Search

За допомогою комп’ютерного моделювання було оптимізовано геометрію, розраховано залежність електронних властивостей діамондоїдів від їх розміру; наявності як одного, так і двох різних замісників в молекулі (зовнішнє допування); від заміни атомів вуглецю в певних положеннях діамондоїду (внутрішнє допування) одним та двома гетероатомами. Розроблено методи селективного введення різноманітних функціональних груп в наперед задані положення молекули діамондоїду, а також синтез діамондоїдів із заміною атомів вуглецю в певних положеннях діамондоїду на гетероатоми (О, N), синтезовано функціональні похідні гетеродіамондоїдів. У співдружності з фізиками Стенфорда і Берклі досліджено електрофізичні властивості одержаних таким чином зразків, а саме зроблені рентгенівські та УФ фотоелектронні, раманівські та фотолюмінесцентні спектри. Експериментально виміряно ширину забороненої зони допованих діамондоїдів та інші характеристики отриманих сполук. Вивчено властивості самоорганізуючихся моношарів деяких допованих діамондоїдів на поверхнях золоту та серебра. Це дозволило виявити галузі застосування допованих діамондоїдів в наноелектроніці та знайти залежності їх електрофізичних властивостей від методу допування та характеру допанта. Розроблено концепцію впливу природи і кількості допуючих атомів на електрофізичні властивості нанодіамантів, ефективні методи синтезу допованих діамондоїдів та селективного введення різноманітних функціональних груп в наперед задані положення молекули діамондоїду. Одержані результати дозволили вперше одержати мономолекулярні провідники і напівпровідники з контрольованим розміром забороненої зони. With the help of computer simulation has been optimized geometry, calculated the dependence of electronic properties on the size of diamondoidі, having one or two different substituents in the molecule (external doping), the replacement of carbon atoms in certain positions diamondoids (internal doping) one or two heteroatoms. The methods for the selective introduction of different functional groups in a predetermined position of the molecule diamondoids and synthesis diamondoids with the replacement of carbon atoms in certain positions on diamondoida heteroatom (O, N), synthesized functional derivatives geterodiamondoids. In collaboration with physicists of Stanford and Berkeley, studied the electrical properties of the samples thus obtained, namely, made X-ray and UV photoelectron, Raman and photoluminescence spectra. The experimentally measured band gap of doping diamondoids and other characteristics of the obtained compounds. The properties of self-assembled monolayers of some doped diamondoids on surfaces of gold and silver were stadied. This allowed the identification of areas of application in nanoelectronics diamondoids doping and reveal the dependence of their electrical properties of the method and nature of the dopant. The concept of influence of the nature and amount of doped atoms on the electrical properties of nanodiamonds, methods of synthesis and selective doped diamondoids introduction of various functional groups in a predetermined position of the molecule of diamondoid. The results obtained allowed for the first time a monomolecular conductors and semiconductors with controlled gap size. С помощью компьютерного моделирования было оптимизировано геометрию, рассчитано зависимость электронных свойств диамондоидив от их размера; наличия как одного, так и двух различных заместителей в молекуле (внешнее допирование); от замены атомов углерода в определенных положениях диамондоида (внутреннее допирование) одним и двумя гетероатомами. Разработаны методы селективного введения различных функциональных групп в заранее заданные положения молекулы диамондоида, а также синтез диамондоидив с заменой атомов углерода в определенных положениях диамондоида на гетероатом (О, N), синтезированы функциональные производные гетеродиамондоидив. В содружестве с физиками Стэнфорда и Беркли исследованы электрофизические свойства полученных таким образом образцов, а именно сделаны рентгеновские и УФ фотоэлектронные, рамановское и фотолюминесцентные спектры. Экспериментально измерено ширину запрещенной зоны допированых диамондоидив и другие характеристики полученных соединений. Изучены свойства самоорганизующихся монослоев некоторых допованих диамондоидив на поверхностях золота и серебра. Это позволило выявить области применения допированых диамондоидив в наноэлектронике и выявить зависимости их электрофизических свойств от метода допування и характера допанта. Разработана концепция влияния природы и количества допуючих атомов на электрофизические свойства нанодиамантив, методы синтеза допованих диамондоидов и селективного введения различных функциональных групп в заранее заданные положения молекулы диамондоида. Полученные результаты позволили впервые получить мономолекулярные проводники и полупроводники с контролируемым размером запрещенной зоны.