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L’étude structurale de la poudre, CuInSe2 (CIS) obtenue par fusion des éléments (Cu, In et Se), du composé dans une ampoule de quartz a montré que la chalcopyrite est dominante avec une orientation préférentielle (112). Des couches minces du composé CIS élaborées par évaporation sur des substrats en verre présentent des coefficients d’absorption () élevées de l’ordre de 5.104 cm-1. Le tracé de la fonction (h)2 des couches minces recuites sous vide à différentes températures en fonction de l’énergie des photons incident a mis en relief la nature directe de la transition fondamentale est a permis également de calculer le gap Eg = 1.04 eV.

Nous avons étudié l’influence des conditions de dépôt de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) sur les propriétés électroniques. Ces couches sont déposées par la technique de transport en phase gazeuse sur des substrats en saphir (Al2O3) d’orientations ,et . Les mesures électriques d’effet Hall, à 300K, montrent que la concentration et la mobilité des électrons sont comprises entre 21016 – 8.41018 cm-3 et 140 – 160 cm2V-1s-1, respectivement. Les résultats des mesures de la mobilité des électrons en fonction de le température montrent que différents mécanismes limitent la mobilité des électrons dans les films de ZnO.

Les couches minces de l’alliage amorphe de composition Pd30Y70 sont déposées par pulvérisation cathodique sur des substrats en silice, sous un vide de 10-7 Torr. Les couches obtenues sont opaques et par conséquent leur transmission est nulle. Le spectre de réflexion de Pd30Y70 est mesuré dans le domaine d’énergie entre 0,5 et 6,2 eV. Cette mesure sert au calcul du déphasage à la réflexion de l’alliage à partir de l’intégrale de Kramers-Kronig. Les valeurs mesurées de la réflexion et les valeurs calculées du déphasage à la réflexion permettent de remonter aux constantes optiques (indices de réfraction et d’extinction) de l’alliage et à sa structure électronique à partir des spectres d’absorption optique calculés. Le spectre d’absorption optique de Pd30Y70 amorphe est dominé par deux structures dont l’une est due aux états 4d de Pd centrée autour de 4 eV et l’autre aux états 4d de Y aux basses énergies.

Le présent travail est essentiellement consacré à l'étude de quelques propriétés optiques de couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) préparées par la technique de pulvérisation cathodique radiofréquence. Il s'agit précisément d'examiner séparément l'influence de la pression partielle d'hydrogène lors du dépôt et l'effet d'un recuit thermique classique post-dépôt sur les principales grandeurs optiques des couches telles que l'indice de réfraction, le gap optique et l'énergie d'Urbach. On montre que les faibles pressions d'hydrogène permettent une saturation des liaisons pendantes dans le matériau, alors que les fortes doses conduisent à la création de nouveaux défauts. On montre aussi qu'un recuit thermique à température moyenne permet une nette amélioration de la qualité structurale des couches déposées.

Dans cette étude, l’importance a été donnée à la variation de la luminescence verte dans les couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) en fonction du traitement ultérieur dans une atmosphère d’hydrogène. Le défaut responsable de la luminescence verte dans ZnO est la lacune oxygène () sous la forme de centres F+. Il est établi que la concentration des lacunes peut être régulée à la limite de l’ordre deux pour des températures ne dépassant pas 980 K. Au-delà de cette température, se crée un autre type de défaut dans les couches de ZnO, qui est le zinc interstitiel.

Le pouvoir réflecteur d’un dioptre quelconque dans le domaine des rayons X est trop faible, mais il est toujours possible de choisir des systèmes pouvant présenter un pic de réflexion d’intensité importante autour d’une incidence caractéristique du matériau. Ce dernier est un multicouche, composé de deux couches déposées en sandwich. Nous avons élaboré un programme qui permet de calculer la réflexion d’un tel matériau en suivant la méthode d’Abelès dans laquelle une couche mince est représentée par une matrice carrée contenant toutes les informations nécessaires pour le calcul de la réflexion. Ce programme tient compte aussi des rugosités aux interfaces du multicouche, vue leur importante influence sur l’intensité du pic apparaissant sur le spectre de réflexion. L’application du programme au multicouche Ni/C a montré l’existence d’un pic centré autour de 31.32°. Son intensité est sensible au nombre de périodes dans le multicouche, aux épaisseurs des couches minces de Ni et de C et à la taille des rugosités des interfaces Ni/C et C/Ni.

La constance diélectrique du manganèse pur (Mn) et de l'alliage amorphe Al88Mn12 en couches minces est calculée à partir d'un programme élaboré s'appuyant sur leurs mesures photométriques de réflexion et de transmission, effectuées à l'air libre entre 0,5 et 6,2 eV. Le programme calcule l'indice de réfraction complexe du matériau et permet de remonter à sa constante diélectrique. Les solutions fournies par le programme sont obtenues sur toute la gamme d'énergie pour le cas de Mn tandis que pour l'alliage elles sont limitées entre 0,5 et 2 eV. La courbe correspondant à la partie imaginaire de la constante diélectrique du manganèse a un profil similaire à celui des métaux simples; celle de l'alliage est par contre différente au-delà de 2 eV à cause des transitions électroniques mettant en jeu les états 4d du manganèse dans l'alliage.