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The oriented growth of PbLaTiO3 (PLT) and ZnO thin films on (100)InP has been studied, including the influence of buffer oxide layers (CeO2, ZrO2, SrO, YSZ, MgO, and SrTiO3) on the final texture of PLT film obtained. In each case the oxygen pressure, substrate temperature, energy fluence and substrate surface conditions required to obtain a crystalline and preferentially oriented phase have been established. The composition and morphological changes related to the PLT/YSZ/(100)InP heterostructure profile have been studied in order to investigate the processes involved in the growth of these oxides on (100)InP.Se ha estudiado el proceso de depósito mediante ablación con láser de láminas delgadas de PbTiO3 modificado con La (PLT) y ZnO sobre (100)InP. Para el PLT se han depositado láminas intermedias de óxidos dieléctricos (CeO2, ZrO2, SrO, YSZ, MgO, y SrTiO3) necesarias para la protección de la superficie del substrato. En cada caso se han establecido las condiciones experimentales (presión de oxígeno, temperatura del substrato, densidad de energía del pulso láser y limpieza de la superficie del substrato) necesarias para obtener láminas cristalinas con orientación preferente. En la heteroestructura PLT/YSZ/(100)InP se estudian los cambios de composición y morfología a lo largo del perfil de la heteroestructura, a fin de investigar los procesos involucrados en el crecimiento de estos óxidos sobre el (100)InP.