Hoye, Robert L. Z., Hidalgo, Juanita, Jagt, Robert A., Correa‐Baena, Juan‐Pablo, Fix, Thomas, MacManus‐Driscoll, Judith L., Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (ICube), Institut National des Sciences Appliquées - Strasbourg (INSA Strasbourg), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale du Génie de l'Eau et de l'Environnement de Strasbourg (ENGEES)-Réseau nanophotonique et optique, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Matériaux et nanosciences d'Alsace (FMNGE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Hoye, RLZ [0000-0002-7675-0065], Hidalgo, J [0000-0002-5832-3262], Jagt, RA [0000-0002-0517-3758], Correa-Baena, JP [0000-0002-3860-1149], Fix, T [0000-0002-1531-725X], MacManus-Driscoll, JL [0000-0003-4987-6620], Apollo - University of Cambridge Repository, École Nationale du Génie de l'Eau et de l'Environnement de Strasbourg (ENGEES)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut National des Sciences Appliquées - Strasbourg (INSA Strasbourg), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Les Hôpitaux Universitaires de Strasbourg (HUS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Downing College, Cambridge, Royal Academy of Engineering, Royal Academy Of Engineering, and Isaac Newton Trust
Halide perovskite semiconductors have risen to prominence in photovoltaics and light‐emitting diodes (LEDs), but traditional oxide perovskites, which overcome the stability limitations of their halide counterparts, have also recently witnessed a rise in potential as solar absorbers. One of the many important factors underpinning these developments is an understanding of the role of dimensionality on the optoelectronic properties and, consequently, on the performance of the materials in photovoltaics and LEDs. This review article examines the role of structural and electronic dimensionality, as well as form factor, in oxide and halide perovskites, and in lead‐free alternatives to halide perovskites. Insights into how dimensionality influences the band gap, stability, charge‐carrier transport, recombination processes and defect tolerance of the materials, and the impact these parameters have on device performance are brought forward. Particular emphasis is placed on carrier/exciton‐phonon coupling, which plays a significant role in the materials considered, owing to their soft lattices and composition of heavy elements, and becomes more prominent as dimensionality is reduced. It is finished with a discussion of the implications on the classes of materials future efforts should focus on, as well as the key questions that need to be addressed.