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Boyer, Soline

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2004

65. Mesure directe de l'absorption optique à 1.55 microns de boites quantiques InAs/InP (113)B et étude de l'influence du couplage boite/couche de mouillage sur les propriétés électroniques

Author

Cornet, Charles, Labbé, Christophe, Platz, Charly, Even, Jacky, Folliot, Hervé, Bertru, Nicolas, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Paranthoen, Cyril, Loualiche, Slimane, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2004

68. Thermotropic Luminescent Clustomesogen Showing a Nematic Phase: A Combination of Experimental and Molecular Simulation Studies

Author

Cortes, Maria Amela, primary, Dorson, Frederick, additional, Prévôt, Marianne, additional, Ghoufi, Aziz, additional, Fontaine, Bruno, additional, Goujon, Florent, additional, Gautier, Régis, additional, Cîrcu, Viorel, additional, Mériadec, Cristelle, additional, Artzner, Franck, additional, Folliot, Hervé, additional, Cordier, Stéphane, additional, and Molard, Yann, additional

Published
2014
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69. Caractérisation par Spectroscopie de Photo-courant de Boîtes Quantiques InAs/InP(113)b et (100)

Author

Sakri, Abdallah, Gloux, Florence, Lemoine, Daniel, Dehaese, Olivier, Folliot, Hervé, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Sakri, Abdallah, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)

Subjects
laser à 1, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, structure électronique, boites quantiques InAs/InP(311) et (100), [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, hétero-structures, 55µm, photo-courant
Abstract

Nous avons utilisé la spectroscopie par photo-courant (PC) pour mettre en évidence la structure électronique d'îlots quantique InAs sur substrat d'InP(113) et (100) pour une émission contrôlée à 1,55µm. L'étude en fonction de la température a montré une variation de l'ordre de 70meV des premiers niveaux d'énergies de transition pour des températures variant entre 77 et 300K. L'échappement des porteurs induits par absorption s'avère être assisté par les effets tunnel et thermoïonique. Les taux d'échappement ainsi que les énergies d'activation correspondants aux différents niveaux d'énergie ont pu être estimés. L'étude comparative en fonction de l'empilement de plans d'îlots (1, 3 et 6 plans) montre de faibles écarts de variation des énergies dans les structures à 3 et à 6 plans. Des simulations utilisant un modèle simple de type kp à une bande ont permis de calculer les niveaux d'énergie dans les îlots et de confirmer les résultats expérimentaux.

Published
2003

70. Lasers à îlots quantiques InAs/InP émettant à 1.53µm sur la transition fondamentale

Author

Platz, Charly, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Paranthoën, Cyril, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Folliot, Hervé, Miska, Patrice, Labbé, Christophe, Loualiche, Slimane, Moreau, Gautier, Simon, Jean-Claude, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire d'Optronique, Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Fève, Sylvain

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Published
2002

71. Caractérisations optiques des boites quantiques InAs/InP émettant à 1.55 µm

Author

Paranthoën, Cyril, Platz, Charly, Moreau, Gautier, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Miska, Patrice, Even, Jacky, Folliot, Hervé, Labbé, Christophe, Simon, Jean-Claude, Loualiche, Slimane, Fève, Sylvain, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire d'Optronique, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Published
2002

72. Lasers à base d'îlots quantiques InAs/Inp(100) et (311)B

Author

Platz, Charly, Bertru, Nicolas, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Paranthoën, Cyril, Even, Jacky, Folliot, Hervé, Miska, Patrice, Labbé, Christophe, Loualiche, Slimane, Moreau, Gautier, Simon, Jean-Claude, Fève, Sylvain, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire d'Optronique, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Published
2002

73. Increase of charge-carrier redistribution efficiency in a laterally organized superlattice of coupled quantum dots

Author

Cornet, Charles, Hayne, M., Caroff, P., Levallois, Christophe, Joulaud, L., Homeyer, E., Paranthoen, Cyril, Even, Jacky, Labbe, C., Folliot, Hervé, Moshchalkov, Victor V., Loualiche, Silmane, Cornet, Charles, Hayne, M., Caroff, P., Levallois, Christophe, Joulaud, L., Homeyer, E., Paranthoen, Cyril, Even, Jacky, Labbe, C., Folliot, Hervé, Moshchalkov, Victor V., and Loualiche, Silmane

Abstract

We report the observation of enhanced charge-carrier redistribution in laterally organized and coupled InAs/InP quantum dots (QDs). We show that a periodic organization appears in the QD plane for a high in-plane QD density (QDD). This organization enhances the lateral coupling between the dots, which is evidenced by photoluminescence and magnetophotoluminescence experiments. Electronic inter-QD lateral coupling results in an improved charge-carrier distribution at low temperature, as shown by electroluminescence on high QDD QD lasers. We conclude that the inter-QD tunneling occurs via the tunneling of excited states through the wetting layer, and discuss the prospects of using coupled QDs for improving the quantum efficiency and dynamical properties of QD lasers.

Published
2006

74. Réalisation d’un laser à faible courant de seuil, avec des boites quantiques InAs/InP organisées et couplées latéralement

Author

Cornet, Charles, Hayne, M., Levallois, Christophe, Caroff, P., Homeyer, E., Even, Jacky, Paranthoen, Cyril, Folliot, Hervé, Labbe, C., Loualiche, Slimane, Cornet, Charles, Hayne, M., Levallois, Christophe, Caroff, P., Homeyer, E., Even, Jacky, Paranthoen, Cyril, Folliot, Hervé, Labbe, C., and Loualiche, Slimane

Abstract

Nous présentons ici la réalisation d’un laser à faible courant de seuil avec des boites quantiques (QDs) organisées et couplées InAs/InP sur subsstrat (311)B pour une émission à 1.55 m. En effet, pour des hautes densités de QDs, une organisation périodique apparaît dans le plan. Cette organisation renforce le couplage latéral inter-boites. Des expériences de magnéto-photoluminescence permettent de mettre en évidence ces effets de couplage. Ce couplage améliore l’injection des porteurs. Une émission laser avec des faibles courants de seuil est obtenue avec de telles boites.

Published
2006

75. Impact of the capping layers on lateral confinement in InAs/InP quantum dots for 1.55 um laser applications srudied by magneto-photoluminescence.

Author

Cornet, Charles, Levallois, Christophe, Caroff, P., Folliot, Hervé, Labbé, Christophe, Even, Jacky, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Hayne, Manus, Moshchalkov, Victor V., Cornet, Charles, Levallois, Christophe, Caroff, P., Folliot, Hervé, Labbé, Christophe, Even, Jacky, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Hayne, Manus, and Moshchalkov, Victor V.

Abstract

We have used magnetophotoluminescence to study the impact of different capping layer material combinations (InP, GaInAsP quaternary alloy, or both InP and quaternary alloy) on lateral confinement in InAs/InP quantum dots (QDs) grown on (311)B orientated substrates. Exciton effective masses, Bohr radii, and binding energies are measured for these samples. Conclusions regarding the strength of the lateral confinement in the different samples are supported by photoluminescence at high excitation power. Contrary to theoretical predictions, InAs QDs in quaternary alloy are found to have better confinement properties than InAs/InP QDs. This is attributed to a lack of lateral intermixing with the quaternary alloy, which is present when InP is used to (partially) cap the dots. The implications of the results for reducing the temperature sensitivity of QD lasers are discussed. ©2005 American Institute of Physics

Published
2005

76. Achievement of InSb Quantum Dots on InP(100) Substrates

Author

Lu, Wei, primary, Rohel, Tony, additional, Bertru, Nicolas, additional, Folliot, Hervé, additional, Paranthoën, Cyril, additional, Jancu, Jean Marc, additional, Létoublon, Antoine, additional, Corre, Alain Le, additional, Gatel, Christophe, additional, Ponchet, Anne, additional, Combe, Nicolas, additional, Ulloa, José Maria, additional, and Koenraad, Paul, additional

Published
2010
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77. First step to Si photonics: synthesis of quantum dot light‐emitters on GaP substrate by MBE

Author

Guo, Weiming, primary, Bondi, Alexandre, additional, Cornet, Charles, additional, Folliot, Hervé, additional, Létoublon, Antoine, additional, Boyer‐Richard, Soline, additional, Chevalier, Nicolas, additional, Gicquel, Maud, additional, Alsahwa, Bassem, additional, Corre, Alain Le, additional, Even, Jacky, additional, Durand, Olivier, additional, and Loualiche, Slimane, additional

Published
2009
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78. Light emitting diodes on silicon substrates: preliminary results

Author

Bondi, Alexandre, primary, Guo, Weiming, additional, Pedesseau, Laurent, additional, Boyer‐Richard, Soline, additional, Folliot, Hervé, additional, Chevalier, Nicolas, additional, Cornet, Charles, additional, Letoublon, Antoine, additional, Durand, Olivier, additional, Labbé, Chistophe, additional, Gicquel, Maud, additional, Lecorre, Alain, additional, Even, Jacky, additional, Loualiche, Slimane, additional, and Moreac, Alain, additional

Published
2009
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79. Design and Integration in Electro-Optic Devices of Highly Efficient and Robust Red-NIR Phosphorescent Nematic Hybrid Liquid Crystals Containing [Mo6I8(OCOC nF2 n+1)6]2− ( n = 1, 2, 3) Nanoclusters

Author

Prévôt, Marianne, Amela‐Cortes, Maria, Manna, Sumann K., Lefort, Ronan, Cordier, Stéphane, Folliot, Hervé, Dupont, Laurent, and Molard, Yann

Subjects
NEMATIC liquid crystals, AMMONIUM ions, IRRADIATION, OPTICAL switching, PHOTONICS, OPTOELECTRONICS, ELECTRIC fields, ALKALIES
Abstract

By combining [Mo6I8(C n F2 n+1COO)6]2- ( n = 1, 2, 3) nanocluster units with liquid crystalline ammonium cations, a new series of hybrid materials is developed that show a nematic liquid crystal phase, the most fluid of all LC phase, on a large range of temperatures including room temperature. The photophysical studies performed in the LC state show that these self-assembled hybrid materials emit in the red-NIR with absolute quantum yields up to 0.7 and show a very good photostability under continuous irradiation. They are further integrated up to 20 wt% in E7, a well-known nematic commercial LC mixture. Mixtures are investigated in terms of homogeneity and stability to select the best suitable candidate for the design of electro-controlled devices. Studies of optical switching, contrast, viscosity, and behavior toward an electrical stimulus demonstrate the high potential of these hybrid materials in the fields of photonic or optoelectronic. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2015
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80. Sb surfactant mediated growth of InAs/AlAs0.56Sb0.44 strained quantum well for intersubband absorption at 1.55 µm.

Author

Yu Zhao, Nicolaï, Julien, Bertru, Nicolas, Folliot, Hervé, Perrin, Mathieu, Gatel, Christophe, Warot-Fonrose, B., and Ponchet, Anne

Subjects
INDIUM compounds, QUANTUM wells, ANTIMONY, SURFACE active agents, ABSORPTION, MECHANICAL properties of metals
Abstract

Surfactant mediated growth of strained InAs/AlAs0.56Sb0.44 quantum wells on InP (001) substrate is investigated. X ray diffraction and transmission electron microscopy analysis reveal that the supply of antimony on InAs surface delays the 2D to 3D growth transition and allows the growth of thick InAs/AlAsSb quantum wells. Quantum well as thick as 7 ML, without defect was achieved by Sb surfactant mediated growth. Further high resolution transmission electron microscopy measurement and geometric phase analysis show that InAs/AlAsSb interfaces are not abrupt. At InAs on AlAsSb interface, the formation of a layer presenting lattice parameter lower than InP leads to a tensile stress. From energetic consideration, the formation of As rich AlAsSb layer at interface is deduced. At AlAsSb on InAs interface, a compressive layer is formed. The impact on optical properties and the chemical composition of this layer are discussed from microscopic analysis and photoluminescence experiments. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2015
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81. Photonics based on carbon nanotubes.

Author

Qingyuan Gu, Gicquel-Guézo, Maud, Loualiche, Slimane, Le Pouliquen, Julie, Batte, Thomas, Folliot, Hervé, Dehaese, Olivier, Grillot, Frederic, Battie, Yann, Loiseau, Annick, Baolai Liang, and Huffaker, Diana

Subjects
PHOTONICS, CARBON nanotubes, BAND gaps, SINGLE walled carbon nanotubes, OPTICAL properties
Abstract

Among direct-bandgap semiconducting nanomaterials, single-walled carbon nanotubes (SWCNT) exhibit strong quasi-one-dimensional excitonic optical properties, which confer them a great potential for their integration in future photonics devices as an alternative solution to conventional inorganic semiconductors. In this paper, we will highlight SWCNT optical properties for passive as well as active applications in future optical networking. For passive applications, we directly compare the efficiency and power consumption of saturable absorbers (SAs) based on SWCNT with SA based on conventional multiple quantum wells. For active applications, exceptional photoluminescence properties of SWCNT, such as excellent light-emission stabilities with temperature and excitation power, hold these nanometer-scale materials as prime candidates for future active photonics devices with superior performances. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2013
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84. Chromatic Dispersion Monitoring of 80-Gb/s OTDM Data Signal via Two-Photon Absorption in a Semiconductor Microcavity

Author

P.J. Maguire, Michael Lynch, H. Folliot, J. O'Dowd, A.L. Bradley, K. Bondarczuk, Weihua Guo, Liam P. Barry, John F. Donegan, Research Institute for Networks and Communications Engineering (RINCE), Dublin City University [Dublin] (DCU)-Science Foundation Ireland-Enterprise Ireland-Higher Education Authority-School of Electronic Engineering, Dublin City University [Dublin] (DCU), Semiconductor Photonics Group, Trinity College Dublin, Ireland (SEMICOND. PHOTONICS GROUP, TRINITY COLL., DUBLIN, IRELAND), Trinity College Dublin, Semiconductor Photonics Research Group, Trinity College Dublin-Science Foundation Ireland-Enterprise Ireland-Higher Education Authority, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, PAI Ulysses 2004-05, Dublin CU, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Folliot, Hervé

Subjects
Materials science, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optical communication, Data signal, Physics::Optics, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Two-photon absorption, 010309 optics, 020210 optoelectronics & photonics, Optics, Time-division multiplexing, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electrical and Electronic Engineering, Absorption (electromagnetic radiation), business.industry, Detector, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Atomic and Molecular Physics, and Optics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Semiconductor, Monitoring data, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, business, Two photon absorption microcavities OTDM chromatic dispersion monitoring
Abstract

3 pages cité dans Nature Photonics Mars 2007 Vol 1 p 151; International audience; In this letter, a novel method of chromatic dispersion monitoring via two-photon absorption (TPA) is investigated. A specially designed semiconductor microcavity is employed as a TPA detector for monitoring data signals operating at rates up to 80Gb/s. As the microcavity has a wavelength-dependent response, a single device can be used to monitor multiple channels in a multiwavelength optical telecommunication system

Published
2007

85. Direct measurement of the spectral dependence of Lamb coupling constant in a dual frequency quantum well-based VECSEL.

Author

Brévalle G, Pes S, Paranthoën C, Perrin M, Levallois C, Hamel C, Mereuta A, Caliman A, Kapon E, Vallet A, Chusseau L, Folliot H, and Alouini M

Abstract

Spectral dependence of Lamb coupling constant C is experimentally investigated in an InGaAlAs Quantum Wells active medium. An Optically-Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser is designed to sustain the oscillation of two orthogonally polarized modes sharing the same active region while separated in the rest of the cavity. This laser design enables to tune independently the two wavelengths and, at the same time, to apply differential losses in order to extract without any extrapolation the actual coupling constant. C is found to be almost constant and equal to 0.84 ± 0.02 for frequency differences between the two eigenmodes ranging from 45 GHz up to 1.35 THz.

Published
2019
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