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This paper reports the successful deposition of Cu3SnS4 thin films using a spray pyrolysis technique. These films were deposited on glass substrates using a solution containing CuCl2 · 2H2O, SnCl2 · 2H2O and SC(NH2)2 as precursors with appropriate chemical compositions of elements ([Sn] = 10–2 M and [Cu]/[Sn] = 2 × 2.2) at a substrate temperature of 360 °C. X-ray diffraction analysis show that unannealed and annealed Cu3SnS4 thin films under sulphur atmosphere crystallise in the tetragonal structure and the crystallites exhibit preferential (112) orientation of the grains. Optical measurements show that Cu3SnS4 sprayed thin film annealed at 500 °C has a direct band gap of about 1.22 eV. (© 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Une méthode d'obtention de couches minces photoconductrices de MoSe2a été mise au point. Ces couches sont obtenues à partir d'une structure multicouches Mo/Se/Mo/Se...Mo/Se déposée sur une fine couche de Ni. À l'issue d'un traitement thermique on a montré que des couches minces stœchiométriques, texturées et photoconductrices sont obtenues.