1. Optical Pumping and Transverse Magnetic Field Effect for Excitation above the Band Edge in p-Type Semiconductors
- Author
-
G. Fishman and C. Hermann
- Subjects
Hanle effect ,Optical pumping ,Thermalisation ,Condensed matter physics ,Chemistry ,Band gap ,Excited state ,Electron ,Condensed Matter Physics ,Excitation ,Circular polarization ,Electronic, Optical and Magnetic Materials - Abstract
The polarization of the luminescence light shows the importance of the thermalization time for electrons, excited in the conduction band by circularly polarized light of energy larger than the band gap. The influence of the thermalization time on the oscillations of the light polarization as a function of the excitation energy is discussed and applied to GaSb and GaAs. Besides, the effect of a transverse magnetic field (”Hanle effect„) in a three level atomic system is extended to a semiconductor. This allows to explain the Hanle effect that had not yet been interpreted for such an energy of excitation in a semiconductor. A new form of Hanle line is predicted and the experimental conditions to observe it are specified. La polarisation de la lumiere de luminescence montre l'importance du temps de thermalisation des electrons, cree s dans la bande de conduction par une lumidre polarisee circulaire d'energie superieure a celle de la bande interdite. L'influence du temps de thermalisation sur les oscillations de la polarisation de la lumiere en fonction de l'energie d'excitation est discutee et appliquee au GaSb et ail GaAs. De plus, l'effet d'un champ magnetique transverse („effet Hanle) dans un systeme atomique a trois niveaux est etendu iL un semiconducteur. Ceci nous permet d'expliquer l'effet Hanle, qui n'avait pas encore ete interprete pour une excitation de cette energie dans un semiconducteur. Nous prevoyons une nouvelle forme pour la raie correspondant a l'effet Hanle et precisons les conditions experimentales necessaires pour I'observer.
- Published
- 1974