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We describe an apparatus which allows us to measure accurately the self-diffusion coefficients by the standard thin film deposition and sectioning technique. The accuracy of each measurement of the self-diffusion coefficient is about 0,4%. This accuracy allows a positive curvature to be detected in the β−Tl Arrhenius plot. The possibility that this effect be due to preferential diffusion along grain boundaries is discussed. We conclude that the observed curvature reflects the properties of the β−Tl monocristal. Two supplementary experiments allowed us, on the one hand to define satisfactory experimental conditions for the electro-deposition of thallium from a thallous sulphate solution and, on the other hand, to measure accurately the α−β transition temperature of thallium, that is found to be 235,25±0,1°C Nous presentons un ensemble experimental permettant la mesure precise de coefficients d'autodiffusion par la technique du depot mince et du sectionnement. La precision moyenne atteinte sur la mesure du coefficient de diffusion est de 0,4%. Cette precision permet de detecter une courbure positive dans le graphe d'Arrhenius de β-Tl. La possibilite qu'il s'agisse d'un effet de diffusion preferentielle dans les points de grains est discutee. On conclut que la courbure observee reflete les proprietes du monocristal. Deux experiences annexes nous ont permis, d'une part de definir des conditions experimentales satisfaisantes pour le depot electrolytique du thallium en solution sulfurique, et, d'autre part, de mesurer avec precision la temperature de la transition α−β du thallium, soit 235,25±0,1°C.