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National audience; Ce travail de recherche propose une approche nouvelle de modélisation de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium en employant la seule équation de Shockley comme terme générique d'un modèle électrique multi-branches. La fonction de Lambert est utilisée pour s'affranchir du caractère implicite de cette équation. In fine, des paramètres - dits phénoménologiques - sont déterminés afin de reconstruire la caractéristique IVT en dessous et au dessus du seuil avec un facteur de qualité convaincant. Deux cas sont traités, celui d'une diode Schottky SiC avec interface en Tungstène stable, et celui de diodes Schottky et JBS avec interface en Nickel issues de procédés de conception/fabrication en cours de développement. Les résultats obtenus permettent de discuter de la maturité/qualité de l'interface métal/semiconducteur étudiée et des possibles mécanismes de conduction à l'oeuvre. Enfin, le modèle phénoménologique présente aussi un intérêt en terme de simulations électriques.

In this document, we present ou study about the conception and realization of VMOS and Schottky and JBS Diodes on Silicon Carbide. This work allowed us optimize and fabricate diodes using Tungsten as Schottky barrier on both Schottky and JBS diodes of different blocking capability between 1.2kV and 9kV. Moreover, our study of the VMOS, by considering the overall fabrication process, has permitted to identify the totality of the problems we are facing. Thusly we could ameliorate the devices and try new designs as the VIEMOS or the monolithic integration of temperature and current sensors., Nous présentons dans ce document, notre étude de la conception et la réalisation de VMOS et de diodes Schottky et JBS en carbure de silicium. Ce travail nous a permis d'optimiser et de fabriquer des diodes utilisant une barrière Schottky en Tungsten de différentes tenues en tension entre 1,2kV et 9kV. De plus, notre étude du VMOS nous a permis d'identifier la totalité des problèmes auxquels nous faisons face. Ainsi, nous avons pu améliorer ces composants tout en essayant de nouveaux designs tels que le VIEMOS et l'intégration monolithique de capteurs de temperature et de courant.