1. Entwicklung und Charakterisierung von HIP-Verbindungsverfahren an Si$_{3}$N$_{4}$-Werkstoffen
- Author
-
Sun Woo, J.
- Abstract
Bis jetzt wurden viele Verbindungsverfahren von Si$_{3}$N$_{4}$ -Si$_{3}$N$_{4}$ entwickelt. Aber sie zeigten keine besseren Festigkeitsverhalten als die vom Ausgangsmaterial aufgrund dereingefügten Sinterzusätze oder Zwischenschichtmaterialien bei dem Verbindungsvorgang. Inhalt dieser Arbeit ist die Entwicklung und Optimierung reproduzierbarer Verbindungsverfahren von Si$_{3}$N$_{4}$-Si$_{3}$N$_{4}$ ohne Zwischenschichtmaterialien mittels HIP- und Vakuumplasmaspritz-Anlage. Parallel dazu werden auch Versuche zur Herstellung von Si$_{3}$N$_{4}$ ´Sinterkörpern aus Si$_{3}$N$_{4}$-Pulver ohne Sinterzusätze mittels HIP-Sinterkörpern aus Si Technik durchgeführt und weiterhin das Verbindungsverhalten von Si$_{3}$N$_{4}$-Metall erprobt und charakterisiert. Bei dem Verbindungsverfahren werden wesentliche Verbindungsparameter z. B. HIP-Temperatur, Druck, Haltezeit, Oberflächenrauhigkeitund Wärmebehandlungen gesondert untersucht, wobei das Festigkeitsverhalten der gefügten Si$_{3}$N$_{4}$-Si -Verbindungen durch 4P-Biegeversuche bei R. T. und 1200°C beurteilt wird .
- Published
- 1991