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A cerâmica de CaCu3Ti4O12 (CCTO) tem atraído crescente interesse dos pesquisadores por causa de seus extraordinários valores de constante dielétrica (κ >104 a 1 kHz). As características estruturais, microestruturais e dielétricas do CCTO são dependentes dos métodos de síntese e processamento, sendo alvo de constantes investigações. Desta forma, neste trabalho foi investigada a influência de alguns parâmetros de síntese e processamento sobre as propriedades dielétricas de cerâmicas de CCTO. Usando o método de síntese de coprecipitação, foram produzidos pós cerâmicos de CaCuXTiYO12 (CCXTYO) com variações estequiométricas associadas a baixos teores de CuO e TiO2, onde X|Y = 2,70|3,25; 2,80|3,50; 2,90|3,75; 2,95|3,87 e 3,0|4,0. As amostras foram expostas a diferentes variáveis de processamento, sendo investigada a influência destas sobre as propriedades das cerâmicas de CCXTYO. Foi realizada uma rota de calcinação de duas etapas em temperaturas de 350 °C e 850 °C, a diferentes taxas de aquecimento, e com realização de uma etapa de moagem intermediária. O processo de sinterização incluiu um primeiro processo de sinterização (PS1), realizado em duas etapas: a primeira a 1100 °C por 24 h e a segunda a 1150 °C por 5 h, com taxa de 10 °C/min e 5 °C/min ao ar, respetivamente. Um outro processo de sinterização (PS2), foi realizado em condições de queima inversas às apresentadas no PS1 (a primeira etapa a 1150 °C por 5 h e a segunda a 1100 °C por 24 h). Estas variações dos parâmetros de preparação das amostras permitiram que houvesse a exclusão da fase líquida da microestrutura, promovendo a formação da máxima quantidade de fase CCTO, e o crescimento de grãos, produzindo cerâmicas de CCXTYO com excelentes propriedades dielétricas. As análises por difração de raios X (DRX) confirmaram a presença majoritária da fase CCTO em cada composto, e discretos traços de fases secundárias como CuO, TiO2 e CaTiO3. A Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) permitiu avaliar a presença da fase CuO e TiO2 nos contornos dos grãos, assim como também a evolução da morfologia e do crescimento dos grãos de CCTO. Estimativas da composição das cerâmicas foram feitas com base nos resultados de espectroscopia de energia dispersiva (EDS). Medidas de espectroscopia de impedância (EI), na faixa de frequência de 0,01 Hz a 5 MHz, a temperatura ambiente, mostraram que as cerâmicas com maior tamanho médio de grão e composição (X|Y[2,95|3,87]PS1/PS2) exibiram os maiores valores de κ (3,5x104 , a 1 kHz). As cerâmicas com as distribuições de tamanho de grão mais estreitas apresentaram os menores valores de tanδ (0,030, a 1 kHz). As caracterizações de EI revelaram a existência de mecanismos de relaxação, que foram ajustados (diagrama de Nyquist), e modelados utilizando circuitos equivalentes em paralelo, com o intuito de conhecer as contribuições dos grãos, contorno de grão e interface eletrodo-amostra nas propriedades dielétricas das cerâmicas. Diferentes mecanismos de polarização, em especial de Maxwell-Wagner, podem justificar o comportamento dielétrico desse material, um deles originado nas fronteiras de domínios ferroelétricos ou qualquer outro tipo de barreira interna nos grãos semicondutores, e outro gerado nos contornos de grão (explicado pelo modelo IBLC). CaCu3Ti4O12 (CCTO) ceramics have attracted increasing interest because of their extraordinary dielectric constant values (κ > 104 at 1 kHz). The structural, microstructural and dielectric characteristics of the CCTO are dependent on the synthesis and processing methods, being the subject of constant investigation. In this work the influence of some synthesis and sintering parameters on the dielectric properties of these CCTO ceramics was investigated. According to the coprecipitated synthesis method, ceramic powders of CaCuXTiYO12 (CCXTYO) were produced with stoichiometric variations associated with low CuO and TiO2 contents, where X|Y = 2.70|3.25; 2.80|3.50; 2.90|3.75; 2.95|3.87 e 3.0|4.0. The samples were exposed to different processing variables, being investigated the influence of these on the physical chemical characteristics of CCXTYO ceramics. A two-stage calcination route was carried out at 350 °C and 850 °C, at different heating rates, and with grinding inclusion in each. The sintering process included a first firing step, performed at 1100 °C, at a rate of 10 °C/min and in air; different landing times were included. A second, and subsequent step, was carried out at 1150 °C for 5 h. The variables and parameters of sintering and processing allowed to consolidate the maximization of the amount of CCTO phase in the microstructure and to promote grain growth to obtain CCXTYO ceramics with excellent dielectric properties. XRD patterns confirmed the majority presence of the CCTO phase in each compound, as well as discrete traces of secondary phases such as CuO, TiO2 and CaTiO3. Scanning Electron Microscopy (SEM) allowed evaluating the presence of the CuO and TiO2 crystalline phase in the grain boundaries, as well as the morphology, growth and evolution of the CCTO grains. In the frequency range 20 Hz to 5 MHz, at room temperature, measurements of impedance spectroscopy (IS) showed that the highest average grain size and composition (X|Y[2.95|3.87]PS1/PS2) exhibited the highest values of κ (3.5x104 , at 1 kHz). The ceramics with the narrower grain size distributions showed the lowest tanδ values (0.030, at 1 kHz). The dielectric measurements showed the existence of relaxation mechanisms, which were fitted by the Nyquist diagram, and modeled by equivalent circuits in parallel, in order to know the contributions of grain, grain boundary and electrode-sample interface. Different polarization mechanisms, especially Maxwell-Wagner, justify the dielectric behavior of this material, one of them originating in domain boundaries or any other type of internal barrier in semiconductor grains, and another generated in grain boundaries (explained by the IBLC model).