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1. Pseudo-disordered structures for light trapping improvement in mono-crystalline Si thin-films

Author: Abdelmounaim Harouri, Emmanuel Drouard, Loïc Lalouat, B Gonzalez-Acevedo, Christian Seassal, Valerie Depauw, He Ding, Regis Orobtchouk, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Inl, Laboratoire INL UMR5270, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IMEC ( IMEC ), and Catholic University of Leuven ( KU Leuven )
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Materials science, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Nanophotonics, Physics::Optics, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Trapping, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, 01 natural sciences, 7. Clean energy, [PHYS] Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 010309 optics, Optics, Aluminium, 0103 physical sciences, Crystalline silicon, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Thin film, Rigorous coupled-wave analysis, Photonic crystal, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Renewable Energy, Sustainability and the Environment, business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Ray, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, business
Abstract: International audience; Thin film solar cells may exhibit high conversion efficiencies provided their active material exhibits a high quality, like in the case of crystalline silicon, and if incident light coupling and absorption are appropriately controlled. We propose to integrate an advanced light trapping process relying on photonic crystals including a controlled pseudo-disorder. Thanks to Rigorous Coupled Wave Analysis, we determine the optimized nanophotonic structures that should be appropriately introduced in 1 µm thick crystalline silicon layers standing on a metal layer like aluminum. Thanks to a carefully controlled pseudo-disorder perturbation, absorption in these designed nanopatterns overcome that predicted in the case of fully optimized square lattice photonic crystals. Fabricated structures are analyzed in light of this numerical investigation to evidence the impact of such controlled perturbations, but also the influence of the measurement method and the technological imperfections. Thanks to the optimized perturbated photonic crystals, the integrated absorption in 1 µm thick crystalline Silicon layer increases from 37.7%, in the case of the unpatterned stack, to 70.7%. The sole effect of pseudo-disorder on the fully optimized simply periodic photonic crystals leads to an absolute increase of the integrated absorption up to 2%, as predicted by simulations, while both structures are fabricated using exactly the same process flow.
Published: 2017

2. Ion beam synthesis of indium-oxide nanocrystals for improvement of oxide resistive random-access memories

Author: Nicolas Baboux, Pierre-Vincent Guenery, K. Hamga, Gérard Benassayag, Dominique Drouin, Caroline Bonafos, E. Cossec, Béatrice Pécassou, Robin Cours, Abdelkader Souifi, L. Militaru, Serge Ecoffey, Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique ( CEMES-NeO ), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme ( CEMES-MEM ), INL - Dispositifs Electroniques ( INL - DE ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes ( LN2 ), Université de Sherbrooke [Sherbrooke]-École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ), Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique (CEMES-NeO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])
Subjects: Materials science, Polymers and Plastics, Ion beam, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Oxide, Nanoparticle, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Biomaterials, chemistry.chemical_compound, 0103 physical sciences, Electrical measurements, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], Resistive touchscreen, [ PHYS ] Physics [physics], business.industry, Metals and Alloys, 021001 nanoscience & nanotechnology, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Resistive random-access memory, Ion implantation, chemistry, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, business, Indium
Abstract: International audience; We report on the direct ion beam synthesis of a delta-layer of indium oxide nanocrystals (In2O3-NCs) in silica matrices by using ultra-low energy ion implantation. The formation of the indium oxide phase can be explained by (i) the affinity of indium with oxygen, (ii) the generation of a high excess of oxygen recoils generated by the implantation process in the region where the nanocrystals are formed and (iii) the proximity of the indium-based nanoparticles with the free surface and oxidation from the air. Taking advantage of the selective diffusivity of implanted indium in SiO2 with respect to Si3N4, In2O3-NCs have been inserted in the SiO2 switching oxide of micrometric planar oxide-based resistive random access memory (OxRAM) devices fabricated using the nanodamascene process. Preliminary electrical measurements show switch voltage from high to low resistance state. The devices with In2O3-NCs have been cycled 5 times with identical operating voltages and RESET current meanwhile no switch has been observed for non implanted devices. This first measurement of switching is very promising for the concept of In2O3-NCs based OxRAM memories.
Published: 2018

3. Mid-infrared supercontinuum generation in a varying dispersion waveguide for multi-species gas spectroscopy

Author: Alberto Della Torre, Remi Armand, Milan Sinobad, Kokou Firmin Fiaboe, Barry Luther-Davies, Stephen Madden, Arnan Mitchell, Thach Nguyen, David J. Moss, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud, Jean-Marc Fedeli, Christelle Monat, Christian Grillet, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), Australian National University (ANU), Swinburne University of Technology [Melbourne], Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), ANR-17-CE24-0028,MIRSiCOMB,Source COMB intégrée sur plateforme SiGe nonlinéaire émettant dans le moyen infra-rouge(2017), ANR-21-CE24-0005,MIRthFUL,Source supercontinuum reconfigurable moyen infrarouge sur puce et pompée par fibre(2021), and European Project: 648546,H2020,ERC-2014-CoG,GRAPHICS(2015)
Subjects: Nonlinear optics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Electrical and Electronic Engineering, Supercontinuum, Mid-infrared, Spectroscopy, Atomic and Molecular Physics, and Optics
Abstract: International audience; We report the experimental generation of a broadband and flat mid-infrared supercontinuum in a silicongermanium-on-silicon two-stage waveguide. Our particular design combines a short and narrow waveguide section for efficient supercontinuum generation, and an inverse tapered section that promotes the generation of two spectrally shifted dispersive waves along the propagation direction, leading to an overall broader and flatter supercontinuum. The experimentally generated supercontinuum extended from 2.4 to 5.5 µm, only limited by the long wavelength detection limit of our spectrum analyzer. Numerical simulations predict that the supercontinuum actually extends to 7.8 µm. We exploit the enhanced flatness of our supercontinuum for a proof-of-principle demonstration of free-space multi-species gas spectroscopy of water vapor and carbon dioxide.
Published: 2023

4. Size and Surface Chemistry Tuning of Silicon Carbide Nanoparticles

Author: Dmytro Korytko, Viacheslav Iablokov, Vladimir Lysenko, Elena Shamatulskaya, Svitlana Gryn, Mykola Volvach, Igor Bezverkhyy, Sergei Alekseev, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (LICB), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Inorganic chemistry, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Oxide, Nanoparticle, 02 engineering and technology, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, chemistry.chemical_compound, X-ray photoelectron spectroscopy, stomatognathic system, Desorption, Electrochemistry, General Materials Science, Surface layer, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Spectroscopy, [PHYS]Physics [physics], Thermal oxidation, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Aqueous solution, [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Surfaces and Interfaces, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 0104 chemical sciences, chemistry, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Surface modification, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; Chemical transformations on the surface of commercially available 3C-SiC nanoparticles were studied by means of FTIR, XPS, and temperature-programmed desorption mass spectrometry methods. Thermal oxidation of SiC NPs resulted in the formation of a hydroxylated SiO2 surface layer with C3Si–H and CHx groups over the SiO2/SiC interface. Controllable oxidation followed by oxide dissolution in HF or KOH solution allowed the SiC NPs size tuning from 17 to 9 nm. Oxide-free SiC surfaces, terminated by hydroxyls and C3Si–H groups, can be efficiently functionalized by alkenes under thermal or photochemical initiation. Treatment of SiC NPs by HF/HNO3 mixture produces a carbon-enriched surface layer with carboxylic acid groups susceptible to amide chemistry functionalization. The hydroxylated, carboxylated, and aminated SiC NPs form stable aqueous sols.
Published: 2017

5. Zinc oxide nanoparticles for improvement of thin film photovoltaic structures’ efficiency through down shifting conversion

Author: Bruno Masenelli, Zbigniew Lisik, Maciej Sibiński, Katarzyna Znajdek, Yao Zhu, Przemysław Sędzicki, Aleksandra Apostoluk, Łódź University of Technology, Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices (DSOD), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire de physique subatomique et des technologies associées ( SUBATECH ), IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire ( IMT Atlantique ) -Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS ( IN2P3 ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université de Nantes ( UN ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS )
Subjects: Materials science, [ PHYS.COND.CM-MS ] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Nanoparticle, Nanotechnology, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], Photovoltaics, 0103 physical sciences, Deposition (phase transition), General Materials Science, Plasmonic solar cell, Electrical and Electronic Engineering, Thin film, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, Radiation, business.industry, Photovoltaic system, 021001 nanoscience & nanotechnology, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, Luminescence, business, [ PHYS.COND ] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], Visible spectrum
Abstract: The paper presents the idea to improve the performance of thin film photovoltaic cells by a light capture enhancement through the introduction of down shifting energy converters. Luminescent down shifting layers convert high-energy photons (UV light) into low-energy ones (visible light), which are more efficient in a photovoltaic conversion. For this purpose, the application of a thin layer composed of zinc oxide (ZnO) nanoparticles deposited onto a thin film solar cell is proposed. The paper presents both experimental and theoretical results of this approach. Conducted investigations include an analysis of ZnO nanoparticle layers, deposited in two independent technology methods. The results showed that ZnO nanoparticles have a great potential of application as down converting layers and can be implemented to improve the efficiency of photovoltaic cells, especially in the field of thin film PV structures. The proposed new deposition method can potentially be used in some industrial photovoltaic applications.
Published: 2017

6. Optical Investigation of the Band Structure in Wurtzite InP Nanowires

Author: Chauvin, Nicolas, Mavel, Amaury, Patriarche, G., Masenelli, Bruno, Machon, D., Gendry, Michel, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] ( ILM ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS] Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience; no abstract
Published: 2017

7. ZnO and its doped structures for the applications in LEDs, solar cells and gas sensors

Author: Apostoluk, Aleksandra, Zhang, Yu, Masenelli, Bruno, Daniele, S., LEBAIL, N., Cornier, T., Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS] Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: 26th-30th June 2017; International audience; no abstract
Published: 2017

8. Morphological and crystalline characterization of pulsed laser deposited pentacene thin films for organic transistor applications

Author: Sarah Desplanche, Abdou Karim Diallo, Catalin Constantinescu, Mamadouba Kaba, Vincent Rodriguez, Antonio Pereira, Anne-Patricia Alloncle, Jose Penuelas, Christine Videlot-Ackermann, Sergey Sirotkin, David Talaga, Sébastien Bonhommeau, Philippe Delaporte, Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Moléculaires (ISM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure de Chimie et de Physique de Bordeaux (ENSCPB)-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Université Montesquieu - Bordeaux 4-Institut de Chimie du CNRS (INC), Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques (LP3), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Institut de Recherche sur les CERamiques (IRCER), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux (IPAM), Université de Limoges (UNILIM)-Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Université de Lille, Sciences et Technologies, Laboratoire de Mécanique de Lille - FRE 3723 ( LML ), Université de Lille, Sciences et Technologies-Ecole Centrale de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut Français de Recherche pour l'Exploitation de la Mer ( IFREMER ), Laboratoire de Physico-Chimie des Matériaux Luminescents ( LPCML ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques ( LP3 ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Aix Marseille Université ( AMU ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Sciences Moléculaires ( ISM ), Université Montesquieu - Bordeaux 4-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-École Nationale Supérieure de Chimie et de Physique de Bordeaux (ENSCPB)-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille ( CINaM ), Aix Marseille Université ( AMU ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut universitaire des systèmes thermiques industriels ( IUSTI ), Université Montesquieu - Bordeaux 4-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-École Nationale Supérieure de Chimie et de Physique de Bordeaux (ENSCPB)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux (IPAM), Université de Limoges (UNILIM)-Université de Limoges (UNILIM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Analytical chemistry, General Physics and Astronomy, 02 engineering and technology, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, Pulsed laser deposition, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Pentacene, chemistry.chemical_compound, Crystallinity, symbols.namesake, Thin film, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], business.industry, Surfaces and Interfaces, General Chemistry, Combustion chemical vapor deposition, Surface-enhanced Raman spectroscopy, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 0104 chemical sciences, Surfaces, Coatings and Films, chemistry, Thin-film transistor, symbols, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, business, Raman spectroscopy
Abstract: International audience; We show that high-quality pentacene (P5) thin films of high crystallinity and low surface roughness can be produced by pulsed laser deposition (PLD) without inducing chemical degradation of the molecules. By using Raman spectroscopy and X-ray diffraction measurements, we also demonstrate that the deposition of P5 on Au layers result in highly disordered P5 thin films. While the P5 molecules arrange within the well-documented 1.54-nm thin-film phase on high-purity fused silica substrates, this ordering is indeed destroyed upon introducing an Au interlayer. This observation may be one explanation for the low electrical performances measured in P5-based organic thin film transistors (OTFTs) deposited by laser-induced forward transfer (LIFT).
Published: 2017

9. Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst

Author: Gilles Patriarche, Michel Gendry, Amaury Mavel, Philippe Regreny, Bruno Masenelli, Nicolas Chauvin, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Silicon, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Nucleation, Nanowire, chemistry.chemical_element, Nanotechnology, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Inorganic Chemistry, Pedestal, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Wurtzite crystal structure, 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, chemistry, Chemical engineering, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, Indium, Molecular beam epitaxy
Abstract: The nucleation and the structural and optical properties of InP nanowires (NWs) grown on Si(111) by molecular beam epitaxy using the vapor-liquid-solid method with gold-indium droplets as catalyst are investigated as a function of the temperature of the formation of the catalyst droplets and of the NW growth time. It is highlighted a complex behavior of the gold-indium catalyst droplets depending on the temperature. It is then shown than an InP pyramid-like pedestal is formed prior to the NW growth. When the temperature of formation of the catalyst droplets is lower than 550 °C, almost only vertically standing pure wurtzite InP NWs are grown on Si(111).
Published: 2017

10. Metallic nanoparticle-based strain sensors elaborated by atomic layer deposition

Author: M. Le Berre, Daniel Thomas, Annie Malchere, Matthieu Bugnet, M. R'Mili, C. Malhaire, Siddardha Koneti, Lucian Roiban, Andrei Sabac, Rémi Rafael, Etienne Puyoo, INL - Dispositifs Electroniques ( INL - DE ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] ( MATEIS ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Wheatstone bridge, Physics and Astronomy (miscellaneous), [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Nanoparticle, Nanotechnology, 02 engineering and technology, Bending, 01 natural sciences, law.invention, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Atomic layer deposition, law, 0103 physical sciences, Composite material, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Strain gauge, 010302 applied physics, Physics, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], 021001 nanoscience & nanotechnology, Pressure sensor, Gauge factor, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, Short circuit
Abstract: International audience; Platinum nanoparticle-based strain gauges are elaborated by means of atomic layer deposition on flexible polyimide substrates. Their electro-mechanical response is tested under mechanical bending in both buckling and conformational contact configurations. A maximum gauge factor of 70 is reached at a strain level of 0.5%. Although the exponential dependence of the gauge resistance on strain is attributed to the tunneling effect, it is shown that the majority of the junctions between adjacent Pt nanoparticles are in a short circuit state. Finally, we demonstrate the feasibility of an all-plastic pressure sensor integrating Pt nanoparticle-based strain gauges in a Wheatstone bridge configuration.
Published: 2017

11. ZnO cluster assembled film with low defect concentration: towards ultra sensitive sensor

Author: Mélinon , P., Masenelli , Bruno, Apostoluk , Aleksandra, Delaunay , J., Vignoli , S., Tainoff , D., Machon , D., Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), The University of Tokyo, School of Engineering, Thermodynamique et biophysique des petits systèmes (TPS), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes ), TPS - Thermodynamique et biophysique des petits systèmes, Institut Néel ( NEEL ), Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères]-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères]-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 7th-12th August 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

12. Geometric conductive filament confinement by nanotips for resistive switching of HfO2-RRAM devices with high performance

Author: Subhajit Guha, Christian Walczyk, Christian Wenger, Brice Gautier, Mirko Fraschke, Philippe Hamoumou, Eduardo Perez, Francesco Santoni, Thomas Schroeder, Pauline Calka, Gang Niu, Lambert Alff, Aldo Di Carlo, Matthias Auf der Maur, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon] ( IBCP ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IHP Frankfurt, INL - Plateforme Technologique Nanolyon ( INL - Nanolyon ), HYCHICO, Laboratoire de Spectronomie Moléculaire ( SMIL ), Université de Bourgogne ( UB ), Istituto Nazionale di Fisica Nucleare [Sezione di Roma 1] ( INFN ), Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon] (IBCP), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Leibniz institute for innovative microelectronics [Frankfurt (Oder)] (IHP), and Istituto Nazionale di Fisica Nucleare [Sezione di Roma 1] (INFN)
Subjects: Materials science, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Settore ING-INF/01 - Elettronica, 01 natural sciences, Article, Protein filament, [SPI]Engineering Sciences [physics], Reliability (semiconductor), 0103 physical sciences, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Electrical conductor, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, Multidisciplinary, business.industry, Conductive atomic force microscopy, 021001 nanoscience & nanotechnology, Resistive random-access memory, chemistry, Electrode, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, Tin, business, Current density
Abstract: Filament-type HfO2-based RRAM has been considered as one of the most promising candidates for future non-volatile memories. Further improvement of the stability, particularly at the “OFF” state, of such devices is mainly hindered by resistance variation induced by the uncontrolled oxygen vacancies distribution and filament growth in HfO2 films. We report highly stable endurance of TiN/Ti/HfO2/Si-tip RRAM devices using a CMOS compatible nanotip method. Simulations indicate that the nanotip bottom electrode provides a local confinement for the electrical field and ionic current density; thus a nano-confinement for the oxygen vacancy distribution and nano-filament location is created by this approach. Conductive atomic force microscopy measurements confirm that the filaments form only on the nanotip region. Resistance switching by using pulses shows highly stable endurance for both ON and OFF modes, thanks to the geometric confinement of the conductive path and filament only above the nanotip. This nano-engineering approach opens a new pathway to realize forming-free RRAM devices with improved stability and reliability.
Published: 2016
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13. InAs/InP quantum dot nanowires with abrupt interfaces grown on silicon

Author: MAVEL , Amaury, Chauvin , Nicolas, Regreny , Philippe, Patriarche , G., Masenelli , Bruno, GENDRY , Michel, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon, Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Inl, Laboratoire INL UMR5270, École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: September 4-9, 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

14. Nanomatériaux luminescents

Author: Ledoux , G., Masenelli , Bruno, Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] ( ILM ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS )
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; Cet article est d’abord consacré à la description des différentes classes de nanomatériaux luminescents, qu’il s’agisse de matériaux semiconducteurs ou d’oxydes métalliques se présentant sous la forme de nanoparticules, de nanofils ou de monofeuillets atomiques. Quelques applications originales, novatrices ou prometteuses de ces nanomatériaux luminescents dans les domaines des technologies de la communication, de l’énergie et de la santé sont ensuite présentées. Quelques rappels, remarques et conseils sont donnés enfin concernant la législation afférente à la dangerosité et à la manipulation de ces nouveaux matériaux.
Published: 2016

15. ZnO nanoparticles: from intense visible emission to Mid IR plasmon

Author: Masenelli , Bruno, Hamza , M., Zhu , Yao, Apostoluk , Aleksandra, Masenelli-Varlot , K., Daniele , S., Mélinon , P., INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] ( MATEIS ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Consortium Lyon Saint-Etienne de Microscopie (CLYM), École normale supérieure - Lyon (ENS Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Inl, Laboratoire INL UMR5270, Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), École normale supérieure de Lyon (ENS de Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), and Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 10th-13th July 2016; International audience; As far as optics is concerned, ZnO nanostructures have first been considered as potential interesting UV emitters to compete with GaN ones. Because of the difficulty to achieve stable p-doping in ZnO, other optical properties than the large bandgap (3.4 eV) and large UV exciton binding energy (~60 meV) have been harnessed. First, the size reduction in nanoparticles and the concomitant predominance of the surface increase the presence of specific crystalline defects (Zn vacancies and O interstitials). These defects happen to behave as very efficient light-emitters. Their emission can be so intense as to lead to single photon emission [ ]. However, the stability in time of their high photoluminescent quantum yield (PL QY) still remains a challenge. In the present contribution, we first show that by controlling the synthesis ambient in the hydrolysis process of diethyl zinc by the addition of some weak polymeric acid (PAA, polyacrilic acid) we can design hybrid organic/inorganic ZnO based nanomaterials which exhibit stable PL QY up to 70% in the green range of the visible spectrum. Therefore, by carefully controlling the nature and size of the polymeric chains, we are able to synthesize scalable amount of visible light emitters that can compete with the well-established chalcogenide nano-emitters. Second, ZnO can be doped by Al (AZO) or Ga (GZO) at large concentration (up to a few percent). This leads to an alloy which behaves as a good TCO (transparent conductive oxide). This property is currently exploited to design transparent electrodes for photovoltaic cells for instance. The resulting semiconductor being degenerate, it possesses a free electron gas which can sustain a plasmon resonance. The major interest is the tunability of the electron gas concentration through the tuning of the dopant (Al or Ga) concentration. Since the plasmon resonance frequency is proportional to the square root of the electron gas concentration, these materials are promising candidates to transfer the outstanding results of plasmonics achieved with noble metals (Ag and Au) in the visible range to the IR range (in the IR range, the noble metals do not allow the tuning of their electron gas concentration and exhibit very large losses). In particular, since most of the chemical molecules have vibration frequencies in the mid IR range, their resonant coupling with localized surface plasmons (LSPR) is particularly interesting to design highly sensitive gas sensors. Therefore, in the second part of this contribution, we will present how the dopant concentration (Al or Ga) can allow tuning the LSPR of nanoparticles in the mid IR range. Solutions to current issues of the LSPR damping and broadening will be addressed in relation with the dopant localization and chemical state. We will show that degenerate metal oxide nanoparticles, and in particular Ga or Al doped ZnO nanoparticles, are outstanding materials for mid IR plasmonics.
Published: 2016

16. Zinc oxide nanocomposites for solar energy conversion and LED applications

Author: Valette, A., Gautier, P., Omar, L., Cornier, T., Lebail, N., Zhu, Yao, Apostoluk, Aleksandra, Masenelli, Bruno, Daniele, S., IRCELYON-Ingéniérie, du matériau au réacteur ( ING ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 19th-23rd September 2016; International audience; An overwhelming economic improvement for white LED and photovoltaic (PV) markets is based on the use of lanthanide-free phosphors that are supposed to convert UV light into visible one, thanks to down-conversion (DS) process. ZnO nanoparticles (NPs) have aroused an increasing interest since they possess a variety of intrinsic defects that provide light emission in the visible range without the introduction of any additional impurity. However, high photoluminescent quantum yield (PLQY), stable green/yellow emission and easy scale–up process are expected for industrial applications. Li-doping and polymer surface modifications of ZnO nanoparticles are mainly used in order to reach high PLQY (>30%) but PLQY decay over few days, uses of sophisticated polymers or multi-step reactions are the main issues for industrial implementation. In collaboration with the company Lotus Synthesis, we developped and patented an industry-capable and cost effective chemical solution process to get unique mesospheric self-assembly hybrid ZnO system with intense (PLQY = 40-75%) and stable visible emissions. We also demonstrate that the use of mixture of commercial polyacrylic acid-based polymers can provide large scale amounts of ZnO NPs clear water suspensions that can be dried and dispersed again in water without compromising the functional performance (e.g. transparency and PLQY) of the final DS layer. We will then address the effects of the ZnO NPs surface functionalization - such as nature, molecular weight, concentration, ratio of the PAA-based polymers and self-assembly process- on the enhancement of the efficiency of DS hybrid materials for LED and PV markets.
Published: 2016

17. Hybrid ZnO nanocolloids for white LED and photovoltaic markets

Author: Valette , A., Gautier , P., Zhu , Yao, Apostoluk , Aleksandra, Masenelli , Bruno, Daniele , S., Inl, Laboratoire INL UMR5270, IRCELYON-Ingéniérie, du matériau au réacteur ( ING ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 2nd-6th May 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

18. doped ZnO nano-structures for M-IR plasmonics

Author: Hamza, M., Bluet, Jean-Marie, Masenelli-Varlot, Karine, Canut, Bruno, Bugnet, Matthieu, Branson, O., Mélinon, P., Masenelli, Bruno, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Consortium Lyon Saint-Etienne de Microscopie (CLYM), Université de Lyon-Université de Lyon-École normale supérieure - Lyon (ENS Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut Pprime (PPRIME), Université de Poitiers-ENSMA-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] ( MATEIS ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ), Institut Pprime ( PPRIME ), Université de Poitiers-ENSMA-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), École normale supérieure de Lyon (ENS de Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École normale supérieure - Lyon (ENS Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM), ENSMA-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Poitiers, and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: 19-22 septembre 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

19. Zinc oxide nanostructures with intentionally introduced defects as material for solar energy and sensing applications

Author: Apostoluk , Aleksandra, Zhu , Yao, Masenelli , Bruno, Valette , A., Gautier , P., LEBAIL , N., Daniele , S., Consonni , V., Appert , E., Parize , R., Delaunay , J., ZNAJDEK , K., SIBINSKI , M., Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), The University of Tokyo, School of Engineering, Łódź University of Technology, Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices (DSOD), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), IRCELYON-Ingéniérie, du matériau au réacteur ( ING ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Laboratoire des matériaux et du génie physique ( LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ), and Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes )
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 19th-23rd September 2016; International audience; Most of the existing photovoltaic (PV) solar cells are already optimized in terms of their absorption and conversion efficiency, however any strategy that can help to raise their efficiency is welcome, especially if it is cheap and does not require any modification of the solar cell fabrication technology. One possibility to increase solar cell's efficiency is the use of a material that could convert the high energy photons from the sun spectrum, namely UV and blue light, which are otherwise inefficiently absorbed by the amorphous Si, CdTe, CIGS and organic PV cells, and re-emit them as lower energy photons, for which the conversion efficiency of these cells is optimal. This so-called “down-shifting”. We study down-shifting materials based on ZnO nanoparticles. It naturally absorbs the blue and UV light thanks to a wide band gap of about 3.37 eV and it can also emit visible light, from yellow to red, depending on the nature of the crystalline and surface defects involved in the emission process. We present a quick and convenient chemical solution approach to get unique mesospheric self-assembly hybrid ZnO system with intense photoluminescent quantum yield of 40-75 % and stable visible emissions. Furthermore, the possibility of application of other ZnO nanostructures, namely zinc oxide nanowires, in gas sensors, is presented. Their excitonic and visible emission is studied in the presence of gas vapors and the results demonstrate the change of the visible photoluminescence of ZnO nanowire array and that the material is able to adsorb gases.
Published: 2016

20. Tight control of light trapping in surface addressable photonic crystal membranes: application to spectrally and spatially selective optical devices

Author: Blanchard, Cédric, GRILLET, Christian, Jamois, Cécile, Leclercq, Jean-Louis, Viktorovitch, Pierre, Letartre, Xavier, Laboratoire Electronique, Informatique et Image ( Le2i ), Université de Bourgogne ( UB ) -AgroSup Dijon - Institut National Supérieur des Sciences Agronomiques, de l'Alimentation et de l'Environnement-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: 3-7 april 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

21. Intense visible emission from the controlled defects in ZnO nanoparticles for energy down-shifting applications in solar cells

Author: Apostoluk, Aleksandra, Zhu, Y., Valette, A., Gautier, Pierrick, Znajdek, Katarzyna, Sibiński, Maciej, Delaunay, Jean-Jacques, Masenelli, Bruno, Daniele, S., Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), IRCELYON-Ingéniérie, du matériau au réacteur ( ING ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Łódź University of Technology, Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices (DSOD), The University of Tokyo, School of Engineering, GDR CNRS 3660 Oxydes fonctionnels: du matériau au dispositif OXYFUN, MATERIAUX (MATERIAUX), Inl, Laboratoire INL UMR5270, and Apostoluk, Alexandra
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; Zinc oxide nanoparticles (NPs) have aroused an increasing interest for their potential application in the white light sources and as energy conversion material due to the variety of intrinsic defects which permit to generate a wide emission spectrum from the blue to the IR range. However, the origin of these emissions remains still unclear and the precise control of the defects quantity is a challenging task. Because of the easy and adjustable synthesis condition, sol-gel methods have been applied to synthesize ZnO NPs. The nanoparticle size, morphology, crystalline quality and the zeta potential have been controlled via the modification of the synthesis parameters (the nature of solvent, the presence of the additives and of the surfactants and the reaction time). Since all these synthesis parameters play a major role in the introduction of defects into the structure of ZnO NPs, the defect emission spectrum range and the luminescent efficiency can be controlled. The intense visible emission with a luminescent external quantum efficiency (EQE) of more than 50 % (and up to 70 %) was attained by controlling the crystalline order of ZnO NPs. The hydroxyl group present on the surface of the ZnO NPs turned out to influence their crystalline quality and dispersibility. The influence of ZnO NPs used as energy down-shifting layer on the efficiency of various types of solar cells is also presented.
Published: 2016

22. Carefully mixing disorder and periodicity to optimize solar light trapping

Author: Emmanuel Drouard, Christian Seassal, He Ding, Loïc Lalouat, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), and Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS )
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Materials science, Silicon, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, chemistry.chemical_element, Trapping, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, 7. Clean energy, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS] Physics [physics], Optics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Absorption (electromagnetic radiation), Mixing (physics), Sunlight, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], business.industry, chemistry, Solar light, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Photonics, business
Abstract: International audience; Optimum sunlight absorption in thin absorbers such as silicon can be achieved via the introduction of novel pseudo-disordered photonic nanopatterns.
Published: 2016

23. Pressure-Dependent Photoluminescence Study of Wurtzite InP Nanowires

Author: Amaury Mavel, Nicolas Chauvin, Bruno Masenelli, Gilles Patriarche, Michel Gendry, Denis Machon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), and Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Photoluminescence, Materials science, Hydrostatic pressure, Nanowire, Bioengineering, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Pressure coefficient, Molecular physics, law.invention, [SPI]Engineering Sciences [physics], law, 0103 physical sciences, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], General Materials Science, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Wurtzite crystal structure, 010302 applied physics, Mechanical Engineering, General Chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Intensity (physics), Crystallography, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Deformation (engineering), Hydrostatic equilibrium, 0210 nano-technology
Abstract: The elastic properties of InP nanowires are investigated by photoluminescence measurements under hydrostatic pressure at room temperature and experimentally deduced values of the linear pressure coefficients are obtained. The pressure-induced energy shift of the A and B transitions yields a linear pressure coefficient of αA = 88.2 ± 0.5 meV/GPa and αB = 89.3 ± 0.5 meV/GPa with a small sublinear term of βA = βB = -2.7 ± 0.2 meV/GPa(2). Effective hydrostatic deformation potentials of -6.12 ± 0.04 and -6.2 ± 0.04 eV are derived from the results for the A and B transitions, respectively. A decrease of the integrated intensity is observed above 0.5 GPa and is interpreted as a carrier transfer from the first to the second conduction band of the wurtzite InP.
Published: 2016

24. Solution-processed zinc oxide nanostructures for solar energy and sensing applications

Author: Apostoluk, Aleksandra, Zhu, Yao, Masenelli, Bruno, Valette, A., Gautier, P., LEBAIL, N., Daniele, S., Consonni, Vincent, Appert, E., Parize, R., Delaunay, J. J., ZNAJDEK, K., SIBINSKI, M., Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), IRCELYON-Ingéniérie, du matériau au réacteur ( ING ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Laboratoire des matériaux et du génie physique ( LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ), Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes ), Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), The University of Tokyo, School of Engineering, and Łódź University of Technology, Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices (DSOD)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 19th-23rd September 2016; International audience; Most of the existing photovoltaic (PV) solar cells are already optimized in terms of their absorption and conversion efficiency, however any strategy that can help to raise their efficiency, even slightly, is welcome, and all the more if it is cheap and does not require any modification of the solar cell fabrication technology. One possibility to increase solar cell’s efficiency is the use of a material that could convert the high energy photons from the sun spectrum, namely UV and blue light, which are otherwise inefficiently absorbed by the amorphous Si, CdTe, CIGS and organic PV cells, and re-emit them as lower energy photons, for which the conversion efficiency of these cells is optimal. This so-called “down-shifting” strategy belongs to the “add-on” technology, as the aim is to fabricate a thin layer of the down-shifting material on top of the existing solar cells and all this at low cost. The criteria which a good down-shifting material needs to fulfill are: having a large Stoke shift (i.e. a discrepancy between the absorption and emission energies) and possessing high photoluminescence quantum yield (PL QY). Furthermore, this material has to be environmental-friendly and cheap. Several attempts were reported in the literature aiming at the fabrication of such a material. For example, CdS and CdSe nanoparticles embedded in polymers or silica have proved to be efficient but not necessarily cheap and non-toxic. However, high PL QY, stable green/yellow emission and easy scale–up process are expected for industrial applications. We study down-shifting materials based on ZnO nanoparticles. ZnO is a low cost, abundant and non-toxic material. It naturally absorbs the blue and UV light thanks to a wide band gap of about 3.37 eV at room temperature. ZnO can also emit visible light, from yellow to red, depending on the nature of the crystalline and surface defects involved in the emission process. Although the nature of these defects is still under debate, it is widely admitted that reducing the size down to the nanoscale enhances the presence of the defects and the luminescence efficiency of ZnO nanostructures in the visible. We present a quick and convenient chemical solution approach to get unique mesospheric self-assembly hybrid ZnO system with intense photoluminescent quantum yield of 40-75 % and stable visible emissions. We develop luminescent layers of ZnO nanoparticles dispersed and embedded in a polymer matrix to be used as down-shifting materials in the structures of solar cells. Our luminescent ZnO layers are fabricated using an easy scale–up process, which is easily adaptable for industrial applications. We will also present the parameters influencing the luminescent efficiency of chemically synthesized ZnO nanoparticles used as down-shifting material. The issue of the optimization of the luminescence EQE, in conjunction with the nano- and mesostructure of the material will also be addressed. We will show how the chemical synthesis parameters influence the ZnO nanoparticle’s EQE and how they can be adjusted to reach EQE as high as 75 %. The possibility to disperse and embed the nanoparticles in polymers (for example PMMA) will also be discussed. Furthermore, the possibility of application of other ZnO nanostructures, namely zinc oxide nanowires, in gas sensors, is presented. These nanowires are fabricated by a simple and low-cost process - chemical bath deposition. They have similar luminescent properties as studied ZnO nanoparticles, i.e. they emit in the UV and in the visible spectral range, thanks to the defects and surface states. Their excitonic and visible emission is studied in the presence of gas vapors and the results demonstrate the change of the visible photoluminescence of ZnO nanowire array and that the material is able to adsorb gases. Finally, the mechanism of gas sensing is discussed.
Published: 2016

25. Optical properties of strained wurtzite InP nanowires

Author: Chauvin, Nicolas, Mavel, Amaury, Patriarche, G., Masenelli, Bruno, Gendry, Michel, Machon, D., INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: June 20-22, 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

26. Effect of Hydrostatic Pressure on the Band Structure of Wurtzite InP Nanowires

Author: Chauvin, Nicolas, MAVEL, Amaury, Patriarche, G., Masenelli, Bruno, GENDRY, Michel, Machon, D., INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Inl, Laboratoire INL UMR5270, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), and Université de Lyon-Université de Lyon
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: May 16-19, 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

27. Binary coded patterns for photon control using necklace problem concept

Author: Liu, Jia, Lalouat, Loïc, Drouard, Emmanuel, Orobtchouk, Régis, College of Urban and Environmental Sciences, Peking University [Beijing], Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (LICB), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), and Université de Lyon
Subjects: Photon, Computer simulation, business.industry, Computer science, Control (management), Degrees of freedom (statistics), Binary number, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Necklace problem, 01 natural sciences, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Interpretation (model theory), 010309 optics, [SPI]Engineering Sciences [physics], Optics, 0103 physical sciences, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Periodic graph (geometry), [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 0210 nano-technology, business
Abstract: International audience; Pseudo-disordered structures enable additional design freedom for photon management. However, the optimization and interpretation is challenging when the large number of degrees of freedom encounters computationally intensive electromagnetic simulation method. Here we propose a novel one-dimensional multi-periodic pattern generation method to help us squeeze the disorder design space before performing rigorous calculation, by making use of the periodic attribute of the pattern. Consequently, thanks to the pre-filtered design space, it typically relieves us from computational burden and enables us to ‘globally’ optimize and study pseudo-disordered patterns. As an example, we show how this approach can be used to comprehensively optimize and systematically analyze generated disorder for broadband light trapping in thin film.
Published: 2016

28. ZnO nanostructures for Mid-IR plasmonics

Author: Hamza, M., Bluet, Jean-Marie, Masenelli-Varlot, Karine, Canut, Bruno, Boisron, O., Mélinon, P., Masenelli, Bruno, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] ( MATEIS ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] ( ILM ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Consortium Lyon Saint-Etienne de Microscopie (CLYM), École normale supérieure - Lyon (ENS Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), École normale supérieure de Lyon (ENS de Lyon)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: 13-17 juin 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

29. Design rules for net absorption enhancement in pseudo-disordered photonic crystal for thin film solar cells

Author: B Gonzalez-Acevedo, Christian Seassal, Emmanuel Drouard, He Ding, Loïc Lalouat, Regis Orobtchouk, INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Lyon, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), ANR-12-PRGE-0004,NATHISOL,Nanophotonique pour cellules solaires en silicium cristallin en couche mince(2012), European Project: 309127,EC:FP7:ENERGY,FP7-ENERGY-2012-1-2STAGE,PHOTONVOLTAICS(2012), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, Physics::Optics, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, Polymer solar cell, law.invention, 010309 optics, Photonic crystals, Optics, law, 0103 physical sciences, Solar cell, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], Plasmonic solar cell, Crystalline silicon, Thin film, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Photonic crystal, Theory of solar cells, business.industry, Photovoltaic system, 021001 nanoscience & nanotechnology, Atomic and Molecular Physics, and Optics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, business, Photovoltaic
Abstract: International audience; The role of pseudo-disordered photonic crystals on the absorption efficiency of simplified thin film crystalline silicon solar cells is presented and discussed. The expected short circuit current can thus be further increased compared to a fully optimized square lattice of holes, thanks to carefully controlled positions of the nanoholes in the considered realistic simplified solar cell stack. In addition, the pseudo-disordered structures are less sensitive to the angle of incidence, especially in the long wavelength range.
Published: 2016

30. Solution processing of hybrid ZnO quantum dots assembled in mesosphere for light emitting diode applications

Author: Valette, A., Gautier, P., Zhu, Yao, Apostoluk, Aleksandra, Masenelli, Bruno, Daniele, S., IRCELYON-Ingéniérie, du matériau au réacteur ( ING ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 2nd-6th May 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

31. ZnO nanoparticle layers as down-shifting converters for the thin-film photovoltaic structures

Author: Znajdek, K., Sibinski, M., Lisik, Z., Aleksandra (Alexandra) Apostoluk, Yao Zhu, Bruno Masenelli, Inl, Laboratoire INL UMR5270, Łódź University of Technology, Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices (DSOD), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire des propriétés optiques des matériaux et applications ( LPOMA ), Université d'Angers ( UA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ecole Nationale de l'Aviation Civile ( ENAC ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL )
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 6th-10th June 2016; International audience; no abstract
Published: 2016

32. Selective dry etching of TiN nanostructures over SiO2 nanotrenches using a Cl2/Ar/N2 inductively coupled plasma

Author: Dominique Drouin, Marie-Josée Gour, Bruno Lee Sang, Maxime Darnon, Benattou Sadani, Serge Ecoffey, Abdelatif Jaouad, Abdelkader Souifi, Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke (UdeS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Neuropsychopharmacologie, Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM ), STI-IMM-LEG, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne ( EPFL ), Équipe MICrosystèmes d'Analyse ( LAAS-MICA ), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [Toulouse] ( LAAS ), Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Toulouse III - Paul Sabatier ( UPS ), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Sherbrooke [Sherbrooke], INL - Dispositifs Electroniques ( INL - DE ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Subjects: Nanostructure, Materials science, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, Electrical and Electronic Engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Instrumentation, 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Plasma etching, Process Chemistry and Technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Volumetric flow rate, chemistry, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Dry etching, Inductively coupled plasma, 0210 nano-technology, Tin, Layer (electronics), Current density
Abstract: International audience; An inductively coupled plasma etch process for the fabrication of TiN nanostructures over nanotopography is presented. Using a Cl2/Ar/N2 plasma, a selectivity of 50 is achieved over SiO2. The effect of N2 flow rate on the etch rates and the nonvolatile residues on TiN sidewalls is investigated. As N2 flow rate is increased up to 50 sccm, a change in the deposition of the nonvolatile residues on TiN sidewalls is observed. The current density–voltage characterizations of TiN devices fabricated with TiN nanostructure sidewalls are presented. The measured current densities of two different samples etched with low and high N2 flow rate, respectively, demonstrated the presence after cleaning of an insulating layer deposited on the sidewalls for low N2 flow rate only.
Published: 2016

33. Femtosecond laser induced creation of G and W-centers in silicon-on-insulator substrates

Author: Quard, Hugo, Khoury, Mario, Wang, Andong, Herzig, Tobias, Meijer, Jan, Pezzagna, Sébastien, Cueff, Sébastien, Grojo, David, Abbarchi, Marco, Nguyen, Hai Son, Chauvin, Nicolas, Wood, Thomas, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques (LP3), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Universität Leipzig, ANR-15-CE24-0027,ULYSSES,Émetteurs de lumière quantique et classique en silicium: Impuretés et défauts complexes pour la nanophotonique(2015), ANR-18-CE47-0013,OCTOPUS,Qubits de spin adressables optiquement dans le silicium 28(2018), European Project: 828890,NARCISO, and European Project: 724480,European Union’s Horizon 2020 research and innovation program,EXSEED(2017)
Subjects: Femtosecond laser, Quantum Physics, fluorescent defects in silicon, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, FOS: Physical sciences, Telecom band, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Quantum Physics (quant-ph), Optics (physics.optics), Physics - Optics
Abstract: The creation of fluorescent defects in silicon is a key stepping stone towards assuring the integration perspectives of quantum photonic devices into existing technologies. Here we demonstrate the creation, by femtosecond laser annealing, of W and G-centers in commercial silicon on insulator (SOI) previously implanted with 12C+ ions. Their quality is comparable to that found for the same emitters obtained with conventional implant processes; as quantified by the photoluminescence radiative lifetime, the broadening of their zero-phonon line (ZPL) and the evolution of these quantities with temperature. In addition to this, we show that both defects can be created without carbon implantation and that we can erase the G-centers by annealing while enhancing the W-centers' emission. These demonstrations are relevant to the deterministic and operando generation of quantum emitters in silicon., 8 pages, 4 figures
Published: 2023

34. Perturbation model for the control of the spectral properties of high contrast gratings

Author: Cédric Blanchard, Christian Grillet, Xavier Letartre, Taha Benyattou, Jean-Louis Leclercq, Pierre Viktorovitch, Cécile Jamois, Laboratoire Electronique, Informatique et Image [UMR6306] (Le2i), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Arts et Métiers (ENSAM), Arts et Métiers Sciences et Technologies, HESAM Université (HESAM)-HESAM Université (HESAM)-Arts et Métiers Sciences et Technologies, HESAM Université (HESAM)-HESAM Université (HESAM)-AgroSup Dijon - Institut National Supérieur des Sciences Agronomiques, de l'Alimentation et de l'Environnement, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire Electronique, Informatique et Image ( Le2i ), Université de Bourgogne ( UB ) -AgroSup Dijon - Institut National Supérieur des Sciences Agronomiques, de l'Alimentation et de l'Environnement-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL )
Subjects: High index, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, MathematicsofComputing_GENERAL, Perturbation (astronomy), 02 engineering and technology, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], 020210 optoelectronics & photonics, Optics, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Photonic crystal, Physics, High contrast, business.industry, Spectral properties, 021001 nanoscience & nanotechnology, high index contrast membrane, perturbation model, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Photonics, 0210 nano-technology, business, Photonic Crystal, Efficient energy use
Abstract: International audience; The comprehension and manipulation of the spectral characteristics of photonic structures is of great interest for a vast bunch of applications, in particular for energy eciency. In this paper we focus on a perturbation model capable of providing insight and control on the resonances that are supported by high index contrast gratings.
Published: 2015

35. Absorption enhancement in monocrystalline Si thin films using pseudodisordered structures

Author: Loïc Lalouat, He Ding, Bastian Gonzalez-Alcevedo, Harouri Abdelmounaim, Regis Orobtchouk, Depauw, V., Christian Seassal, Emmanuel Drouard, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (LICB), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IMEC ( IMEC ), Catholic University of Leuven ( KU Leuven ), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 21-25 june 2015; International audience; no abstract
Published: 2015

36. Hf02 based RRAM: from materials engineering to integrated modules

Author: Niu , Gang, Calka , P., WALCZYK , C., ULHAS SHARATH , S., Gloskovskii , A., HAMOUMOU , Philippe, Gautier , Brice, Zaumseil , P., ALFF , L., Fröhlich , K., Wenger , C., Schroeder , T., INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Laboratoire de spectronomie moléculaire et d'instrumentation laser [URA 777] [Dijon] (SMIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bourgogne (UB), Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Plateforme Technologique Nanolyon ( INL - Nanolyon ), INL - Dispositifs Electroniques ( INL - DE ), Laboratoire de Spectronomie Moléculaire ( SMIL ), and Université de Bourgogne ( UB )
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 10 mars 2015; International audience; no abstract
Published: 2015

37. Quantum confinement effect in InAs/InP quantum dot nanowires (QD-NWs) grown on silicon

Author: MAVEL, Amaury, Regreny, Philippe, Patriarche, G., Masenelli, Bruno, Chauvin, Nicolas, GENDRY, Michel, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Lyon, Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Inl, Laboratoire INL UMR5270, École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; We study the optical properties of InAs/InP QD-NWs grown on silicon by solid source Molecular Beam Epitaxy (ssMBE) using the Vapor-Liquid-Solid (VLS) method [1,2]. The investigation of this material system enables us to tune the emission wavelength of the NWs into the telecommunication bands. We aim at VLS growth of vertically standing wurtzite InP NWs on Si(111) for a good control of the insertion of InAs QDs and the NW shape. We show that an in-situ deposition at 500°C of a gold-indium (Au-In) alloy as catalyst leads to droplets which do not react with the Si substrate and to vertical NWs, whereas an alloy is formed with the Si substrate at higher temperature leading to inclined NWs. The first minute of the NW growth is then investigated step by step by TEM measurements to follow the formation of the pyramid-shaped pedestal which was evidenced prior to the NW growth. A high degree of verticality was thus obtained ensuring a cylindrical symmetry for the QD-NWs during axial or radial growth which is necessary to reach a good waveguide behavior. Growth conditions were then optimized to control the structural quality and shape of InAs QDs inserted into the InP NWs. The purity of the wurtzite structure for the QD-NWs was confirmed by TEM and PL measurements. Then, the VLS growth method allows us to control the InAs QD height to diameter ratio H/D with sharp interfaces as also revealed by TEM measurements (Fig.1). When the ratio is in the order of 1 with height and diameter typically in the 10-14 nm range, low temperature PL measurements performed on QD-NW populations revealed a single peak at 0.84 eV. For smaller ratios, the carriers are mainly confined by the QD height, and the PL spectra presented multiple peaks which are attributed to monolayer fluctuation in the InAs QD height (Fig.2).
Published: 2015

38. III-V nanowires on silicon for light emission in the telecom band

Author: Chauvin, Nicolas, Anufriev, Roman, MAVEL, Amaury, BARAKAT, Jean-Baptiste, Regreny, Philippe, Patriarche, G., Masenelli, Bruno, GENDRY, Michel, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Université de Lyon, Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: September 9-12, 2015; International audience; no abstract
Published: 2015

39. Spectroscopic study of ZnO nanostructures with intentionally introduced defects for photovoltaic and gas detector applications

Author: Apostoluk , Aleksandra, Zhu , Yao, Masenelli , Bruno, NGUYEN , Théodore, Delaunay , J., Valette , A., Gautier , P., Daniele , S., INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes ), Gestion des Ressources Humaines, Centre d'études et de recherches appliquées à la gestion ( CERAG ), Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 ( UPMF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 ( UPMF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), The University of Tokyo, School of Engineering, IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), and Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 22nd-25th June 2015; International audience; In the present communication, we propose the application of ZnO nanoparticles as down-shifters for the enhancement of the solar cell’s spectral response. Nanoparticles permit to achieve a high concentration of the intermediate energy levels in the bandgap, necessary for an efficient energy down-shifting and at the same time, they can act as an antireflective layer. We first show that the synthesis conditions can be used to control and enhance the visible luminescence of ZnO NPs and even achieve high quantum photoluminescent yield. The subsequent use of these nanoparticles as a down-shifting material for photovoltaic cells is proposed.
Published: 2015

40. ZnO cluster assembled film with low defect concentration: towards ultra-low power sensors

Author: Mélinon , P., Machon , D., Daniele , S., Masenelli , Bruno, Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 23-25 mars 2015; International audience; Small, low power sensors and actuators are vital for systems of all kinds to interact with their environment. Interest in gas sensing has been prompted from the need of monitoring our environment and particularly hazardous substances having negative effects on the environment and human welfare. Chemical sensors have been used extensively for the detection of hazardous pollutant gases, combustible gases and organic vapors. In this way, past few decades have found widespread applications for semiconducting metal nano oxides as solid-state gas sensors. The operating principle is based from the dependence of the conductivity through physisorption with the composition and the concentration of the surrounded atmosphere. Among them ZnO is very popular due to its superior reactivity, its non-toxicity, its chemical robustness, a large bandgap and a low synthesis price. However, the natural and often uncontrolled n doping, is a strong barrier for reproducibility results. We report a state of the art ZnO cluster assembled film nearly defect free which exhibit a huge and reproducible reactivity in a limited range of temperature. This perfect control of the defects is the key point for gas sensor upgrading with respect to the sensitivity, the selectivity, the reproducibility, the linearity and the life time. It takes an innovative look for reducing both size and power consumption allowing the integration in complex chips.
Published: 2015

41. Study of ZnO nanostructures with intentionally introduced defects for photovoltaics and optical gas sensing

Author: Apostoluk, Aleksandra, Zhu, Yao, Nguyen, T.-H., Masenelli, Bruno, Valette, A., Gautier, P., Daniele, S., Delaunay, J. J., Appert, E., Consonni, Vincent, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), The University of Tokyo, School of Engineering, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Gestion des Ressources Humaines, Centre d'études et de recherches appliquées à la gestion ( CERAG ), Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 ( UPMF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 ( UPMF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon ( IRCELYON ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IRCELYON-Chimie durable: du fondamental à l'application ( CDFA ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes ), Laboratoire des matériaux et du génie physique ( LMGP ), and Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP )
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: 7th-9th September 2015; International audience; In the present communication, we propose the application of the wide bandgap semiconductor nanoparticles (NPs) as energy converters for the enhancement of the spectral response of solar cells. Nanoparticles permit to achieve a high concentration of the intermediate energy levels in the bandgap, necessary for an efficient down-shifting (a variant of down-conversion process, in which one high energy photon is converted into one lower-energy photon) and at the same time, they can act as an antireflective layer [1]. Wide band gap semiconductors, such as ZnO, absorb efficiently the UV light in the spectral zone where the efficiency of most solar cells (CdTe, CIGS, amorphous Si) is low and convert it into the visible light at the wavelengths where the solar cell spectral response is higher. Moreover, ZnO specifically turns out be a very attractive material for down-shifting applications, as it is non-harmful and abundant, benefits from cheap and easy fabrication methods, has a wide bandgap (3.4 eV) and a higher absorption coefficient than other wide bandgap materials such as GaN. We first show that the synthesis conditions (hydrolysis or co-precipitation), can be used to control and enhance the visible luminescence of ZnO NPs in order to achieve high quantum photoluminescent yield. The subsequent use of these nanoparticles as a down-shifting material for photovoltaic cells is demonstrated [2]. This visible defect luminescence in ZnO nanostructures and more precisely nanowires turns out to be sensitive to some toxic gases can be applied in the optical gas sensing, especially in the explosive environment, where the resistive gas sensors cannot be applied. References: [1] A. Apostoluk, Y. Zhu, B. Masenelli, J.-J. Delaunay, M. Sibiński, K. Znajdek, A. Focsa, I. Kaliszewska, Improvement of the solar cell efficiency by the ZnO nanoparticle layer via the down-shifting effect, Microelectronic Engineering 127, pp. 51–56, 2014, DOI:10.1016/j.mee.2014.04.025 [2] A. Apostoluk, Y. Zhu, B. Canut, B. Masenelli, J.-J. Delaunay, K. Znajdek and M. Sibiński, Investigation of luminescent properties of ZnO nanoparticles for their use as a down-shifting layer on solar cells, Phys. Status Solidi C 10 (10), 1301–1307, 2013; DOI: 10.1002/pssc.201200950
Published: 2015

42. Optical properties of wurtzite InP nanowires under hydrostatic pressure

Author: Chauvin, Nicolas, MAVEL, Amaury, Masenelli, Bruno, Regreny, Philippe, GENDRY, Michel, Machon, D., Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Université de Lyon, Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), and Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: December 13-16, 2015; International audience; no abstract
Published: 2015

43. Superconductivity in an expanded phase of ZnO: an ab initio study

Author: Hapiuk, D., Marqués, M.A.L., Mélinon, P., Botti, Silvana, Masenelli, Bruno, FLORES-LIVAS, J., Institut Lumière Matière [Villeurbanne] ( ILM ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures ( LPMCN ), Laboratoire des Solides Irradiés ( LSI - UMR 7642 ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -École polytechnique ( X ) -Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik (MPI-HALLE), and Max-Planck-Gesellschaft
Subjects: ab initio, Condensed Matter::Other, superconductivity, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, sodalite, doping, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, ionic, [SPI]Engineering Sciences [physics], Condensed Matter::Materials Science, Condensed Matter::Superconductivity, ZnO, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Physics::Atomic and Molecular Clusters, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], Condensed Matter::Strongly Correlated Electrons, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; It is known that covalent semiconductors become superconducting if conveniently doped with large concentration of impurities. In this article we investigate, using ab initio methods, if the same situation is possible for an ionic, large-band gap semiconductor such as ZnO.Weconcentrate on the cage-like sodalite phase, with very similar electronic and phononic properties as wurtzite ZnO, but allow for endohedral doping of the cages.Wefind that sodalite ZnO becomes superconducting for a variety of dopants, reaching a maximum critical temperature of 7 K. This value is comparable to the transition temperatures of doped silicon clathrates, cubic silicon, and diamond.
Published: 2015

44. 1310 nm hybrid InP/InGaAsP on silicon distributed feedback laser with high side-mode suppression ratio

Author: Antoine Descos, Thomas Ferrotti, Helene Duprez, Christian Seassal, Corrado Sciancalepore, Sylvie Menezo, Christophe Jany, Karim Hassan, Badhise Ben Bakir, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Département d'Optronique (DOPT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), ANR-10-AIRT-0005,NANOELEC,NANOELEC(2010), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Alcatel-Thalès III-V lab ( III-V Lab ), THALES-ALCATEL, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and Université de Lyon
Subjects: Waveguide (electromagnetism), Materials science, Silicon, Hybrid silicon laser, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, law.invention, Semiconductor laser theory, Photonic integrated circuits, 010309 optics, 020210 optoelectronics & photonics, Optics, law, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Semiconductor lasers, Distributed feedback laser, business.industry, Photonic integrated circuit, Laser, Atomic and Molecular Physics, and Optics, chemistry, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Continuous wave, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, business
Abstract: International audience; We report on the design, fabrication and performance of a hetero-integrated III-V on silicon distributed feedback lasers (DFB) at 1310 nm based on direct bonding and adiabatic coupling. The continuous wave (CW) regime is achieved up to 55 degrees C as well as modehop-free operation with side-mode suppression ratio (SMSR) above 55 dB. At room temperature, the current threshold is 36 mA and the maximum coupled power in the silicon waveguide is 22 mW. (C)2015 Optical Society of America
Published: 2015

45. Ultrathin nanostructured c-Si solar cells by low temperature and scalable processes

Author: Romain Cariou, Anne Gaucher, Loïc Lalouat, Inès Massiot, Andrea Cattoni, Stéphane Collin, Martin Foldyna, Emmanuel Drouard, Christian Seassal, Wanghua Chen, P. Roca i Cabarrocas, Christophe Dupuis, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information ( CEA-LETI ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères], Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), Université de Lille, Sciences Humaines et Sociales, Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] ( LPICM ), École polytechnique ( X ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Alcatel-Thalès III-V lab ( III-V Lab ), THALES-ALCATEL, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon, Laboratoire Traitement du Signal et de l'Image ( LTSI ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM ), Inl, Laboratoire INL UMR5270, Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] (LPICM), École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
Subjects: Materials science, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Quantum dot solar cell, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, 7. Clean energy, Polymer solar cell, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Nanoimprint lithography, law.invention, Monocrystalline silicon, [SPI]Engineering Sciences [physics], law, Plasma-enhanced chemical vapor deposition, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], Plasmonic solar cell, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, business.industry, Hybrid solar cell, Anodic bonding, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, business
Abstract: JUN 14-19, 2015; International audience; We report on the fabrication and characterization of both flat and patterned c-Si solar cells on glass. We use epitaxial layers grown by plasma enhanced chemical vapor deposition at low temperature (T
Published: 2015

46. Carrier dynamics in semiconductor nanowires studied using optical-pump terahertz-probe spectroscopy

Author: Morris, D., Chauvin, Nicolas, MAVEL, Amaury, Beaudoin, A., Salem, B., TUTASHKONKO, Olesia, Baron, T., GENDRY, Michel, RedZinc Services Ltd.[Dublin], INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Department of Mechanical and Industrial Engineering ( MIE ), University of Illinois at Urbana-Champaign [Urbana], Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: June 15-19, 2015; International audience; no abstract
Published: 2015

47. Pseudo-disordered design assists mono-crystalline Si thin film solar cells

Author: Abdelmounaim Harouri, Christian Seassal, Valerie Depauw, He Ding, Emmanuel Drouard, Bastian Gonzalez Acevedo, Regis Orobtchouk, Loïc Lalouat, Drouard, Emmanuel, Nanophotonics for ultra-thin crystalline silicon photovoltaics - PHOTONVOLTAICS - - EC:FP7:ENERGY2012-11-01 - 2015-10-31 - 309127 - VALID, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), European Project: 309127,EC:FP7:ENERGY,FP7-ENERGY-2012-1-2STAGE,PHOTONVOLTAICS(2012), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), IMEC ( IMEC ), Catholic University of Leuven ( KU Leuven ), Université de Lyon, Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Materials science, genetic structures, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, 02 engineering and technology, Condensed Matter::Disordered Systems and Neural Networks, 7. Clean energy, 01 natural sciences, Polymer solar cell, 010309 optics, [SPI]Engineering Sciences [physics], 0103 physical sciences, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], Crystalline silicon, Plasmonic solar cell, Thin film, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Photonic crystal, Condensed matter physics, Photovoltaic system, Hybrid solar cell, 021001 nanoscience & nanotechnology, Square lattice, eye diseases, Crystallography, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, sense organs, 0210 nano-technology
Abstract: We study the light trapping in thin film crystalline silicon solar cells with a pseudo disordered structure. It presents the non-clustered holes of pseudo disordered structure exhibits a better performance than the square lattice design.
Published: 2015

48. Carrier trapping study on a Ge nanocrystal by two-pass lift mode electrostatic force microscopy

Author: Armel Descamps, Pavel N. Brunkov, Georges Bremond, Colm O'Dwyer, Zhen Lin, Franck Bassani, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] ( MATEIS ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA )
Subjects: Nanostructure, Materials science, Electrostatic force microscopy, Polymers and Plastics, Electrostatic force microscope, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, Germanium, 02 engineering and technology, Trapping, Electron, 01 natural sciences, Capacitance, Molecular physics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Biomaterials, [SPI]Engineering Sciences [physics], 0103 physical sciences, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Memory device, Leakage (electronics), 010302 applied physics, Metals and Alloys, 021001 nanoscience & nanotechnology, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, Nanocrystal, Germanium nanocrystal, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology
Abstract: International audience; Trapped charges inside an isolated germanium nanocrystal (Ge NC) have been studied by two-pass lift mode electrostatic force microscopy (EFM) measurements at room temperature. From visualized EFM images, electrons and holes were proven to be successfully injected and trapped in the Ge NC and distributed homogenously at the edge of its truncated spherical morphology. The Ge NC is found to have iso-potential surface and behave as a conductive material after being charged. It is also shown that the dominant charge decay mechanism during discharging of Ge NCs is related to the leakage of these trapped charges. A truncated capacitor model is used to approximate the real capacitance between the tip and Ge NC surface and to quantitatively study these trapped charges. These investigations demonstrate the potential for Ge nanocrystal memory applications.
Published: 2015

49. Light trapping in advanced solar cells: photonic crystals and disordered structures

Author: Erwann Fourmond, Alain Fave, He Ding, Romain Champory, Emmanuel Drouard, Regis Orobtchouk, Christian Seassal, Guillaume Gomard, Fabien Mandorlo, Loïc Lalouat, Romain Peretti, INL - Nanophotonique ( INL - Photonique ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Photovoltaïque ( INL - PV ), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), and Inl, Laboratoire INL UMR5270
Subjects: Materials science, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Nanophotonics, Physics::Optics, 02 engineering and technology, Trapping, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, 7. Clean energy, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], 020210 optoelectronics & photonics, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Absorption (electromagnetic radiation), Photonic crystal, business.industry, Photovoltaic system, 021001 nanoscience & nanotechnology, Indium tin oxide, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, Thin film solar cell, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, business
Abstract: Integrating Photonic Crystals in solar cells is a powerful way to control light absorption. We will present strategies leading to high conversion efficiencies, considering both carrier recombination issues and absorption optimization by complex nanophotonic structures.
Published: 2015

50. Time-resolved photoluminescence for self-calibrated injection-dependent minority carrier lifetime measurements in silicon

Author: D. Blanc-Pélissier, S. Parola, Anne Kaminski-Cachopo, Mehdi Daanoune, Mustapha Lemiti, INL - Photovoltaïque ( INL - PV ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation ( IMEP-LAHC ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Savoie Mont Blanc ( USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] ) -Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and OSEO 'MONOXEN'
Subjects: Photoluminescence, Materials science, Acoustics and Ultrasonics, Silicon, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Photovoltaic effect, 7. Clean energy, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 0103 physical sciences, Wafer, Laser power scaling, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, business.industry, Photoconductivity, Doping, Carrier lifetime, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology, business
Abstract: International audience; Time-resolved photoluminescence (TRPL) was investigated on passivated silicon wafers under modulated square-wave laser illumination. It is shown that time-correlated single-photon counting can be used to record the transient signals on silicon wafers with doping levels commonly used for photovoltaic applications. This article reports the self calibrated evaluation of the injection-dependent effective minority carrier lifetime from the TRPL measurements. The method only requires knowing the doping level, the incident laser power, the reflection coefficient and the sample thickness. TRPL results were found to be in good agreement with photoconductance lifetime measurements. The effect of the surface recombination velocity on the generation of the PL signal was shown experimentally and discussed with PC1D calculations.
Published: 2015

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