Search

Experimental results of frequency and temperature studies of electrical conductivity in Cu7SiS5I superionic crystal in frequency range of 1.0×106–1.2×109 Hz and temperature interval of 100-300 K are discussed. It is shown that in the temperature interval 77–300 K the optical absorption edge has an exponential shape, the temperature behave of which is described by the Urbach rule. It should be noted that the temperature dependences of such parameters of Urbach absorption edge as optical pseudogap and Urbach energy are well described in the framework of the Einstein model., В роботе приведены результаты экспериментальных исследований частотного и темпера­турного поведения электропроводности суперионного кристалла Cu7SiS5I в частотном диапазоне 1.0×106–1.2×109 Гц и температурном интервале 100-300 К. Результаты исследо­ваний спектральных зависимостей коэффициента поглощения показали, что в интервале температур 77-300 К край поглощения имеет экспоненциальную форму, а его темпера­турное поведение описывается правилом Урбаха. Установлено, что температурные зависимости таких параметров урбаховского края поглощения как оптическая псевдощель и урбаховская энергия описываются в рамках модели Эйнштейна., В роботі наведено результати експериментальних досліджень частотної та темпера­турної поведінки електропровідності суперіонного кристала Cu7SiS5I в частотному діапазоні 1.0×106–1.2×109 Гц та температурному інтервалі 100-300 К. За результатами досліджень спектральних залежностей коефіцієнта поглинання показано, що в інтервалі температур 77-300 К край поглинання має експоненціальну форму, а його температурна поведінка описується правилом Урбаха. Встановлено, що температурні залежності таких параметрів урбахівського краю поглинання як оптична псевдощілина та урбахівська енергія описуються в рамках моделі Ейнштейна.

The band structure of the CuInP2S6 ferrielectric - semiconductor is calculated in the both phases. It is shown that this crystal is a material with indirect optical transitions. The shape of the optical absorption edge is studied experimentally in CuInP2(Se0.1S0.9)6 isostrructural to CuInP2S6 at р=0,1GPa and it is founded that at low absorption the edge is formed by indirect band-to-band transitions and at hight onesthe Urbach roule is accomplished., Путем расчета определена зонная энергетическая структура сегнетиэлектрика - полупроводника CuInP2S6 в обеих фазах. Показано, что данный кристалл является непрямозонным материалом. Экспериментально при р=0,1ГПа исследована форма края оптического поглощения кристалла CuInP2(Se0.1S0.9)6, изоструктурного CuInP2S6, и установлено, что при малых коэффициентах поглощения край формируется непрямыми межзонными переходами, а при больших - согласно правилу Урбаха, Розрахована зонна енергетична структура сегнетиелектрика – напів­провідника CuInP2S6 в обох фазах. Показано, що даний кристал є непрямозонним матеріалом. Експериментально при тиску р=0,1 ГПа досліджена форма краю оптичного поглинання кристалу CuInP2(Se0.1S0.9)6, який є ізоструктурний CuInP2S6 і встановлено, що при малих коефіцієнтах поглинання край формується непрямими міжзонними переходами, а при великих – за правилом Урбаха