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Le roman intitulé Histoire du chevalier des Grieux et de Manon Lescaut est réputé pour faire des élans passionnels un ressort essentiel de la fiction. Aussi, la plupart des critiques attribuent les larmes versées par les lecteurs du roman à la représentation du langage de la passion de Des Grieux pour Manon, ou bien à la représentation des larmes des personnages dans la fiction. En réalité, ce succès de larmes est dû au récit des aventures d’un Chevalier qui reste sourd aux conseils, avertissements et exhortations de son ami Tiberge. Ce travail, entre stylistique et rhétorique, se propose d’étudier les différents procédés discursifs (énonciatifs, lexicaux, syntaxiques et figuraux) qui participent à l’élaboration d’une rhétorique pathétique inefficace. Après un état de l’art retraçant les différentes études précédemment menées sur le roman, les quatre discours prononcés par Tiberge sont analysés selon les définitions que proposent non seulement les traités de rhétorique, mais aussi les manuels d’épistolographie et de savoir-vivre de l’époque. Il s’agit de montrer qu’en figurant l’échec des entreprises persuasives de Tiberge, l’abbé Prévost touche le cœur de son lecteur et lui fournit « un modèle d’après lequel on peut se former », c’est-à-dire un « traité de morale, réduit agréablement en exercice » (Avis de l’Auteur des Mémoires d’un homme de qualité).

«La malédiction littéraire est l’un des grands mythes de la modernité; il a orienté, aux xixe et xxe siècles, des vies entières et a constitué, pour nombre d’écrivains et d’artistes, ‘grands’ ou ‘petits’, consacré ou non par l’histoire littéraire, un levier de compensation symbolique de première importance, transvaluant les signes de l’échec et de la réussite sociale ou financière, faisant de la pauvreté, de l’exclusion, de la maladie et de la persécution autant de marques du génie». È nell’a...

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La recherche portant sur les semiconducteurs magnétiques est d’ une grande importance pour l’ électronique de spin. Récemment des expériences ont aussi suggéré l’ existence de ferromagnétisme dans La_0.5Sr_0.5Ti_O_(3-delta) dopé avec du cobalt. Contrairement a d’ autres systemes dilués, celui-ci présente l’ originalité d’ avoir comme matrice hôte un métal fortement corrélé et non semiconducteurs, ce qui est susceptible de donner lieu a des mécanismes d’ échange de nature différente. Nous avons suivi cette approche en dopant SrTiO_3, préalablement dopé avec du lanthane, avec l.5% de cobalt (Co-LSTO). Les échantillons ont été fabriqués par ablation laser pulsé avec un laser Nd:YAG. Dans le but de comprendre l’ origine des propriétés magnétiques de Co-LSTO, nous avons procédé a une large étude structurale, ainsi qu’ a la mesure d’ une polarisation en spin pour des jonctions tunnels avec des électrodes de Co-LSTO et nous avons trouvé que les conditions de croissance, comme la pression partielle d’ oxyg&egrave ; ; ne, ont une influence importante sur les propriétés magnétiques, révélant le rôle des défauts (lacunes d’ oxygene, p.ex.) Pour mesurer la polarisation en spin du matériau, des jonctions tunnels &agrave ; ; base de Co-LSTO ont été fabriquées par lithographie optique. La mesure de la magnétorésistance tunnel TMR pour des jonction Co-LSTO/LAO/Co donne des valeurs de TMR de l’ ordre de 20% ce qui nous permettent de déduire une polarisation en spin pour Co-LSTO de l’ ordre de 80%. Les expériences de spectroscopie d’ absorption de rayon X et de dichro&iuml ; ; sme circulaire magnétique nous ont permis de sonder les états électroniques des atomes de cobalt et de titane, important pour comprendre les origines microscopique des propriétés magnétiques nos films de Co-LSTO. En particulier, les signatures spectrales du XAS et de l’ XMCD indiquent que le cobalt est dans un état ionique, coexistant dans certains cas avec du Co métallique. Au vu de l’ ensemble de ces résultats, nous tenterons de dégager des conclusions quant a la nature du ferromagnétisme observé dans les couches minces de Co-LSTO.

Un des défis de l'électronique de spin est l'injection et la détection d'électrons polarisés en spin dans des structures semiconductrices. Les jonctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnétiques peuvent etre utilisées comme test d'injection de spins puisque la magnétorésistance tunnel est la signature d'une transmission de porteurs polarisés en spin entre deux electrodes. Nous avons élaboré par épitaxie par jets moléculaires a basse temperature des simples et doubles jonctions tunnel magnétiques (JTMs). Les deux électrodes de GaMnAs (semiconducteur ferromagnétique) sont séparées par une fine barriere tunnel d'AlAs (1.7nm) (simple JTMs) ou par un puits quantique AlAs(1.7nm)/GaAs(5nm)/AlAs(1.7nm) (double JTMs). A T = 4 K la magnétorésistance tunnel (TMR) pour des JTMs a bas champ est 38%, correspondant a la transition de la configuration parall&egrave ; ; le a antiparallele de l'aimantation rémanente. L'observation du meme taux de TMR dans le cas de la double JTM est un effet du a la nature semiconductrice de l'électrode centrale (faible densité d'état au niveau de Fermi). Contrairement au cas des structures métalliques, la dépendance en tension de la TMR est la meme pour les deux JTMs. Ces effets liés a la nature semiconductrice de l'électrode centrale seront discutés.

The topic of this PhD Thesis is the spin-dependent transport in π-conjugated self-assembled monolayers (SAMs), through the design of magnetic tunnel junction in which the tunnel barrier is made of a SAM of oligophenyl-dithiols. The goal is to study how the introduction of aromatic moieties in the tunnel barriers impacts the transport and the magnetoresistance signals of the junctions.In this work will be firstly introduced the methods to recover an oxidized ferromagnetic surface, to functionalize it with a SAM of oligophenyl-dithiols, and to successfully integrate this interface within a spintronics device made of two ferromagnetic elecrodes.Afterwards the transport characterization of the devices will be presented, aiming to identify the electronic properties of the oligophenyl tunnel barrier. This will be followed by a full study of the magnetoresistive signals in the devices.Lastly, we will discuss the integration of photoactive molecules, paving the way to the making of multifunctional devices in which the resistance can be controlled both by a magnetic field and an external energy source such as light.; Ces travaux de thèse portent sur le transport dépendant du spin dans des monocouches auto-assemblées (SAMs) π-conjuguées, à travers la fabrication de jonctions tunnel magnétiques dont la barrière tunnel est constituée d’une monocouche d’oligophényls-dithiols. L’objectif est d’étudier comment l’introduction de fonctionnalités aromatiques dans la barrière tunnel affecte le transport et les signaux de magnétorésistance dans les jonctions.Dans ce manuscrit seront introduites les procédures de récupération d’une surface ferromagnétique oxydée, de fonctionnalisation de cette surface par une SAM d’oligophényls dithiols, ainsi que d’intégration de cette interface à un dispositif d’électronique de spin comportant deux électrodes ferromagnétiques.Seront ensuite présentées les mesures de transport permettant la détermination des propriétés électroniques des barrières tunnel d’oligophényls, ainsi qu’une étude détaillée des phénomènes magnétorésistifs intervenant dans les dispositifs.Enfin une ouverture sera réalisée vers l’utilisation en tant que barrière tunnel de molécules actives capables de s’isomériser sous l’influence de stimuli extérieurs, qui pourraient permettre à terme la fabrication de dispositifs multifonctionnels dont les propriétés de résistance peuvent être modulées par le champ magnétique ainsi que par la lumière.

The topic of this PhD Thesis is the spin-dependent transport in π-conjugated self-assembled monolayers (SAMs), through the design of magnetic tunnel junction in which the tunnel barrier is made of a SAM of oligophenyl-dithiols. The goal is to study how the introduction of aromatic moieties in the tunnel barriers impacts the transport and the magnetoresistance signals of the junctions.In this work will be firstly introduced the methods to recover an oxidized ferromagnetic surface, to functionalize it with a SAM of oligophenyl-dithiols, and to successfully integrate this interface within a spintronics device made of two ferromagnetic elecrodes.Afterwards the transport characterization of the devices will be presented, aiming to identify the electronic properties of the oligophenyl tunnel barrier. This will be followed by a full study of the magnetoresistive signals in the devices.Lastly, we will discuss the integration of photoactive molecules, paving the way to the making of multifunctional devices in which the resistance can be controlled both by a magnetic field and an external energy source such as light.; Ces travaux de thèse portent sur le transport dépendant du spin dans des monocouches auto-assemblées (SAMs) π-conjuguées, à travers la fabrication de jonctions tunnel magnétiques dont la barrière tunnel est constituée d’une monocouche d’oligophényls-dithiols. L’objectif est d’étudier comment l’introduction de fonctionnalités aromatiques dans la barrière tunnel affecte le transport et les signaux de magnétorésistance dans les jonctions.Dans ce manuscrit seront introduites les procédures de récupération d’une surface ferromagnétique oxydée, de fonctionnalisation de cette surface par une SAM d’oligophényls dithiols, ainsi que d’intégration de cette interface à un dispositif d’électronique de spin comportant deux électrodes ferromagnétiques.Seront ensuite présentées les mesures de transport permettant la détermination des propriétés électroniques des barrières tunnel d’oligophényls, ainsi qu’une étude détaillée des phénomènes magnétorésistifs intervenant dans les dispositifs.Enfin une ouverture sera réalisée vers l’utilisation en tant que barrière tunnel de molécules actives capables de s’isomériser sous l’influence de stimuli extérieurs, qui pourraient permettre à terme la fabrication de dispositifs multifonctionnels dont les propriétés de résistance peuvent être modulées par le champ magnétique ainsi que par la lumière.

This thesis work enters within the molecular spintronic fields. Magnetic tunnel junctions based on molecular self assembled monolayers have been investigated. The devices structure is a molecular monolayer inserted between two ferromagnetic electrodes.A process to graft molecules on a ferromagnet’s surface and a lithography technique have been developed to define the junctions. This experimental work has led to non short-circuited and measurable junctions, in which an electronic tunnel transport has been demonstrated.Interesting and new results have been found out from magnetoresistance measurement of the samples: junctions made with alkanes-thiols barrier have shown magnetoresistance signal at room temperature (up to 12%). In order to explain the magnetoresistive behaviour, a simple model where the barrier is discribed by two levels has been proposed.The last part of the thesis reports preliminary results obtained when the barrier is made of aromatic molecules or switchable molecules and it points out new phenomenons compared to the alkanes case.The overall work proves that devices made from magnetic tunnel junctions with self-assembled monolayers work at room temperature. It is then possible to consider switchable molecules to build multifunctional molecular spintronics devices.; Le sujet de cette thèse concerne la spintronique moléculaire. Des jonctions tunnel magnétiques formées par une barrière tunnel moléculaire (monocouche auto-assemblée) insérée entre deux électrodes métalliques ferromagnétiques ont été étudiées. Afin de fabriquer les dispositifs, un procédé de greffage des molécules sur des substrats ferromagnétiques a été mis en place et une technique de lithographie a été développée pour définir des jonctions de taille submicronique. L’ensemble de ce travail expérimental a permis l’obtention de jonctions non court-circuitées et mesurables, où le transport électronique est bien du transport par effet tunnel.Les mesures de magnétotransport de ces échantillons ont amené des résultats intéressants et nouveaux : les jonctions, dont la barrière est formée par des alcanes-thiols, présentent de la magnétorésistance à température ambiante, allant jusqu’à 12%. Une partie de la thèse s’attelle à la compréhension des différents comportements magnétorésistifs observés : un modèle de barrière tunnel à deux niveaux est proposé pour les décrire.La dernière partie du travail présente des résultats préliminaires obtenus lorsque la barrière moléculaire est formée par des molécules aromatiques ou commutables et met en évidence des phénomènes nouveaux par rapport au cas précédent.L’ensemble des résultats prouve le fonctionnement de jonctions tunnel magnétiques à base de monocouches moléculaires à température ambiante et ouvre la voie à l’utilisation de molécules plus complexes pour une électronique de spin moléculaire multifonctionnelle.