Search

O sucesso da GaN cristalino como um material de aplicações eletrônicas e ópticas tem motivado enormes esforços teóricos e experimentais nos últimos anos, a fim de que sejam entendidas suas propriedades. Neste trabalho, apresentamos uma teoria quantitativa, embora modelar, da superficies GaN (111) relaxada, segundo vários modelos e contendo defeitos nativos com vacâncias (V e Vn) e defeitos de antisitios (Nga e Gan) contidos na sua camada superior. Nossa abordagem é baseada em cálculos modelo ab initio de energia total de aglomerados moleculares planares de tamanhos variando de 1x1 a 6x6 anéis de Ga3N3. Acompanhados a convergência dos estados eletrônicos de superfície, das cargas atômicas de densidades de estados, como uma função do tamanho do aglomerado molecular. The success of crystaline GaN as an eletronic and optical has motivated enormous theoretical and experimental efforts in recent years in order to understand its properties. In this work we report a quantitative theory of the GaN (111) surface relaxed according several models and of native defects. We are concemed with the vacancies (V and Vn) and the anti-site defects (N and Gan) as bonded on the uppermost atomic layer. Our approach is to use total energy abinitio model calculations of planar molecular clusters of sizes ranging from 1x1 to 6x6 Ga3N3 units. We follow the convergence of the surface eletronic states, atomic charges, density of states, as a function of the molecular cluster'size.