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The connection between Pediatric Inflammatory Multisystem Syndrome (PIMS) and Kawasaki Disease (KD) is not yet fully understood. Using the same national registry, clinical features and outcome of children hospitalized in Germany, and Innsbruck (Austria) were compared. Reported to the registry were 395 PIMS and 69 KD hospitalized patients. Patient age in PIMS cases was higher than in KD cases (median 7 [IQR 4–11] vs. 3 [IQR 1–4] years). A majority of both PIMS and KD patients were male and without comorbidities. PIMS patients more frequently presented with organ dysfunction, with the gastrointestinal (80%), cardiovascular (74%), and respiratory (52%) systems being most commonly affected. By contrast, KD patients more often displayed dermatological (99% vs. 68%) and mucosal changes (94% vs. 64%), plus cervical lymph node swelling (51% vs. 34%). Intensive care admission (48% vs. 19%), pulmonary support (32% vs. 10%), and use of inotropes/vasodilators (28% vs. 3%) were higher among PIMS cases. No patients died. Upon patient discharge, potentially irreversible sequelae—mainly cardiovascular—were reported (7% PIMS vs. 12% KD). Despite differences in age distribution and disease severity, PIMS and KD cases shared many common clinical and prognostic characteristics. This supports the hypothesis that the two entities represent a syndrome continuum.

Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Bewertung des Breitband-Halbleiters ß-Ga2O3 für die Hochleistungselektronik. Daher sind Schichten, die mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) gewachsen sind, und Volumenkristalle, die mit der Czochralski-Methode gewachsen sind, elektrisch und optisch charakterisiert. Dabei werden die grundlegenden Eigenschaften des Materials untersucht und mit den theoretischen Vorhersagen verglichen. Der Einfluss und die Bildung von Defekten werden untersucht. Zu Beginn zeigten die MOVPE-gewachsenen Schichten ungünstige elektrische Eigenschaften, da sie bei niedrigeren Dotierungskonzentrationen vollständig kompensiert wurden und bei höheren Ladungsträgerkonzentrationen eine geringere Ladungsträgerbeweglichkeit aufwiesen. Ein quantitatives Modell des schädlichen Einflusses inkohärenter Zwillingsgrenzen auf elektrische Eigenschaften wird entwickelt, das zeigt, dass die Verhinderung der Bildung von diesen der Schlüssel zur Verbesserung des Materials ist. Die Dichte der inkohärenten Zwillingsgrenzen wurde um 4 Größenordnungen reduziert, was zu einer verbesserten Ladungsträgerbeweglichkeit führte. Dies bietet eine vielversprechende Perspektive für den Einsatz von ß-Ga2O3 in zukünftiger Leistungselektronik. Ramanspektroskopische Untersuchungen an hoch n-dotierten Kristallen zeigen die Bildung eines Störstellenbandes, geben Einblicke in die effektivmasseartige Donatornatur von Si und Sn und zeigen zusätzliche Raman-verbotene, longitudinale Phononen-Plasmonmoden durch Streuung durch Fluktuationen der freien Ladungsträgerdichte. Die relative statische Dielektrizitätskonstante von ß-Ga2O3 senkrecht zu den Ebenen (100), (010) und (001) wird auf 10,2, 10,87 bzw. 12,4 bestimmt, die eine zuverlässige Grundlage für die Simulation und Konstruktion von Bauelementen bilden. Die Erzeugung von heller, roter Elektrolumineszenz (EL) in Sperrrichtung betriebenen Schottky-Barrieredioden auf der Basis von mit Cr und Si co-dotierten Kristallen wird gezeigt. Die EL von Cr ist repräsentativ für die Fähigkeit, die lumineszierenden Zustände anderer Übergangsmetalle anzuregen. Solche lichtemittierenden Schottky-Barrieredioden können ein neues Anwendungsgebiet von ß-Ga2O3 eröffnen. This thesis deals with the evaluation of the wide band gap semiconductor ß-Ga2O3 for high power electronics. Therefore, layers grown with metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and bulk crystals grown by Czochralski method are electrically and optically characterized. Hereby, the fundamental properties of the material are investigated and compared with the theoretical predictions. The influence and formation of defects are investigated. At the beginning the MOVPE grown layers showed unfavorable electrical properties as they were fully compensated at lower doping concentrations and showed lowered mobility at higher charge carrier concentrations. A quantitative model of the detrimental influence of incoherent twin boundaries on electrical properties is developed showing that the prevention of the formation of these is the key to improve the material. The density of incoherent twin boundaries was reduced by 4 orders of magnitude resulting in improved charge carrier mobility. This provides a promising outlook for the use of ß-Ga2O3 in future power electronics. Raman spectroscopic investigations of highly n-type doped crystals reveal the formation of an impurity band, give insight in the effective-mass like donor nature of Si and Sn, and show additional Raman forbidden, longitudinal phonon plasmon modes due to free-electronic-charge density fluctuations scattering. The relative static dielectric constant of ß-Ga2O3 perpendicular to the planes (100), (010), and (001) is determined to 10.2, 10.87, and 12.4, respectively, which give a reliable basis for the simulation and design of devices. The generation of bright, red electroluminescence (EL) in reverse biased Schottky barrier diodes based on crystals co-doped with Cr and Si is shown. The EL of Cr is representative of the ability to excite the luminescent states of other transition metals. Such light emitting Schottky barrier diodes may open up a new application field of ß-Ga2O3.

Das induktive Randschichthärten ist ein äußerst wirtschaftliches und effizientes Verfahren zur Herstellung von hoch beanspruchten Bauteilen, wie z. B. Kurbelwellen, Pumpenwellen und Zahnrädern. Der Werkstoffzustand kann im Allgemeinen vor der Wärmebehandlung nur durch Zerstörung des Bauteils bestimmt werden. Von Vorteil wäre aber eine zerstörungsfreie Bestimmung des Werkstoffzustands während des Prozesses anhand eines Prozessparameters, der bereits quantitativ bei der Qualitätssicherung (z. B. Energiemenge) herangezogen wird, um das gewünschte Härteergebnis durch angepasste Prozessparameter zu erreichen. Es werden grundlegende Untersuchungen an einer Laborinduktionsanlage vorgestellt, die zeigen, dass eine Erkennung des Werkstoffzustands durch qualitative Auswertung des Leistungssignals in Form der Leistungskurve möglich ist. Dabei werden durch umfangreiche Untersuchungen an unterschiedlichen Vergütungsstählen die Charakteristik im Verlauf der Leistungskurve für gezielt hergestellte Werkstoffzustände erarbeitet und umfangreiche Auswertungen dieser Leistungskurve, der damit verbundenen Temperaturverläufe und die erreichten Härteergebnisse vorgestellt. Des Weiteren wird ein Simulationsmodell für die Temperaturverteilung und die Kohlenstoffdiffusion im Probeninneren entwickelt, das Aufschluss über die erreichbaren Härtetiefen liefert. Herausgearbeitet werden konnte ein Zusammenhang zwischen dem Verlauf der Leistungskurve und den untersuchten Werkstoffzuständen, der sich bei allen untersuchten Werkstoffen in gleicher Weise abzeichnet und als Regelkriterium herangezogen werden kann. Die daraus entwickelte Regelung wird vorgestellt und in einer Sensitivitätsanalyse verifiziert.