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In this Thesis we developed new ideas to address two central questions in the field of spintronics and magnonics. Namely, how does one extend the lifetime of spin waves and how does one coherently inject spin waves using direct currents (DC)? Most of the proposals we developed use analogies between high-energy and condensed matter physics. For instance, antiparticlelike negative energy states can exist in driven magnetic systems. We showed that these negative energy modes can be used to enhance spin waves of an interface and coherently inject spin waves using DC currents. Besides this, this thesis also contains a chapter on non-linear magnetization dynamics of coupled macrospins and two chapters on the interplay between exchange- and magnetostatic interactions.

In this Thesis, we study the observable consequences of topological magnetic excitations and how they can be used for applications on the long term. Since direct detection is not feasible, we study a series of alternative approaches to access the effects of topology in magnetic systems, with a focus on the effect of topology on the transport properties of spin wave systems. We first study the topological effects rooted in the dipole-dipole interaction – an interaction which is present in any magnon systems. We study the propagation of spin waves in obliquely magnetized thin films, where the dipole-dipole interaction breaks the inversion symmetry. We show that a single spin wave excited by a microwave antenna will induce a transverse spin current, which can be detected by a normal metal lead. Next, we study how the magnon Hall effect can be detected through electrical injection and detection. We show that the Hall coefficient, when taking dipole-dipole interactions into account, can be measured. We then turn to topological magnon phases, which have topologically protected edge states, addressing a major problem in the field of magnon topology: the high frequencies of the chiral edge modes in magnon Chern insulators. We propose a strategy to lower these chiral edge states to zero frequency, by considering a non-equilibrium setup. We show that the spin waves can be excited in the GHz-range, making them directly experimentally detectable. We finally consider non-Hermitian topological magnon phases. In a non-Hermitian extension of a one-dimensional topological magnon insulator we show the edge excitations to be robust against non-linearities and stochastics fluctuations. Within a non-Hermitian extension of the magnon Chern insulator we show that the chiral edge states can be topologically amplified or damped. This model also exhibits a novel non-Hermitian hybrid skin effect, where the edge modes are localized on specific sides of the lattice, and we propose an experiment

Gli isolanti topologici sono materiali che recentemente stanno attirando molta attenzione da parte della comunità scientifica, sono caratterizzati da un bulk isolante e da delle superfici sulle quali invece sono presenti degli stati topologici 2D. Sono caratterizzati da una struttura a bande a cono di Dirac, garantendo quindi una elevata mobilità dei portatori e la presenza di una polarizzazione di spin in funzione del momento elettronico. Tale associazione fra spin e momento dei portatori si traduce nel fatto che dipendentemente dalla direzione della corrente imposta nel materiale si crea una polarizzazione superficiale. Essendo tale fenomeno invertibile (imponendo una polarizzazione superficiale si genera una corrente nel materiale) tali materiali possono essere usati come convertitori carica-spin e viceversa, garantendo in entrambi i casi un basso consumo di energia e una elevata velocità. Per questi motivi gli isolanti topologici risultano degli ottimi candidati per rendere più efficienti alcuni dispositivi presenti nell’elettronica tradizionale fra cui le memorie e le logiche. Al momento gli isolanti topologici sono cresciuti principalmente tramite MBE e tale tecnica di crescita non è compatibile con gli standard industriali, per via degli elevati costi che sarebbero necessari per supportare una produzione di massa. Risulta quindi importante ottimizzare dei processi di crescita meno costosi e compatibili con il mondo dell’industria per favorire il trasferimento di tale tecnologia nel campo della microelettronica tradizionale, come ad esempio i processi basati sulla metal-organic chemical vapor depositioin (MOCVD). In questa tesi vengono caratterizzati film sottili di Sb2Te3, Bi2Te3 e di un bilayer composto da Sb2Te3/Bi2Te3 cresciuti tramite MOCVD su wafer intrinseci di Si(111) larghi 4 ‘’. L'obiettivo è stato quello di convalidare il comportamento topologico di questi materiali cresciuti tramite MOCVD con particolare attenzione alla verifica delle loro pr, Chalcogenide thin films, such as Bi2Te3 and Sb2Te3 have been under the scientific community’s attention since long, due to their application as thermoelectric material. Recently, they are gaining additional interest because of their potential use as Topological Insulators (TIs). TIs are materials that combine the existence of insulating bulk with the presence of surfaces hosting Topological Surface States (TSS). TSS are characterized by a Dirac-like band structure with intrinsic momentum-dependent spin polarization and extremely high mobility. These features translate into the possibility of controlling the magnetization of an adjacent magnetic media by applying an electric field across the TI (charge-to-spin conversion) or vice versa (spin-to-charge conversion), in both cases with very low electrical dissipation and limited operation time. Because of these astonishing electrical properties, they have been proposed as potential materials to boost the integration of spintronic devices into ordinary electronics. However, the main currently used technique to grow TIs is Molecular Beam Epitaxy, which is not suitable to guarantee the TIs’ mass production, mainly due to the high cost to be faced when targeting wafers-scaled growth. Achieving the growth of TIs through methods allowing an easier technology transfer is therefore demanding. Among them, chemical methods are thought to be a good solution to achieve conformal TIs’ growth on large-area substrates, at a limited cost. In this thesis, I used metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to optimize the growth of p-type Sb2Te3, n-type Bi2Te3, and combined Sb2Te3/Bi2Te3 bilayer, on top of Si(111) intrinsic substrate. The main focus has been to validate the topological behavior of such large-area TIs by a thorough study of their (magneto) electrical and electronic properties. In all cases, the clear existence of TSS has been demonstrated by analyzing the observed weak-antilocalization (WAL) effect and by imaging the

As it becomes more and more difficult to miniaturize electronic circuits, the information industry is faced with an existential crisis: soon, it will no longer be possible to significantly expand the computational power of tried-and-trusted electronic technology. It should come as no surprise that both science and industry are frantically searching for a way to avert this impending catastrophe, and are even willing to entertain the notion of abandoning conventional electronics altogether if a more future-proof alternative can be found. One field of research that has this potential is spintronics: the use of intrinsic angular momentum---better known as spin---of electrons to store information. One of the key promises of spintronics is the ability to transport digital information without the need to shuttle around electrons, thereby avoiding the adverse phenomenon of Joule heating. To this end, one may simply perturb the magnetic order of a magnetic material. Doing so generates a spin wave or magnon, in which spin is passed between neighboring electrons while their position remains unchanged. In the subfield of magnonics---the study of magnons---the use of electrically insulating magnetic materials is currently being studied extensively by both experimentalists and theoreticians. In this thesis, I study the theoretical properties of magnons in three different systems involving a magnetic insulator and a heavy metal. In Chapter 4, I investigate whether ferromagnetic magnons can contribute to a phenomenon known as unidirectional spin-Hall magnetoresistance (USMR): a change in magnetoresistence of spintronic systems that occurs when the direction of an electric current is reversed. I predict that such an effect can indeed exist, but will most likely be very small. In Chapter 5, I focus on ballistic transport of magnons in one-dimensional ferromagnetic insulator (FI) chains exhibiting strong aniotropy. The anisotropy causes the magnons to become elliptically polarized, wh

open, In the field of semiconductors, the study of spin-dependent properties provides fundamental information needed for the realization of devices that merge spin, photonic and electronic functionalities. In these devices the information is encoded in the spin degree of freedom (DOF), exploiting the interaction between the angular momentum of the photon and the carrier spin via the spin-orbit coupling (SOC). I focused on the study of SOC in Si, Ge, Sn and their alloys using optical spectroscopy. These materials possess promising properties for spintronics applications such as long spin lifetime, diffusion length and decoherence time. Notably, the advanced manufacture also opens the way to bandgap and strain engineering as further DOF to tune spin-dependent phenomena, whereas the application of optical spectroscopy allows to overcome typical problems of electrical measurements, e.g., the quality of contacts, that hamper the estimation of carrier kinetics parameters Quantum well (QW) systems are valid platforms to merge all the aforementioned DOF and to also introduce a way to manipulate the spin via electric fields. Indeed, in QW systems that possess bulk or structure inversion asymmetry (BIA/SIA), the spin degeneracy is removed due to the Dresselhaus or Rashba fields. As effective magnetic fields, they can act on the spin of a carrier, ultimately changing its orientation. SIA can arise from an asymmetric doping of the device. In this case, the device also possesses an intrinsic electric field, which can be of practical use for applications. Indeed, an external field can be applied to tune the Rashba field, achieving spin manipulation. This opportunity has a strong impact in spintronics devices, such as the spin-FET, where the gate voltage selects the orientation of the spin and switch between on/off states I carried out photoluminescence (PL) investigations on a stack of 50 Ge/Si0.15Ge0.85 QWs grown within the intrinsic region of a p-i-n diode. The asymmetric doping intr, Nel campo dei semiconduttori, lo studio delle proprietà spin dipendenti forniscono informazioni fondamentali per la realizzazione di dispositivi che uniscano spin, fotonica ed elettronica. In questi dispositivi l’informazione è codificata nel grado di libertà (DOF) dello spin, sfruttando l’accoppiamento spin-orbita (SOC) tra il momento angolare del fotone e lo spin del portatore. Ho concentrato la mia ricerca sullo studio del SOC con spettroscopia ottica in Si, Ge, Sn e loro leghe. Questi materiali possiedono proprietà promettenti per applicazioni di spintronica, tra cui lunghi tempi di vita e lunghezze di diffusione dello spin. I processi di fabbricazione aprono la strada all’ingegnerizzazione del bandgap e dello strain come DOF addizionali per sintonizzare i fenomeni spin-dipendenti. La spettroscopia ottica permette di superare i problemi delle misure elettriche, come la qualità dei contatti, che impediscono una stima corretta dei parametri cinetici. I pozzi quantici (QW), sono valide piattaforme per unire i DOF sopracitati e permettere la manipolazione dello spin con campi elettrici. Nei sistemi a QW che mancano della simmetria di inversione di punto o di quella strutturale (BIA/SIA), la degenerazione di spin è rimossa dai campi Dresselhaus o Rashba. In quanto campi magnetici, possono agire agiscono sullo spin cambiandone l’orientazione. La SIA può sorgere da un drogaggio asimmetrico. In questo caso, il dispositivo possiede anche un campo elettrico che può essere sfruttato. Infatti, con un campo elettrico esterno si può modulare il campo Rashba, manipolando lo spin. Questa possibilità è significativa per la spintronica, si pensi allo spin-FET, dove la tensione di gate seleziona l’orientazione dello spin e quindi lo stato on/off. Ho eseguito misure di fotoluminescenza (PL) su campioni costituiti da uno stack di 50 QW di Ge/Si0.15Ge0.85 cresciuto nella zona intrinseca di un diodo p-i-n. Il drogaggio asimmetrico introduce la SIA, permettendo di manipolare elettricam, 1, open, Rossi, S

Nel campo dei semiconduttori, lo studio delle proprietà spin dipendenti forniscono informazioni fondamentali per la realizzazione di dispositivi che uniscano spin, fotonica ed elettronica. In questi dispositivi l’informazione è codificata nel grado di libertà (DOF) dello spin, sfruttando l’accoppiamento spin-orbita (SOC) tra il momento angolare del fotone e lo spin del portatore. Ho concentrato la mia ricerca sullo studio del SOC con spettroscopia ottica in Si, Ge, Sn e loro leghe. Questi materiali possiedono proprietà promettenti per applicazioni di spintronica, tra cui lunghi tempi di vita e lunghezze di diffusione dello spin. I processi di fabbricazione aprono la strada all’ingegnerizzazione del bandgap e dello strain come DOF addizionali per sintonizzare i fenomeni spin-dipendenti. La spettroscopia ottica permette di superare i problemi delle misure elettriche, come la qualità dei contatti, che impediscono una stima corretta dei parametri cinetici. I pozzi quantici (QW), sono valide piattaforme per unire i DOF sopracitati e permettere la manipolazione dello spin con campi elettrici. Nei sistemi a QW che mancano della simmetria di inversione di punto o di quella strutturale (BIA/SIA), la degenerazione di spin è rimossa dai campi Dresselhaus o Rashba. In quanto campi magnetici, possono agire agiscono sullo spin cambiandone l’orientazione. La SIA può sorgere da un drogaggio asimmetrico. In questo caso, il dispositivo possiede anche un campo elettrico che può essere sfruttato. Infatti, con un campo elettrico esterno si può modulare il campo Rashba, manipolando lo spin. Questa possibilità è significativa per la spintronica, si pensi allo spin-FET, dove la tensione di gate seleziona l’orientazione dello spin e quindi lo stato on/off. Ho eseguito misure di fotoluminescenza (PL) su campioni costituiti da uno stack di 50 QW di Ge/Si0.15Ge0.85 cresciuto nella zona intrinseca di un diodo p-i-n. Il drogaggio asimmetrico introduce la SIA, permettendo di manipolare, In the field of semiconductors, the study of spin-dependent properties provides fundamental information needed for the realization of devices that merge spin, photonic and electronic functionalities. In these devices the information is encoded in the spin degree of freedom (DOF), exploiting the interaction between the angular momentum of the photon and the carrier spin via the spin-orbit coupling (SOC). I focused on the study of SOC in Si, Ge, Sn and their alloys using optical spectroscopy. These materials possess promising properties for spintronics applications such as long spin lifetime, diffusion length and decoherence time. Notably, the advanced manufacture also opens the way to bandgap and strain engineering as further DOF to tune spin-dependent phenomena, whereas the application of optical spectroscopy allows to overcome typical problems of electrical measurements, e.g., the quality of contacts, that hamper the estimation of carrier kinetics parameters Quantum well (QW) systems are valid platforms to merge all the aforementioned DOF and to also introduce a way to manipulate the spin via electric fields. Indeed, in QW systems that possess bulk or structure inversion asymmetry (BIA/SIA), the spin degeneracy is removed due to the Dresselhaus or Rashba fields. As effective magnetic fields, they can act on the spin of a carrier, ultimately changing its orientation. SIA can arise from an asymmetric doping of the device. In this case, the device also possesses an intrinsic electric field, which can be of practical use for applications. Indeed, an external field can be applied to tune the Rashba field, achieving spin manipulation. This opportunity has a strong impact in spintronics devices, such as the spin-FET, where the gate voltage selects the orientation of the spin and switch between on/off states I carried out photoluminescence (PL) investigations on a stack of 50 Ge/Si0.15Ge0.85 QWs grown within the intrinsic region of a p-i-n diode. The asymmetric doping intr

MANTOVAN, ROBERTO, open, Spin-based electronic devices constitute an intriguing area in the development of the future nanoelectronics. Recently, 3D topological insulators (TI), when in contact with ferromagnets (FM), play a central role in the context of enhancing the spin-to-charge conversion efficiency in FM/TI heterostructures. The main subject of this thesis is the study of the chemical-physical interactions between the granular and epitaxial Sb2Te3 3D-TI with Fe and Co thin films by means of X-ray Diffraction/Reflectivity, Ferromagnetic Resonance spectroscopy (FMR) and Spin Pumping-FMR. Beside the optimization of the materials properties, particular care was taken on the industrial impact of the presented results, thus large-scale deposition processes such as Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and Atomic Layer Deposition (ALD) were adopted for the growth of the Sb2Te3 3D-TI and part of the FM thin films respectively. A thorough chemical, structural and magnetic characterization of the Fe/granular Sb2Te3 interface evidenced a marked intermixing between the materials and a general bonding mechanism between Fe atoms and the chalcogen element in chalcogenide-based TIs. Through rapid and mild thermal treatments performed on the granular Sb2Te3 substrate prior to Fe deposition, the Fe/granular-Sb2Te3 interface turned out to be sharper and chemically stable. The study of ALD-grown Co thin films deposited on top of the granular-Sb2Te3 allowed the production of high-quality Co/granular-Sb2Te3interfaces, with also the possibility to tune the magneto-structural properties of the Co layer through a proper substrate selection. In order to improve the structural properties of the Sb2Te3, specific thermal treatments were performed on the as deposited granular Sb2Te3, achieving highly oriented films with a nearly epitaxial fashion. The latter substrates were used to produce Au/Co/epitaxial-Sb2Te3 and Au/Co/Au/epitaxial-Sb2Te3 and the dynamic of the magnetization in these structures was in, I dispositivi elettronici che sfruttano proprietà legate allo spin elettronico costituiscono un settore molto promettente per lo sviluppo della nanoelettronica del futuro. Recentemente, gli isolanti topologici tridimensionali (IT-3D), quando posti a contatto con materiali ferromagnetici (FM), giocano un ruolo centrale nel contesto del miglioramento dell’efficienza di conversione tra spin e carica elettronici in eterostrutture di tipo FM/TI. L’oggetto principale di questa tesi è lo studio delle interazioni chimico-fisiche tra l’IT-3D Sb2Te3, nelle sue forme granulare ed epitassiale, con film di Fe e Co attraverso l’uso di tecniche di Diffrazione/Riflettività di raggi-X, spettroscopia di risonanza ferromagnetica (FMR) e pompaggio di spin in risonanza ferromagnetica (SP-FMR). In concomitanza con l’ottimizzazione delle proprietà dei materiali, un particolare interesse è stato rivolto verso l’impatto industriale della ricerca presentata. Per questo motivo, per la produzione di Sb2Te3 e di alcuni dei FM impiegati, sono state impiegate tecniche di deposizione di materiali su larga scala ( 4 pollici), quali la Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) e l’Atomic Layer Deposition (ALD) rispettivamente. Una approfondita caratterizzazione chimica, strutturale e magnetica dell’interfaccia Fe/ Sb2Te3-granulare ha evidenziato un marcato intermixing tra i materiali e una generale tendenza degli atomi di Fe nel legare con l’elemento calcogenuro quando presente in un IT. Attraverso trattamenti termici rapidi e a bassa temperatura sottoposti sui film di Sb2Te3 granulare prima della crescita del Fe, l’interfaccia Fe/Sb2Te3-granulare è risultata morfologicamente più netta e chimicamente stabile. Lo studio di film sottili di Co cresciuti attraverso ALD su Sb2Te3 granulare ha permesso la produzione di interfacce Co/Sb2Te3-granulare di alta qualità, con la possibilità inoltre di modificare le proprietà magneto-strutturali dei film di Co attraverso una selezione appropriata di substr, 0, open, Longo, E

I dispositivi elettronici che sfruttano proprietà legate allo spin elettronico costituiscono un settore molto promettente per lo sviluppo della nanoelettronica del futuro. Recentemente, gli isolanti topologici tridimensionali (IT-3D), quando posti a contatto con materiali ferromagnetici (FM), giocano un ruolo centrale nel contesto del miglioramento dell’efficienza di conversione tra spin e carica elettronici in eterostrutture di tipo FM/TI. L’oggetto principale di questa tesi è lo studio delle interazioni chimico-fisiche tra l’IT-3D Sb2Te3, nelle sue forme granulare ed epitassiale, con film di Fe e Co attraverso l’uso di tecniche di Diffrazione/Riflettività di raggi-X, spettroscopia di risonanza ferromagnetica (FMR) e pompaggio di spin in risonanza ferromagnetica (SP-FMR). In concomitanza con l’ottimizzazione delle proprietà dei materiali, un particolare interesse è stato rivolto verso l’impatto industriale della ricerca presentata. Per questo motivo, per la produzione di Sb2Te3 e di alcuni dei FM impiegati, sono state impiegate tecniche di deposizione di materiali su larga scala ( 4 pollici), quali la Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) e l’Atomic Layer Deposition (ALD) rispettivamente. Una approfondita caratterizzazione chimica, strutturale e magnetica dell’interfaccia Fe/ Sb2Te3-granulare ha evidenziato un marcato intermixing tra i materiali e una generale tendenza degli atomi di Fe nel legare con l’elemento calcogenuro quando presente in un IT. Attraverso trattamenti termici rapidi e a bassa temperatura sottoposti sui film di Sb2Te3 granulare prima della crescita del Fe, l’interfaccia Fe/Sb2Te3-granulare è risultata morfologicamente più netta e chimicamente stabile. Lo studio di film sottili di Co cresciuti attraverso ALD su Sb2Te3 granulare ha permesso la produzione di interfacce Co/Sb2Te3-granulare di alta qualità, con la possibilità inoltre di modificare le proprietà magneto-strutturali dei film di Co attraverso una selezione appropriata, Spin-based electronic devices constitute an intriguing area in the development of the future nanoelectronics. Recently, 3D topological insulators (TI), when in contact with ferromagnets (FM), play a central role in the context of enhancing the spin-to-charge conversion efficiency in FM/TI heterostructures. The main subject of this thesis is the study of the chemical-physical interactions between the granular and epitaxial Sb2Te3 3D-TI with Fe and Co thin films by means of X-ray Diffraction/Reflectivity, Ferromagnetic Resonance spectroscopy (FMR) and Spin Pumping-FMR. Beside the optimization of the materials properties, particular care was taken on the industrial impact of the presented results, thus large-scale deposition processes such as Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and Atomic Layer Deposition (ALD) were adopted for the growth of the Sb2Te3 3D-TI and part of the FM thin films respectively. A thorough chemical, structural and magnetic characterization of the Fe/granular Sb2Te3 interface evidenced a marked intermixing between the materials and a general bonding mechanism between Fe atoms and the chalcogen element in chalcogenide-based TIs. Through rapid and mild thermal treatments performed on the granular Sb2Te3 substrate prior to Fe deposition, the Fe/granular-Sb2Te3 interface turned out to be sharper and chemically stable. The study of ALD-grown Co thin films deposited on top of the granular-Sb2Te3 allowed the production of high-quality Co/granular-Sb2Te3interfaces, with also the possibility to tune the magneto-structural properties of the Co layer through a proper substrate selection. In order to improve the structural properties of the Sb2Te3, specific thermal treatments were performed on the as deposited granular Sb2Te3, achieving highly oriented films with a nearly epitaxial fashion. The latter substrates were used to produce Au/Co/epitaxial-Sb2Te3 and Au/Co/Au/epitaxial-Sb2Te3 and the dynamic of the magnetization in these structures was in

In this work, GaSb thin films were prepared by DC magnetron sputtering method using Soda Lime-type glass and ITO (Indium tin oxide), as substrates. Annealing processes were carried out under high vacuum conditions to avoid the incorporation of oxygen (O) atoms present in the atmosphere. From X-ray diffraction (XRD) measurements it was possible to establish a Zinc-blende type structure and InO phases associated to the ITO substrate. The annealing processes showed a significant improvement in the crystallinity of the material being less amorphous when the annealing temperature (Tr) was 673 K. A value of the gap energy ranging from 0.75 to 0.85 eV was obtained in samples of GaSb when the Tr changed between 300 K and 673 K, respectively. Scanning Electron Microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) measurements provided information on the surface morphology of the material., Resumo Neste trabalho, os filmes finos de GaSb foram preparados pelo método de pulverização catódica assistido por campo magnético em substratos de vidro e ITO (óxido de estanho de índio). Após os processos de recozimento foram realizados em condições de alto vácuo que evitam a incorporação de átomos de oxigênio (O) presentes na atmosfera. A partir de medições de difração de raios X (XRD), foi possível estabelecer uma estrutura semelhante ao Zenz Blende e as fases InO associadas ao substrato ITO. Os processos de recozimento mostraram uma melhoria significativa na cristalinidade do material sendo menos amorfa quando a temperatura de recozimento (Tr) foi de 673 K. Foi obtido um valor do intervalo de energia proibido variando de 0,75 a 0,85 eV em amostras de GaSb quando o Tr mudou entre 300 K e 673 K, respectivamente. As medições de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e microscopia de força atômica (AFM) forneceram informações sobre a morfologia da superfície do material., Resumen En este trabajo se fabricaron películas delgadas nanoestructuradas de GaSb por el método de pulverización catódica asistidas por campo magnético sobre sustratos de vidrio e ITO. Se realizaron procesos de recocido posterior a la preparación y bajo condiciones de alto vacío que evitaran la incorporación de átomos de oxígeno presentes en la atmósfera. A partir de medidas de difracción de rayos X se pudo establecer una estructura tipo blenda de Zinc y fases de InO asociadas al sustrato ITO. Los procesos de recocido permitieron evidenciar una mejora significativa en la cristalinidad del material siendo éste menos amorfo cuando la temperatura de recocido (Tr) fue de 673 K. Un valor de la brecha de energía prohibida variando entre 0.75 y 0.85 eV fue obtenido en muestras de GaSb cuando la Tr cambió entre 300 K y 673 K, respectivamente. Medidas de microscopia electrónica de barrido y fuerza atómica permitieron obtener información de la morfología en la superficie del material.

In this work, GaSb thin films were prepared by DC magnetron sputtering method using Soda Lime-type glass and ITO (Indium tin oxide), as substrates. Annealing processes were carried out under high vacuum conditions to avoid the incorporation of oxygen (O) atoms present in the atmosphere. From X-ray diffraction (XRD) measurements it was possible to establish a Zinc-blende type structure and InO phases associated to the ITO substrate. The annealing processes showed a significant improvement in the crystallinity of the material being less amorphous when the annealing temperature (Tr) was 673 K. A value of the gap energy ranging from 0.75 to 0.85 eV was obtained in samples of GaSb when the Tr changed between 300 K and 673 K, respectively. Scanning Electron Microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) measurements provided information on the surface morphology of the material., Resumo Neste trabalho, os filmes finos de GaSb foram preparados pelo método de pulverização catódica assistido por campo magnético em substratos de vidro e ITO (óxido de estanho de índio). Após os processos de recozimento foram realizados em condições de alto vácuo que evitam a incorporação de átomos de oxigênio (O) presentes na atmosfera. A partir de medições de difração de raios X (XRD), foi possível estabelecer uma estrutura semelhante ao Zenz Blende e as fases InO associadas ao substrato ITO. Os processos de recozimento mostraram uma melhoria significativa na cristalinidade do material sendo menos amorfa quando a temperatura de recozimento (Tr) foi de 673 K. Foi obtido um valor do intervalo de energia proibido variando de 0,75 a 0,85 eV em amostras de GaSb quando o Tr mudou entre 300 K e 673 K, respectivamente. As medições de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e microscopia de força atômica (AFM) forneceram informações sobre a morfologia da superfície do material., Resumen En este trabajo se fabricaron películas delgadas nanoestructuradas de GaSb por el método de pulverización catódica asistidas por campo magnético sobre sustratos de vidrio e ITO. Se realizaron procesos de recocido posterior a la preparación y bajo condiciones de alto vacío que evitaran la incorporación de átomos de oxígeno presentes en la atmósfera. A partir de medidas de difracción de rayos X se pudo establecer una estructura tipo blenda de Zinc y fases de InO asociadas al sustrato ITO. Los procesos de recocido permitieron evidenciar una mejora significativa en la cristalinidad del material siendo éste menos amorfo cuando la temperatura de recocido (Tr) fue de 673 K. Un valor de la brecha de energía prohibida variando entre 0.75 y 0.85 eV fue obtenido en muestras de GaSb cuando la Tr cambió entre 300 K y 673 K, respectivamente. Medidas de microscopia electrónica de barrido y fuerza atómica permitieron obtener información de la morfología en la superficie del material.