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Atomic layer deposited (ALD) 50nm AlxTayOz mixture coatings are grown on steel for corrosion protection. In morphological and compositional analyses the coatings are found to be uniform, conformal, well-adhered, and low in defect density. Corrosion protection properties are evaluated with polarization measurements and neutral salt spray (NSS) testing. The sealing properties of the mixtures improve with increasing aluminum oxide content, whereas the protection durability improves with increasing tantalum oxide content. In comparison to single-layer and nano-laminate ALD Al2O3 and Ta2O5 coatings, all mixtures are found to have better protective properties.

In this work we have investigated the thermal oxidation of thin InAlN/GaN heterostructures in their lattice matched configuration (83% Al) in oxygen atmosphere at 800 °C. TEM cross sections revealed a partially crystalline oxide with an initial oxidation rate of 0.37 nm/minute. MOS diodes fabricated using the thermal oxide as a gate dielectric showed an exponential drop in the gate leakage which scales with the square root of oxidation time indicating diffusion limited oxidation through the InAlN barrier. The effect of oxidation on the interfacial InAlN/GaN sheet charge density (NS) is correlated with a reduction of thickness for short oxidation times (up to 4 min) and an abrupt change in the surface potential for longer oxidation times. (© 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

The structure of evaporated amorphous silicon and amorphous silicon prepared by glow discharge technique is investigated using phase contrast electron microscopy and electron diffraction. While evaporated Si shows a supernetwork of density fluctuations commonly observed in evaporated amorphous tetrahedrally bonded semiconductors, glow discharge Si shows no such quasiperiodic heterogeneous density fluctuation. Electron diffraction patterns are obtained using a translation detector, which directly measures the electron intensity in the image plane of the electron microscope. From the resulting RDF it is concluded, that there is a higher degree of local order in glow discharge Si. Mit Hilfe von Phasenkontrast-Elektronenmikroskopie und Elektronenbeugung wird die Struktur von aufgedampftem amorphem Silizium und von amorphem Silizium, das mit der “glow discharge” -Technik gewonnen wurde, untersucht. Wahrend aufgedampftes Si das Supernetzwerk von Dichtefluktuationen zeigt, wie es ublicherweise in aufgedampften tetraedrisch gebundenen amorphen Halbleitern gefunden wird, hat “glow discharge”-Si keine solche heterogene, quasiperiodische Dichtefluktuation. Mit Hilfe eines Translationsdetektors, der die Elektronenintensitat direkt in der Bildebene des Elektronenmikroskops mist, wird das Elektronenbeugungsspektrum aufgenommen. Aus der resultierenden RDF wird geschlossen, das der Grad der lokalen Ordnung in “glow discharge”-Si groser ist.

After reviewing the structural properties and formation of Al thin films on the basis of literature, the phenomena of crystal growth taking place in vacuum deposited Al films are discussed. The presence of oxygen in the residual gases affects the layer growth of the individual crystallites directly. The adsorbed oxygen accumulates at the growth steps continuously and in consequence of this, oxide precipitates and two-dimensional oxide films can develop along the steps, hindering the growth of layers. These phenomena depend on the orientation of crystallites and influence both the coalescence of contacting crystallites and their recrystallization in continuous films. The formation of inhomogeneous structures and hillocks is explained using these results. Anschliesend an einen Uberblick uber die Bildung und die strukturellen Eigenschaften von dunnen Aluminiumschichten werden die Wachstumsphanomene beschrieben, die in dunnen Aluminium-Aufdampfschichten auftreten. Das Schichtwachstum der einzelnen Kristallite wird direkt durch Sauerstoff aus dem Restgas des Vakuums beeinflust. Als Folge einer kontinuierlichen Anreicherung des adsorbierten Sauerstoffs an den Stufen konnen sich Oxidausscheidungen und zweidimensionale Oxidschichten langs der Stufen bilden, die das Schichtwachstum behindern. Diese Phanomene hangen von der Orientierung der Kristallite ab und beeinflussen sowohl die Koaleszenz benachbarter Kristallite als auch die Rekristallisation kontinuierlicher Filme. Auf der Grundlage dieser Resultate wird die Bildung von Hugeln und inhomogenen Strukturen erklart.