1. Integrated lasers on silicon for optical communications
- Author
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Manel Ramirez, Joan, Souleiman, Amin, Fanneau, Pierre, Besancon, Claire, Vaissiere, Nicolas, Neel, Delphine, Ramez, Valentin, Malhouitre, Stéphane, Hassan, Karim, Merghem, Kamel, Decobert, Jean, Bitauld, David, Nokia Bell Labs [Paris-Saclay], Institut Polytechnique de Paris (IP Paris), Département Electronique et Physique (TSP - EPH), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom SudParis (TSP), Traitement de l'Information Pour Images et Communications (TIPIC-SAMOVAR), Services répartis, Architectures, MOdélisation, Validation, Administration des Réseaux (SAMOVAR), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom SudParis (TSP)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom SudParis (TSP), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES [France]-ALCATEL, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Alcatel-Thales III-V Lab (III-V Lab ), and THALES [France]
- Subjects
[PHYS]Physics [physics] ,Silicon ,Optical communications ,Lasers - Abstract
We review our work on integrated lasers for optical communications. An InP-based multilayer stack containing Al-based quantum wells with optical gain in the telecom window is bonded onto a silicon-on-insulator wafer with patterned photonic circuits and cavities. Ring-based widely tunable lasers and narrow linewidth DFB lasers are demonstrated.
- Published
- 2023