Search

The energy of surface states has been define, which causes by the polarization charges on the interfaces, by numerical methods. It has been found conditions of their existence. Especially, it has been show that for heterosystems with large difference between dielectric permittivities the according surface states exist in the large nanocrystal size range. It has been obtain, that the nanocrystal size increase, every energy level, which splits from the continues spectrum, in the quantum well can become the surface state in the polarization quantum well. It has been define, which states become the surface states. The obtained results have been compared with those ones for different nanocrystals., Численными методами определены энергию поверхностных состояний, обусловленных поляризационными зарядами, которые возникают на гетерограницах. Найдены условия их существования. В частности показано, что для гетеросистем с большей разницей диэлектрических проницаемостей, соответствующие поверхностные состояния существуют в большей области изменения размеров нанокристалла. Показано, что с увеличением размеров нанокристалла каждый дискретный энергетический уровень отщепляется от непрерывного спектра и в подбарьерной области может становиться поверхностным электронным уровнем в поляризационной яме. Определено, какие именно состояния становятся поверхностными, и для каких размеров нанокристалла. Проведено сравнение полученных результатов для различных нанокристаллов., Чисельними методами визначено енергію електронних поверхневих станів, що зумовлені поляризаційними зарядами, які виникають на гетеромежах. Знайдено умови їх існування. Зокрема показано, що для гетеросистем з більшою різницею діелектричних проникностей, відповідні поверхневі стани існують у більшій області зміни розмірів нанокристала. Показано, що зі збільшенням розмірів нанокристала кожен дискретний енергетичний рівень, що відщеплюється від неперервного спектру в підбар’єрній області може ставати поверхневим електронним рівнем в поляризаційній ямі. Визначено, які саме стани стають поверхневими і для яких розмірів нанокристала. Проведено порівняння отриманих результатів для різних нанокристалів.

Представлені теоретичні результати дослідження у кінетичному режимі формування квантових точок InAs в системі InAs/GaAs. Теорія може бути використана на кінетичній стадії, коли ансамбль квантових точок є невзамодіючим. Проведені оціночні розрахунки характеристик кінетики формування КТ InAs в матриці GaAs, та їх структурних властивостей для CVD – методу. Розраховані результати можуть бути використані для аналізу та оптимізації технології гетеронаноструктур In1 – xGaxAs/InAs/GaAs для CVD – методу. Крім того вони корисні для моделювання структурних властивостей КТ InAs в системі InAs/GaAs. Представлены теоретические результаты исследования при кинетическом режиме формирования квантовых точек InAs в системе InAs/GaAs. Теория может быть использована на кинетической стадии, когда ансамбль квантовых точек является невзаимодействующим. Проведенные оценочные расчеты характеристик кинетики формирования КТ InAs в матрице GaAs, и их структурных свойств для CVDметода. Рассчитаные результаты могут быть использованы для анализа технологии гетеронаноструктур In1 – xGaxAs/InAs/GaAs для CVD-метода. Кроме того, они полезны для моделирования структурных свойств КТ InAs в системе InAs/GaAs. We present the results of theoretical study for the kinetic mode of quantum dot formation in the InAs / GaAs system. The theory is valid at the kinetic stage of quantum dot formation, when the island ensemble remains dilute and thus noninteracting. The estimating characteristics of the kinetics formation of InAs quantum dot in the matrix GaAs, and their structural properties at CVD-method. The calculated results can be used to analyze technology heteronanostructures In1 – xGaxAs/InAs/GaAs for CVD-method. Moreover they are useful for modeling the structural properties of InAs quantum dot in the system InAs/GaAs. Keywords: Quantum dot, Self-organization, Kinetic regime, CVD-metod.

В рамках наближення ефективної маси досліджено електронні стани сферичної квантової точки, що поміщена у діелектричну матрицю. Потенціал електрона квантової точки апроксимовано скінченною прямокутною потенціальною ямою. Отримано залежності енергій станів електрона від розмірів квантової точки для гетеросистеми CdS/SiO2 за наявності та при відсутності домішки у квантовій точці. Для основного стану отримано залежності струму спінового магнітного моменту електрона від радіальної змінної для різних радіусів квантової точки. Обчислено напруженість магнітного поля, створеного цим струмом у центрі квантової точки., In the effective mass approach electron states of a spherical quantum dot embedded in the dielectric matrix are investigated. The electron potential of a quantum dot is approximated by a finite rectangular potential well. The dependences of electron states energy on quntum dot size for the CdS/ SiO2 heterosystem are derived both in the presence and the absence of an impurity in the quantum dot. For the electron ground state the dependences of spin magnetic moment current on the radial coordinate for different quantum dot radii are obtained. The magnetic field intensity created by this current in the quantum dot centre is calculated., В рамках приближения эффективной массы исследованы электронные состояния сферической квантовой точки, которая помещена в диэлектрическую матрицу. Потенциал электрона квантовой точки аппроксимирован конечной прямоугольной потенциальной ямой. Получены зависимости энергий состояний электрона от размеров квантовой точки для гетеросистемы CdS/SiO2 при наличии и при отсутствии примеси в квантовой точке. Для основного состояния получены зависимости тока спинового магнитного момента электрона от радиальной переменной для разных радиусов квантовой точки. Вычислена напряженность магнитного поля, созданного этим током в центре квантовой точки.

На основі методу електрон-деформаційного зв’язку та теорії збурень розроблено модель гетероструктури зі сферичними квантовими точками, що піддається впливу ультразвуку. В межах даної моделі досліджено вплив акустичної хвилі на енергію основного стану електрона і дірки, ширину забороненої зони та енергію рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs зі сферичними квантовими точками InAs. Запропонована модель враховує спотворення форми квантової точки та зміну її об’єму під впливом акустичної хвилі. On the basis of the method of electron-deformation relation and perturbation theory the model of heterostructure with spherical quantum dots which is exposed to ultrasound is developed. Within this model it is investigated the influence of the acoustic wave on the ground state energy of electron and hole, the band gap energy and energy of recombination radiation of InAs/GaAs heterostructure with InAs spherical quantum dots. The offered model considers the distortion of the form of quantum dot and its volume change under the influence of the acoustic wave.

З використанням ІЧ Фур’є-спектроскопії, раманівського розсіювання та комп’ютерного моделювання досліджуються особливості механічних напружень в германієвих нанокристалах, синтезованих в аморфній матриці SiOx з буферним шаром SixNy. Встановлено, що германієві нанокристали зазнають суттєвих напружень стиснення величиною до 2.9 ГПа. Високі значення деформацій пояснюються частковим проникненням нанокристалів у кремнієву підкладку. Основним джерелом механічних напружень в цьому випадку слугує невідповідність решіток кремнію та германію. С использованием ИК Фурье-спектроскопии, рамановского рассеивания и компьютерного моделирования исследуются особенности механических напряжений в германиевых нанокристаллах, синтезированных в аморфной матрице SiОx с буферным слоем SixNy. Установлено, что германиевые нано- кристаллы испытывают существенные напряжения сжатия величиной до 2.9 ГПа. Столь высокие значения деформаций объясняются частичным проникновением нанокристаллов в кремниевую подложку. Основным источником механических напряжений в этом случае является несоответствие решеток кремния и германия. Features of mechanical stress in germanium nanocrystals synthesised in amorphous SiОx matrix with SixNy buffer layer were studied by means of Fourier transform infrared absorption spectroscopy, Raman scattering and computer modeling. It was found that the germanium nanocrystals are under significant compressive stress with a magnitude of up to 2.9 GPa. Such a high strain value can be explained by a partial penetration of the nanocrystals in the silicon substrate. In this case the principal source of mechanical stress is the lattice mismatch between silicon and germanium.

The new method of salmonellosis diagnostics by detection of bacteria of genus Salmonella markers, which is based on usage of semiconductor nanomaterials (quantum dots) as precision detector elements of nanophotonic sensing device is offered in this work., В работе предложен новый метод диагностики сальмонеллеза, путем определения маркеров бактерий рода Salmonella, который основан на использовании полупроводниковых наноматериалов (квантовых точек), как высокоточных детекторных элементов нанофотонного сенсорного устройства., У роботі був запропонований новий метод діагностики сальмонеллезу, шляхом визначення маркерів бактерій роду Salmonella, котрий заснован на використанні напівпровідникових наноматеріалів (квантових точок), як високоточних детекторних елементів нанофотонного сенсорного пристрою.