1. Photoluminescence polarization and piezoelectric properties of InAs/InP quantum rod-nanowires
- Author
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H. Khmissi, K. Naji, Catherine Bru-Chevallier, Michel Gendry, Jean-Baptiste Barakat, Gilles Patriarche, Nicolas Chauvin, Roman Anufriev, Xavier Letartre, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir], Faculté des Sciences de Monastir (FSM), Université de Monastir - University of Monastir (UM)-Université de Monastir - University of Monastir (UM), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Gendry, Michel, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
- Subjects
Materials science ,Photoluminescence ,Silicon ,Linear polarization ,business.industry ,[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ,Nanowire ,chemistry.chemical_element ,02 engineering and technology ,021001 nanoscience & nanotechnology ,Polarization (waves) ,01 natural sciences ,Piezoelectricity ,chemistry ,0103 physical sciences ,Optoelectronics ,[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ,010306 general physics ,0210 nano-technology ,business ,Molecular beam epitaxy ,Wurtzite crystal structure - Abstract
International audience; Purely wurtzite InAs/InP quantum rod nanowires (QRod-NWs) emitting at 1.55 µm have been successfully grown on silicon substrates by VLS assisted molecular beam epitaxy. Microphotoluminescence studies of single QRod-NWs reveal a highly linearly polarized emission parallel to the nanowires axis. This very high degree of linear polarization (> 0.9) can be explained by the photonic nature of the NW structure. Moreover, these QRod-NWs reveal a broad peak with an asymmetric lineshape at 10K. From experimental and theoretical studies, we conclude that this feature is a consequence of a piezoelectric field induced by the strained InAs QRod.
- Published
- 2014