1. Origine des centres recombinants aux joints de grains de bicristaux de silicium Σ = 13
- Author
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M. Pasquinelli, H. Amanrich, and S. Martinuzzi
- Subjects
OBIC ,Czochralski crystals ,Annealing (metallurgy) ,deep level transient spectroscopy ,Analytical chemistry ,bicrystals ,chemistry.chemical_element ,Mineralogy ,02 engineering and technology ,01 natural sciences ,Oxygen ,minority carriers ,electron hole recombination ,Depletion region ,0103 physical sciences ,p type ,recombination centres ,Si:Au ,Ar ,010302 applied physics ,Argon ,DLTS ,Chemistry ,700 to 800 degC ,silicon ,grain boundaries ,P type silicon ,semiconductor ,021001 nanoscience & nanotechnology ,LBIC ,segregation ,Si:O ,EBIC ,[PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives ,Grain boundary ,space charge ,annealing ,activation ,in diffusion ,Si ,elemental semiconductors ,0210 nano-technology ,Recombination - Abstract
Pour vérifier que la ségrégation d'oxygène est bien à l'origine de l'activité recombinante des joints de grains de bicristaux « CZ », de configuration Σ = 13 et de type P, des échantillons ont été étudiés bruts de fabrication, après recuit, après diffusion d'or ainsi qu'après recuit et diffusion d'or. Les techniques expérimentales regroupent les balayages LBIC, le contraste EBIC, ainsi que la DLTS utilisant la région de charge d'espace du joint de grains comme structure de collecte. Les résultats montrent que l'activité recombinante des joints ne devient notable qu'après un recuit à 880 °C pendant plusieurs dizaines d'heures. Une diffusion d'or à 700 °C ne produit pas d'autre effet que celui dû au seul recuit. Une diffusion d'or à 800 °C pendant 3 heures dans un bicristal préalablement recuit à 880 °C pendant 30 heures réduit les recombinaisons aux joints et dans les grains. L'activation des joints de grains de type Σ = 13 est donc un phénomène lent, tandis que la présence d'impuretés métalliques diffusant rapidement dans le silicium est soit sans effet, soit passivante. L'activation des joints doit donc résulter de la capture de diffuseurs relativement lents. Par suite de son abondance dans les cristaux « CZ » et des précipités qu'il peut former aux joints, l'oxygène dissous dans les grains apparaît bien après ségrégation comme le principal responsable de l'activation de ces défauts.
- Published
- 1990
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