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Hemos desarrollado una técnica de medida a 4 puntas en corriente alterna con amplificadores “Lock-in” sincronizados para obtener la variación local de la capacidad entre los electrodos de un STM simultáneamente con su conductancia. La resolución a la que llegamos es de fF. En la evolución de la capacidad frente a la distancia entre electrodos distinguimos tres regiones: capacidad clásica (cuando los electrodos están más alejados), capacidad cuántica (en un régimen intermedio) y fuga de capacidad (cuando se entra en corriente túnel). En el régimen de emisión de campo, en los puntos en los que la energía incidente del electrón coincide con la de los niveles discretos por encima de la barrera túnel, se produce fuga de capacidad. Por otro lado, hemos encontrado evidencias de una emergencia del momento magnético en cadenas atómicas de platino que conectan dos electrodos hechos del mismo metal. El ajuste de las anomalías a voltaje de polarización cero a la función Kondo-Fano muestra un apantallamiento del momento magnético por parte de los electrones de conducción. Por último, hemos estudiado el papel que juegan los electrones f en el transporte electrónico en nanocontactos. Para ello, hemos realizado medidas de corriente eléctrica en nanocontactos hechos de gadolinio y europio, respectivamente. Hemos visto que para ambos metales la conductancia del contacto de un átomo está por debajo del cuanto de conductancia. Asimismo, los histogramas de conductancia en Gd son reproducibles lo cual contrasta con el caso de Eu en el que dichos histogramas no muestran tal reproducibilidad. Atribuimos este último hecho al desorden magnético que los electrones f causan en el metal. Con el ajuste de las anomalías a voltaje cero a la función Kondo-Fano hemos visto que los electrones f son apantallados por los de conducción. Además, en el caso de Gd vemos que presenta dos temperaturas Kondo, debidas al apantallamiento de los electrones d y f, respectivamente.

El procesamiento de información usado hoy en día, está basado fundamentalmente en la industria de los semiconductores. Los imanes moleculares están siendo estudiados actualmente como una gran alternativa o complemento a la electrónica de semiconductores por sus grandes aplicaciones en el desarrollo de los sistemas electrónicos, informáticos y en el campo de la biomedicina entre otros, debido a su fácil miniaturización y posibilidad de formar puertas lógicas de tamaños inferiores a 10 nanómetros. Los imanes moleculares presentan un ordenamiento magnético a nivel molecular en vez de los sistemas tridimensionales comunes. Estas moléculas pueden presentar ordenamiento magnético permanente o histéresis. El fenómeno del magnetismo se debe a estados fundamentales de alto spin y a la anisotropía magnética de estos compuestos. En nuestro caso, vamos a estudiar diversas moléculas consideradas imanes moleculares como son los Polioxometalatos (POMs), ftalocianinas de doble capa [1], anillos de Cr7Ni[2] y así como las distintas moléculas que puedan ser sintetizadas durante el tiempo que dure este proyecto y presenten características de imán molecular. Cabe destacar la importancia que adquieren los POMs, debido a la estrecha colaboración existente con el grupo de Eugenio Coronado de la Universidad de Valencia, tomando importancia las moléculas sintetizadas en el Instituto de Ciencia Molecular ICMOL. Además, también existen colaboraciones con químicos españoles como son Jaume Veciana y Tomás Torres. Los POMs son óxidos metálicos formados por condensación de compuestos de coordinación, que forman estructuras estables perfectamente de- --finidas. Los POMs adquieren propiedades de imanes moleculares, cuando el átomo central que se encuentra en el centro de la estructura es un elemento de transición, más concretamente un lantánido como son el Disprosio y el Erbio [3]. Los POMs formados con estos metales presentan un bloqueo de su momento magnético a temperaturas cercanas a los 5K, por lo que son unas moléculas candidatas para el desarrollo de la computación cuántica. Por otra parte, en este momento existe un gran interés en el desarrollo de dispositivos electrónicos basados en el carbono, más concretamente en las láminas de grafeno, debido a sus posibilidades de sustituir al silicio en algunos elementos de los dispositivos electrónicos. El grafeno es una estructura laminar plana, de un átomo de grosor, compuesta por átomos de carbono densamente empaquetados en una red cristalina en forma de panal de abeja mediante enlaces covalentes que se formarían a partir de la superposición de los híbridos sp² de los carbonos enlazados. El grafeno presenta una gran cantidad de nuevas propiedades electrónicas y magnéticas [4][5][6], que están siendo estudiadas actualmente, y que han cobrado gran relevancia en campo del desarrollo de la electrónica actual. Por esto, estamos muy interesados en el estudio de propiedades magnéticas y electrónicas en superficies de grafito-grafeno, modificadas mecánicamente, para sus posibles aplicaciones en sistemas electrónicos a escala nanométrica Presentamos un breve resumen de cada uno de los capítulos que componen este manuscrito. El capítulo 2 explica todas aquellas técnicas y conceptos básicos que hemos tenido que usar, aprender y fabricar para el desarrollo de esta Tesis doctoral, como son la comprensión de las barreras túnel y sus distintos mecanismos y modelos para su entendimiento teórico y no solo experimental. Además describimos como hemos fabricado el microscopio de efecto túnel con el que se han desarrollado la mayoría del trabajo aquí presentado. También describimos las distintas técnicas espectrométricas y electroquímicas con las cuales se han analizado los datos obtenidos con el STM. Además explicamos las técnicas criogénicas y de alto vacío aplicadas al set up experimental durante el desarrollo de las medidas. Con la conclusión de este trabajo, habremos demostrado la gran versatilidad y capacidad que tiene el STM. No solo como microscopio para obtener imágenes con resolución subatómica sino como su capacidad como espectrómetro y manipulación a escala nanométrica. Los avances experimentales en el campo de la nanoelectrónica molecular, obtenidos a la conclusión de este manuscrito, ayudaran en un futuro al desarrollo de nuevos dispositivos electrónicos más potentes que los actualmente conocidos, haciendo posible el cumplimiento de la Ley de Moore previamente mencionada al inicio de esta introducción.