1. Reliability of ultrathin buried oxides for multi-VT FDSOI technology
- Author
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Besnard, G., Garros, X., Nguyen, P., Andrieu, F., Reynaud, Pascal, Van Den Daele, W., Bourdelle, K.K., Schwarzenbach, W., Reimbold, G., Cristoloveanu, S., Silicon-on-Insulator Technologies (SOITEC), Parc Technologique des Fontaines, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire de santé des végétaux (LSV Angers), Laboratoire de la santé des végétaux (LSV), Agence nationale de sécurité sanitaire de l'alimentation, de l'environnement et du travail (ANSES)-Agence nationale de sécurité sanitaire de l'alimentation, de l'environnement et du travail (ANSES), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ISEP, Laboratoire de la Santé des Végétaux, and Agence nationale de sécurité sanitaire de l'alimentation, de l'environnement et du travail (ANSES)
- Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics - Abstract
Section 3: SOI MOSFETs - Devices and Technology; International audience
- Published
- 2013