51. Quantification of the carrier absorption losses in Si-nanocrystal rich rib waveguides at 1.54 µm
- Author
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Navarro-Urrios, D., Pitanti, A., Daldosso, N., Gourbilleau, Fabrice, Rizk, Richard, Pucker, G., Pavesi, L., Laboratorio di Nanoscienze, Dipartimento di Fisica, Universita di Trento, Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Fondazione Bruno Kessler [Trento, Italy] (FBK), Università degli Studi di Trento (UNITN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics] - Abstract
A detailed study of the carrier absorption (CA) mechanism in multilayered silicon-nanocrystals (Si-nc) rib waveguides is reported. A pump (532 nm) and probe (1535 nm) technique is used to assess two loss mechanisms due to optical excitation of the system: one characterized by slow (seconds) dynamics related to heating and the other characterized by fast (microsecond) dynamics associated to CA mechanisms within the Si-nc. CA losses increase with pumping flux of up to 6 dB/cm for 3x1020 photons/cm2 s. By comparing the temporal dynamics of CA losses and time resolved photoluminescence, we suggest that both are determined by exciton generation and recombination.
- Published
- 2008