Search

Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı., In this study, copper phthalocyanine (CuPc) was coated on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was fabricated by evaporating aluminum metal on the organic thin film in vacuum atmosphere. The current-voltage (I-V) measurement was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under illumination. By using I-V measurements, it has been seen that diode structure shows rectifying property. It has been used a light source of 100 mW/cm2 intencity and found that the diode has photodiode properties. Furthermore, the electrical parameters (ideality factor (n), barier height ( Φb) and series resistance (Rs) ) of the Al/CuPc/p-InP Schottky diode were calculated by different methods.

In this study, The diode characteristics of the thin film of metal-oxide (CuO) was investigated. Spin coating method was used to grow CuO nano-structured thin films interfaced between the metal and semiconductor and an diode structure of Al / CuO / p-Si / Al was produced. Ideality factor (n) and barrier height (ΦB0) were calculated from conventional (I-V) characteristics of Al /CuO/p-Si /Al diode structure and series resistance values (Rs) were calculated by using Norde functions. Scanning electron microscope (SEM) images of that films were obtained. Furtheremore, the optical properties of CuO films were analyzed with UV-VIS spectroscopy, and then the optical energy band gap was determined as 2.08 eV. The calculations suggest that the produced diode was a rectifier diode with photodiodes feature., Bu çalışmada, Metal-yarıiletken arasına yerleştirilen ince metal-oksit (CuO) filmin diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. Metal yarıiletken arasına yerleştirilen CuO nano yapılı ince filmleri büyütmek için spin coating metodu kullanıldı ve bir Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısı üretildi. Üretilen Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısının geleneksel (I-V) karakteristiklerinden, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB0) ve Norde fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Elde edilen filmlerin, taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri alındı. Ayrıca CuO filmlerin optiksel özellikleri UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve buradan optiksel enerji bant aralığının 2.08 eV olduğu belirlendi. Hesaplamalara göre, üretilen diyotun doğrultucu diyot olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği görüldü.

Bu çalışmada konjugasyonu artırılmış 5 adet diester sentezlendi. Konjigasyonu artırmak için diasit klorurleriyle fenolik yapılar etkileştirildi. Bu esterlerin yapıları UV-Vis, FT-IR, 1H NMR ve 13C NMR spektroskopisi ile aydınlatıldı. Daha sonra iletkenlik ölçümleri yapıldı. Herbir diester için metal-diester-yarıiletken yapılar oluşturuldu. Akım–gerilim (I-V) grafikleri çizildi. Diyot özelliğine sahip oldukları belirlendi., In this study five diester compounds have been synthesied which were improved their conjugations. In order to improve conjugation of diacid chlorides were reacted with phenolic structures. The structures of these esters were identified by UV-Vis, FT-IR, 1H NMR and 13C NMR spectroscopies. Then metal-diester-semiconductor structures were formed for each diester I-V ghraphics were plotted. They have showed diode properties from these graphics.