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The hardness of CdTe single crystals doped with 1.2 × 1017 and 2 × 1018 In cm−3 varies with treatments that vary the concentrations of electrons or holes. The hardness increases with increasing concentrations of either electrons or holes. Illumination increases or decreases the hardness depending on the position of the Fermi level in the unilluminated crystal. These effects are explained by the interaction of dislocations with point defects on the basis of a model with two types of dislocations, one having acceptor, the other donor properties. Die Harte von mit 1,2 × 1017 und 2 × 1018 In cm−3 dotierten CdTe-Einkristallen andert sich mit Behandlungen, welche die Elektronen- oder Locherkonzentrationen andern. Die Harte vergrosert sich, wenn sowohl die Konzentration der Elektronen als auch die der Locher zunimmt. Belichtung verursacht entweder Zu- oder Abnahme der Harte in Abhangigkeit von der Lage des Ferminiveaus. Diese Vorgange werden erklart mit einem Modell mit zwei Typen von Versetzungen, eine mit Donator-, die andere mit Akzeptoreigenschaften.

The Hall effect of nearly pure CdTe and CdTe doped with 1.2 × 1017 and 2 × 1018 In cm−3 was measured as a function of the cadmium pressure both at high temperatures where the crystals were in equilibrium with the atmosphere and at room temperature on crystals quenched after the anneal. In the almost pure crystals, a fraction of the electrons resulting from a Cd excess at high temperatures disappear after cooling due to precipitation of the native donors. Transmission electron microscopy shows the presence of Cd precipitates and/or intrinsic dislocation loops, indicating interstitial Cd as the precipitating native donor. For the indium doped crystals the properties of quenched crystals depend on the cooling procedure, different results being obtained for cooling the crystal before the Cd pool establishing the Cd pressure, or vice versa. At high pcd the difference is attributed to co-precipitation of indium and cadmium as an In-Cd alloy in the former case but not in the latter. At medium pcd the difference is due to a difference in the rate of cooling, cadmium vacancies precipitating in one case but not in the other. Es wurde der Halleffekt von nahezu reinem CdTe und CdTe, das mit 1,2 × 1017 und 2 × 1018 In cm−3 dotiert war, in Abhangigkeit vom Kadmiumdruck sowohl bei hohen Temperaturen, wo sich die Kristalle im Gleichgewicht mit dem Dampf befinden, als auch bei Zimmertemperatur an Kristallen, die nach dem Tempern abgeschreckt waren, gemessen. In den nahezu reinen Kristallen verschwindet ein Teil der aus einem Kadmiumuberschus bei hohen Temperaturen resultierenden Elektronen nach dem Abkuhlen infolge Ausscheidung von Eigenstorstellen. Transmissionselektronenmikroskopie zeigt die Anwesenheit von Cd-Aussheidungen und/oder Eigen-Versetzungsringen, was auf Zwischengitterkadmium als ausscheidendem Eigendonator hinweist. Fur die indiumdotierten Kristalle hangen die Eigenschaften der abgeschreckten Kristalle von dem Abkuhlungsverfahren ab, wobei unterschiedliche Ergebnisse erhalten werden, wenn der Kristall vor dem Kadmium, das den Cd-Druck aufrechterhalt, abgekuhlt wird oder umgekehrt. Bei hohem pcd wird der Unterschied im ersten Fall der gleichzeitigen Ausscheidung von Indium und Kadmium, als In-Cd-Legierung zugeschrieben. Im zweiten Fall tritt keine Indiumausscheidung auf. Bei mittlerem pcd wird der Unterschied durch die unterschiedliche Abkuhlungsgeschwindigkeit hervorgerufen, wobei Kadmiumleerstellen nur prazipitieren, wenn der Kristall langsam abgekuhlt wird.