Search

MACRO AND MICROSCOPIC ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF THIN FILMS BASED ON LEADFREE MATERIALS Afanasyev M.S.1, Goldman E.I.1, Kiselev D.A.1,2, , Levashov S.A.1, Sivov A.A.1, Chucheva G.V.1, I.K. Bdikin3, P. Gautam4, B. Singh3 1 Fryazino branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Sciences, Vvedensky Square 1, Moscow region, 141190 Fryazino, Russia 2 National University of Science and Technology MISiS, Leninskiy pr. 4, 119049 Moscow, Russia 3Mechanical Engineering Department (TEMANRD) and Aveiro Institute of Nanotechnology (AIN), University of Aveiro, 3810193 Aveiro, Portugal 4Department of Physics Kirori Mal College, University of Delhi, Delhi 110007, India dm.kiselevgmail.com The paper presents the results of studies dielectric and local piezoelectric properties of heterostructures based on leadfree thin films: (i) Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST80/20), ii) Bi3.25La0.75Ti(3x)NbxO12 (BLTxNb, x0.025, 0.050, 0.075, 0.1). CV characteristics of MFS and MFM structures are obtained, the controllability coefficient is calculated. The values of effective piezoelectric coefficient (d33) in the studied films are obtained from the piezoelectric hysteresis loops. МАКРО И МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ LEADFREE МАТЕРИАЛОВ Афанасьев М.С.1, Гольдман Е.И.1, Киселев Д.А.1,2,, Левашов С.А.1, Сивов А.А.1, Чучева Г.В.1, I.K. Bdikin3, P. Gautam4, B. Singh3 1Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, пл. Введенского 1, 141190 Фрязино, Россия 2Национальный исследовательский технологический университет МИСиС, Ленинский пр. 4, 119049 Москва, Россия 3Mechanical Engineering Department (TEMANRD) and Aveiro Institute of Nanotechnology (AIN), University of Aveiro, 3810193 Aveiro, Portugal 4Department of Physics Kirori Mal College, University of Delhi, Delhi 110007, India Еmail: dm.kiselevgmail.com В работе приводятся результаты исследований диэлектрических и локальных пьезоэлектрических свойств гетероструктур на основе leadfree тонких пленок: i) Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20), ii) Bi3.25La0.75Ti(3x)NbxO12 (BLTxNb, x0.025, 0.050, 0.075, 0.1). Получены CV характеристики структур МДП и МДМ, рассчитан коэффициент управляемости. Значения эффективного пьезоэлектрического коэффициента (d33) в исследованных пленках получены из петель пьезоэлектрического гистерезиса.