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Este trabalho tem por objetivo estudar pela primeira vez o efeito da polarização de substrato sobre o ruído de baixa frequência em nanofios transistores MOS, tipo N, totalmente depletados, implementados em tecnologia SOI. São estudados nanofios de canal único e múltiplos canais, por meio de resultados experimentais e simulações tridimensionais. Pretendese aqui aprofundar os conhecimentos obtidos até então na literatura e, pela primeira vez, analisar o comportamento do ruído de baixa frequência 1/f? aplicando-se tensões ao substrato. Os resultados obtidos consideraram dispositivos nanométricos, com diversas geometrias, operando na região triodo, com comprimentos de canal (200nm, 400nm, 1µm e 10µm) e larguras de canal (15nm, 20nm, 45nm, 65nm e 105nm). Nesses dispositivos, foram aplicadas polarizações de porta e de substrato com os transistores operando desde a região próxima do sublimiar até a inversão forte, a fim de se obter as curvas DC e de ruído. Os resultados obtidos mostraram que o ruído predominante nesses dispositivos é do tipo “flicker”, com decaimento proporcional a 1/f? em baixas frequências (f = 500Hz), e em frequências maiores (500Hz < f = 10KHz) ele é sobreposto pelo ruído de geração e recombinação, com o decaimento equivalente à 1/f2. A origem do ruído, considerando o substrato aterrado, se deve, predominantemente, a variação da quantidade (N) de portadores no canal devido ao armadilhamento e desarmadilhamento na interface Si/SiO2. Para maiores tensões de porta (VGT=200mV), observou-se a influência da variação da mobilidade no ruído. O expoente ?, que compõe o ruído 1/f variou de 0,7 a 1,25, mostrando a mudança do ponto de condução para os valores mais elevados de tensão de porta e polarizações de substrato aplicados. Foi observado também, o aumento do ruído com a diminuição da largura e comprimento do canal. A diminuição da área do dispositivo, promove a redução na taxa de geração e recombinação, aumentando o ruído. Foi observado o aumento do ruído nos dispositivos, tanto para tensões positivas de substrato quanto para tensões negativas aplicadas ao substrato. Isso ocorreu para as tensões de polarização onde a condução se aproximou das interfaces inferior e superior do canal, podendo ser observado com clareza nas curvas de densidade de elétrons em função da profundidade do canal. Essa maior proximidade com as interfaces agrava o ruído devido as armadilhas existentes nessas regiões This work aims to study for the first time the substrate polarization effect on low frequency noise in fully depleted MOS nanowire transistors, N-type, implemented in SOI technology. Single-channel and multiple-channel nanowires are studied through experimental results and three-dimensional simulations. It is intended here to deepen the knowledge obtained so far in the literature and, for the first time, analyze the behavior of low frequency 1/f? noise by applying voltages to the substrate. The obtained results considered nanometric devices, with several geometries, operating in the triode region, with channel lengths (200nm, 400nm, 1µm and 10µm) and channel widths (15nm, 20nm, 45nm, 65nm and 105nm). In these devices, gate and substrate bias were applied with transistors operating from close subthreshold region to strong inversion in order to obtain the DC and noise curves. The results obtained showed that the predominant noise in these devices is of the "flicker" type, with a decay proportional to 1/f? at low frequencies, and at higher frequencies it is superimposed by the noise of generation and recombination, with the decay equivalent to 1/ f2. The origin of the noise, considering the substrate grounded, is predominantly due to the variation in the amount (N) of carriers in the channel due to trapping and detrapping at the Si/SiO2 interface. For higher gate voltages (VGT=200mV), the influence of mobility variation on noise was observed. The exponent ?, which composes the 1/f noise, ranged from 0,7 to 1,25, showing the change of the conduction point for the higher values of applied gate voltages and substrate bias. It was also observed an increase in noise level with a decrease in the width and length of the channel. By reducing the area of device, promotes the reduction of generation and recombination rate increasing the noise. An increase in noise in the devices was observed, both for positive and negative substrate voltages. This occurred for voltages bias where the conduction approached the lower and upper interfaces of the channel, which can be clearly observed in the electron density curves as a function of the channel depth. This greater proximity to the interfaces aggravates the noise due to the traps that exist in these regions

A neurologia é um ramo da medicina que busca estudar uma diversidade de distúrbios neurológicos tais como perda da fala, da linguagem, da memória, da visão, da percepção dos sentidos e da identidade, entre outros distúrbios, e construiu um conjunto de conhecimentos específicos, sobretudo a partir do desenvolvimento da tecnologia médica através de modernos aparelhos de imagem cerebral. Este trabalho objetiva analisar as contribuições do neurologista Oliver Sacks a partir daquilo que ele definiu como uma "neurofenomenologia do self", da subjetividade, da identidade e da imagem corporal. Evidencia-se a abordagem fenomenológica em conjunto com as contribuições da neurologia e ressalta-se o papel da subjetividade buscando novas narrativas da mente. Neurology is a branch of medicine that studies a variety of neurological disorders that affect speech, language, memory vision, perception of the sense of identity, and other neurological factors. Neurology has produced a specific body of knowledge ranging from the development of medical technology to modern brain imaging devices. This paper examines some of the contributions by Oliver Sacks through what he has defined as "neurophenomenology of the self," or of subjectivity, identity and body image. This study highlights his phenomenological approach with contributions from neurology and emphasizes the role of subjectivity in the search for new narratives of the mind. La neurologie est une branche de la médecine qui cherche à étudier toute une gamme de troubles neurologiques comme la perte de la parole, du langage, de la mémoire, de la vision, de la perception sensorielle et de l'identité, entre autres. Elle construit un ensemble de connaissances spécifiques, surtout à partir du développement de la technologie médicale, plus précisément à l'aide d'appareils d'imagerie cérébrale. Cet article vise à analyser les contributions du neurologue Oliver Sacks à partir de ce qu'il décrit comme la "neurophénoménologie du soi", la subjectivité, l'identité et l'image corporelle. Cette étude met en évidence l'approche phénoménologique, les contributions de la neurologie, ainsi que le rôle de la subjectivité pour repérer de nouvelles narratives de l'esprit. La neurología es una rama de la medicina que tiene como objetivo estudiar diversos trastornos neurológicos, tales como la pérdida del habla, del lenguaje, de la memoria, de la visión y de la percepción de los sentidos de identidad, entre otros trastornos neurológicos, así como también ha construido un conjunto de conocimientos específicos, especialmente a partir del desarrollo de la moderna tecnología médica a través de dispositivos de imagen cerebral. Este estudio tiene como objetivo examinar las contribuciones del neurólogo Oliver Sacks de lo que él definió como una "neurofenomenologia del self", de la subjetividad, de la identidad y de la imagen corporal. Se evidencia el enfoque fenomenológico en conjunto con las contribuciones de la neurología y se hace destaque al papel de la subjetividad en la búsqueda de nuevas narrativas de la mente.