1. Dielectric Properties Extraction of Coplanar Propagation Waveguides on High Resistivity Silicon Substrates
- Author
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Zhao Hua, Nicolas Defrance, Ma Lujuan, Kamel Haddadi, Qing Lv, Fu Chao, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Géosciences Rennes (GR), Université de Rennes (UR)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire des Sciences de l'Univers de Rennes (OSUR), Université de Rennes (UR)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université de Rennes 2 (UR2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université de Rennes 2 (UR2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), China University of Geosciences [Beijing], Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1, Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Chang, L and Guiran, C and Zhen, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire des Sciences de l'Univers de Rennes (OSUR)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)
- Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics] ,High resistivity silicon ,Materials science ,business.industry ,Coplanar waveguide ,Extraction (chemistry) ,Optoelectronics ,Dielectric ,business - Abstract
International audience; The dielectric properties of coplanar propagation waveguides (CPW) designed and fabricated on high resistivity silicon substrates are investigated. These CPWs exhibited transmission losses around 0.4 dB/mm at 50 GHz. In particular, temperature-dependent measurements show very low deviations. The complex relative permittivity and loss angle tangents are extracted through adequate TEM analytical modeling. It is shown that the results are affected by parasitic peaks that are intrinsically linked with the extraction of the characteristic impedance. To overcome this issue, a numerical resolution is proposed, based on a modelling of the transmission parameter S21 associated with the implementation of a bidimensionnal Newton-Raphson algorithm for the resolution of the inverse problem. Both methods give nearly identical results in terms of dielectric properties, confirming the validity and complementarity of the analytical and numerical models.
- Published
- 2015